Poster Özetleri - ODTÜ Fizik Bölümü

Transkript

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011
SOYADI
AD
ÜNİVERSİTE
SAYFA
Abdullayeva
Ağan
Ağar
Ağartıoğlu
Ahmad
Ainetdinov
Akaltun
Akansel
Akaoğlu
Akarsu
Akgüç
Aktürk
Akyazı
Akyüz
Altındemir
Altıntaş
Arıkan
Arpapay
Asar
Askerzade
Aslan
Aşıkuzun
Atay
Atcı
Ateş
Ateşer
Atış
Atmaca
Attolini
Auge
Aybek
Aydın
Aydın
Aydınlı
Aydoğu
Aykut
Babür
Bacıoğlu
Bağcı
Bal
Başer
Başman
Bayhan
Bayraklı
Bayraklı
S.
S.
E.
M.
S.
D. V.
Y.
S.
B.
M.
G. B.
A.
B.
İ.
G.
S. P.
N.
B.
T.
I.
B.
E.
F.
H.
A.
E.
Z.
G.
G.
A.
A. Ş.
S.
G.
A.
S.
Ö.
G.
A.
F.
S.
G.
N.
Ü.
Ö.
A.
Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi
Kırıkkale Üniversitesi
Ondokuz Mayıs Üniversitesi
Dokuz Eylül Üniversitesi
ET Üniversitesi, Pakistan
Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya
Erzincan Üniversitesi
Hacettepe Üniversitesi
Ankara Üniversitesi
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
Bilkent Üniversitesi
Selçuk Üniversitesi
Çukurova Üniversitesi
Abant İzzet Baysal Üniversitesi
Ahi Evran Üniversitesi
Anadolu Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Kastamonu Üniversitesi
İstanbul Üniversitesi
Yıldırım Beyazıt Üniversitesi
Aksaray Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
IMEM, CNR, Parma, İtalya
Bielefeld Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Dumlupınar Üniversitesi
Kardökmak A.Ş.
Gaziosmanpaşa Üniversitesi
Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi
Orta Doğu Teknik Üniversitesi
P69
P12, P89, P90, P91, P92
P103
S08, P4
P104
P18, P19
P36, P37
P7
S12
P41
P27
P9, P108
P90
P38, P39, P42, P43, P44, P45, P47
P31
P88
P16
P87
P71, P77, P78
P2
Ç4, P87
P88
P38, P39, P42, P43, P44, P45, P47
P82
P36, P37
P24
P47
P64, P66, P67
P69, P70
S03
P1
P5, P55, P73, P74, P79
P98
P90
P34, P41
P86
P80
P83
S12
P13, P14, P15
P83
P113
P98
P102
S15
1
Bek
Bilenko
Bilgin
Bilican
Bosi
Bulut
Bülbül
Bütün
Büyükgüngör
Can
Candan
Candan
Ceylan
Clerjaud
Coşkun
Coşkunyürek
Çabuk
Çabuk
Çakıcı
Çakmak
Çankaya
Çelik
Çelik
Çetin
Çetin
Çetinkaya
Çitioğlu
Çivi
Çoban
Çoban
Çolakoğlu
A.
D. I.
V.
İ.
M.
N.
C.
S.
O.
M. M.
İ.
A.
E.
B.
Ö. D.
M.
S.
G.
M. S.
M.
G.
Ö.
V.
S. Ş.
H.
S. Ç.
S.
M.
C.
M. B.
K.
Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi
İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
Gazi Üniversitesi
Sabancı Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Pierre et Marie Curie Üni., Paris, Fransa
Gazi Üniversitesi
Yıldırım Beyazıt Üniversitesi
Balıkesir Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Bozok Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Dede
Değirmenci
Deligöz
Demir
Demirci
Demirselçuk
Demirtaş
Dinçer
Doğruer
Efkere
Ekiz
Ekşi
Elerman
Elibol
M.
C.
E.
Z.
Y.
B.
M.
İ.
M.
H. İ.
A.
D.
Y.
K.
Nanomanyetik Bilimsel Cihazlar Ltd. Şti.
Kardökmak A.Ş.
Niğde Üniversitesi
Mustafa Kemal Üniversitesi
Erciyes Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Trakya Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
2
Ç3
P18, P19
P28, P29
P12, P91
P69, P70
Ç1
P58
P67
P103, P104
S10
P99, P100, P102
P48, P49, P50, P51, P52
P40
P69, P70
P84, P85
P88
S06, P32
P34
P109
P17
P80, P81
P6
S05
P69, P70, P71, P72, P78
P107
P45
P6
P16, P98
P26
P34
P22, P24, P26, P54, P56, P57, P58,
P59, P60, P61, P62, P73, P76
S09, P107
P86
P24, P54, P59, P60, P62, P73, P76
P23
P1
P28, P29
P102
S03, P18, P19, P20
P13, P14, P15
P72, P78
P53, P75
S13
S03, P18, P19, P20
P64, P66, P67
Ellialtıoğlu
Ellialtıoğlu
Erçelebi
Erdem
Erden
Erdinç
Erdoğan
Ergen
Ergün
Erkarslan
Es
Eser
Evecen
Fırat
Fiat
Fichtner
Filazi
Galushka
Gençyılmaz
Gerhardts
German
Gorin
Göde
Gülen
Güllü
Gülnahar
Gülpınar
Gülseren
Gümüş
Gümüş
Gümüş
Gündoğdu
Günendi
Güneri
Güneş
Güngör
Güngör
Gürbüz
Habiboğlu
Hasanli
Hütten
Işık
Işık
İyigör
Jabbarov
Kabak
R.
Ş.
Ç.
R.
S. G.
A.
B.
S.
A. H.
U.
F.
E.
M.
T.
S.
M.
Ö.
V. V.
O.
R. R.
S. V.
D. A.
F.
M.
H. H.
M.
G.
O.
N. M.
C.
S.
G.
M. C.
E.
C.
E.
T.
G.
C.
N.
A.
Ş.
M.
A.
R.
M.
Akdeniz Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Muğla Üniversitesi
Amasya Üniversitesi
Karlsruhe Institute of Technology , Almanya
Adıyaman Üniversitesi
Max-Planck, Festkörperforschung, Almanya
Gazi Üniversitesi
Atılım Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
3
P48, P49, P50, P51, P52, P53, P75
S05
P99, P100
P23
P33
P9, P108
P38, P45
P113
P54
P82
S07
P30
P17
S04, S10, P6, P7
P81
P7
P31, P97
P18, P19
P43, P44
P33
P20
P20
P31, P97
P15
P99, P100, P102
P110
S08, P4
P27
P90
P31, P97
P103
P84
P27
P31, P97
P64
P8, P93, P94, P95, P96
P8, P93, P94, P95, P96
P40
P31, P97
P25
S03
P105
P25
P48, P49, P50, P51, P52
P69, P70
P22
Karaaslan
Karabulut
Karabulut
Karakaya
Karakoç
Karakurt
Karapınar
Karatepe
Karcı
Kardash
Kaya
Kaya
Kayıkçı
Kaynar
Ketenci
Ketenoğlu
Khan
Khomutov
Kılıçoğlu
Kınacı
Kırmızıgül
Kıtay
Kızılkaya
Koç
Koç
Koçak
Kompitsas
Koralli
Kölemen
Köse
Kul
Kulakçı
Kurtuluş
Kuru
Lider
Liedke
Lişesivdin
Markin
Meinert
Memmedli
Mert
Mert
Mese
Mete
Meydaneri
Mogaddan
Y.
O.
İ.
S.
G.
A.
R.
R.
Ö.
M. M.
S.
İ. İ.
E. C.
M. B.
E.
D.
I. U.
G. B.
Ö.
B.
F.
Y.
K.
F.
H.
B.
M.
P.
U.
S.
M.
M.
G.
H.
M. C.
M. O.
S. B.
A. V.
M.
T.
H. Ş.
G.
A. I.
E.
F.
N. A.
Pamukkale Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
İnönü Üniversitesi
Yüzüncü Yıl Üniversitesi
GC Üniversitesi, Pakistan
M. V. Lomonosov Moskova Devlet Üni.
Gazi Üniversitesi
Karabük Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Theor. and Phys. Chem.Institute, Yunanistan
National Tech. Uni. of Athens, Yunanistan
Gazi Üniversitesi
Institute of Ion Beam Phys. and Mater. Res.
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
4
S08, P4
P106
P109
P46
P64
P105
P111
P92
S09
P18, P19
P88
Ç2
P90
S04
P39
S16
P104
P20
S13
P72, P77
P31, P97
P87
P77
P9, P108
P30
P56
P81
P81
P80, P113
P40
P1
S07
P71, P78
P87
P101
S02
P57, P64, P66, P67
P20
S03
P69, P70, P71, P72, P77, P78
P10
P10
S14
S05
P35, P86
P92
P.
Moğulkoç
Musayeva
Okur
Oral
Öner
Özbaş
Özbay
Özcan
Özçelik
Özdemir
Özdemir
Özdemir
Özdemir
Özen
Özer
Özışık
Özışık
Öztekin
Y.
N.
S.
A.
İ.
Ö.
E.
Ş.
S.
Z.
G.
M.
B.
Y.
M.
H. B.
H.
Y. Ç.
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
İnönü Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Öztuyak
Öztürk
Öztürk
Öztürk
Parlak
Peker
Pişkin
Polat
Polat
Polat
Räsänen
Riviere
Saatçi
Salman
Sarıateş
Sarıca
Seferoğlu
Sel
Serin
Serin
Serincan
Sezgin
Shah
Sharif
Sıddıki
Sonuşen
E.
T.
O.
O.
M.
M.
E.
İ.
R.
M.
E.
J. P.
B.
A.
D.
E.
N.
M.
T.
N.
U.
G.
İ.
S.
A.
S.
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Karadeniz Teknik Üniversitesi
Jyväskylä Üniversitesi, Finlandiya
Universite de Poitiers
Alparslan Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
University of Delaware
GC Üniversitesi, Pakistan
İstanbul Üniversitesi
5
P22, P26
P69, P70
S02
S09, P107
P24, P60, P61
P41, P46
P66, P67
S04, P6, P7
P69, P70, P71, P72, P77, P78
P105
P13, P14
P35
S07
P71, P77
P68
P60, P61
P24, P61
P22, P24, P26, P54, P55, P56, P57,
P58, P59, P60, P62, P73, P74, P76, P79
P86
P76
P88
S02
P99, P100, P102
P1
P72, P78
P81
P37
P40
P82
S02
P35
S14
P30
P28, P29
P63
P68
P21
P21
P87
P63
S04
P104
S01, S13, S14, P33, P82
P107
Sökmen
Söyleyici
Sürücü
Şahin
Şahin
Şahin
Şahin
Şahin
Şahin
Şengör
Şimşek
Şimşek
Şimşek
Takanoğlu
Taş
Taşal
Tatar
Temel
Terin
Terzioğlu
Tıraş
Tozkoparan
Turan
Turan
Tyurin
Ufuktepe
Uğur
Uğur
Uluer
Uluışık
Ulutaş
Uzun
Ünal
Ünalan
Ünaldı
Varilci
Vatansever
Wenig
Yalçın
Yaşar
Yaşar
Yavuz
Yeniçeri
Yeşiltepe
Yıldırım
Yıldırım
İ.
M.
G.
S.
B.
O.
Z. S.
M.
Ş. H.
T.
M.
T.
Ş.
D.
H.
E.
A.
E.
D. V.
C.
E.
O.
R.
E.
I. A.
Y.
Ş.
G.
İ.
A.
C.
O.
H.
H. E.
T.
A.
E.
S. B.
O.
E.
S.
F.
G.
M.
H.
G.
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Yıldız Teknik Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Pamukkale Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Niğde Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
6
P33
P42
P60
P73
P12, P89, P91
P104
P105
S11, P9, P108
P21
P11
P5
P6
S06, P32
P106
S11
P96
P55, P74, P79
P103
P18, P19
P13, P14, P15
P94
P18, P19, P20
S07, P92
P1
P18, P19
P3
P48, P49, P50, P51, P52, P53, P75
P48, P49, P50, P51, P52
P12, P91
P34
P31
P113
S05
S07
P1
P13, P14, P15
S08
P20
P23
P90
P12, P91
P31, P97
P59
P85
P87
P13, P14, P15
Yıldırım
Yıldırım
Yıldırım
Yıldız
Yılmaz
Yılmaz
Yurtseven
Yurtseven
Yücel
Yücel
Yücel Kurt
Yüzüak
Zalaoğlu
Zor
O.
M. A.
S. T.
O.
M.
F.
A.
H.
E.
M. B.
H.
E.
Y.
M.
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Osmaniye Korkut Ata Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
7
P18, P19, P20
P36, P37
P36
P88
P62
P113
P65
P101
P13, P14, P15
S14
P65
S03
P14, P15
P1
P01
Döndürerek kaplama yöntemi ile bakır oksit filmlerinin elde edilmesi ve optik,
yapısal özelliklerinin belirlenmesi
Y. Demirci1*, A. Ş. Aybek2, M. Peker3, M. Kul2, T. Ünaldı3, E. Turan2, ve M. Zor2
1
Fen Bilimleri Enstitüsü, Anadolu Üniversitesi, 26470 Eskişehir
2
Fen Fakültesi, Anadolu Üniversitesi, 26470 Eskişehir
3
Fen-Edebiyat Fakültesi, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, 26480 Eskişehir
CuO filmi döndürerek kaplama yöntemiyle mikroskop cam tabanlar üzerinde oda sıcaklığında
üretilmiştir. Elde edilen filmler 600oC sıcaklıkta hava ortamında tavlanmıştır. Filmlerin
kalınlıkları elipsometri ölçümleri yardımıyla 0,65 μm olarak belirlenmiştir. X-ışınları kırınım
desenlerinden filmlerin rastgele yönelimlere sahip polikristal tenorite yapıda olduğu
saptanmıştır. Numunenin tane boyutları yaklaşık 42 nm olarak hesaplanmıştır. Taramalı
elektron mikroskobu yardımıyla filmlerin yüzey görüntüleri incelenmiştir. Optik absorpsiyon
ölçümlerinden CuO filmlerinin direkt bant aralığına sahip olduğu ve yasak enerji aralığı
değeri 1,67 eV olarak belirlenmiştir. 190–3300 nm dalgaboyu aralığında incelenen saydamlık
spektrumlarından filmlerin görünür bölgede opak ve kızılötesi bölgede daha saydam özellik
gösterdiği belirlenmiştir.
8
P02
Ferromanyetik FeAs tabanlı süperiletkenlerin özelliklerinin
Ginzburg–Landau teorisi kapsamında analizi
Iman Askerzade (Askerbeyli)
Ankara Üniversitesi, BilgisayarMühendisliği Bölümü, Beşevler, 06100 Ankara
Ferromanyetik FeAstabanlı süperiletkenlerin keşfi son üç yılda manyetik süperiletkenler
yönündeki araştırmalara önemli bir ivme kazandırmıştır. Yüksek sıcaklıklı kuprat tabanlı
(CuO) süperiletkenlere benzer olarak, Fe tabanlı yeni süperletkenler de katmanlı yapıya
sahiptirler. Fe tabanlı superiletkenlerde Fe katlarındakı elektronlar Cooper çiftleri
oluşturmaktadırlar. Oksijenli (O) katmanlar ise katkılama (doping) yapılarken stekiometrik
yapılardan farklılık hesabına serbest yük taşıyıcıları oluşturmaktadırlar. CuO tabanlı
süperiletkenlerin tek-bantlı olduğu katı hal fiziği camiası tarafından genel kabul görmektedir.
Son yıllar yoğun olarak yapılan araştırmalar sonucu olarak, Fe tabanlı süperiletkenlerin çokbantlı olduğu anlaşılmaktadır
Şimdiki anda Fe tabanlı süperiletkenlerin araştırılmasındaki en önemli problem yük
taşıyıcılarının çiftlenme mekanizmasının aydınlığa kavuşturulmasıdır. İzotopik kayma etkisi
araştırılarken16O izotopunun 18O la deyiştirilmesinin 56Fe-nın 58Fe-le deyişdilmesindeki
etkiden daha küçük olması ortaya çıkmıştır. Bu ise Fe katmanlarının süperiletkenliğin
oluşturulmasında önemli rol oynadığını ortaya koymuştur.Izotop etki faktorü
d ln Tc
 
 0.4 olarak hesaplanmıştır ki, bu da standart Bardeen–Cooper–Schrieffer
d ln M
(BCS) teorisindeki değere (0.5) yakındır. Bu sonuç klasik electron–fonon mekanizmasını
desteklese de, burada araştırılacak çok problemler bulunmaktadır. Bu problemler
antiferromanyetik düzlenme ile süperiletken düzlenme parametresinin etkileşiminden, nadir
toprak elementlerinin spin düzlenmesinden ve kritik sıcaklık civarında spin
dalgalanmalarından kaynaklanmaktadır. Fe tabanlı yeni süperiletkenlerde Cooper çiftlenmesi
mekanizması probleminin hala da açık olarak kalmaktadır ve çeşitli teorik yaklaşımlar
önerilmektedir.
Bilindiği gibi, süperiletkenliğin Ginzburg–Landau makroskobik modeli mikroskobik
teorilerden farklı olarak kritik sıcaklık civarında bütün süperiletkenlere uygulanabilmektedir
ve hala da güçlü bir araştırma yöntemi olarak kullanılmaktadır. Genelleştirilmiş Ginzburg–
Landau teorisi kapsamında elde edilen ifadeler 111 sınıfından olan LiFeAs bileşiği için üst
kritik manyetik alan ve onun anisotropi parametresinin hesaplanması için kullanılmıştır. 122
sınıfından olan Ba(K)Fe2As2 bileşiği için üst kritik manyetik alanın anizotropi parametresi de
LiFeAs‟a benzer davranış sergilemektedir. 1111 sınıfından olan SmFeOAs ve PrFeAsO1–y
türlü bileşiklerde ise anizotopi parametresi sıcaklık azaldıkça artmaktadır, yani durum daha
çok magnezyum dibörürü hatırlatmaktadır. Bu da SmFeOAs ve PrFeAsO1–y bileşiklerinin
Fermi yüzeyinin MgB2‟ye benzer olması ile izah edile bilir.
Teşekkür:Araştırma TUBİTAK 110T748 Nolu proje ile desteklenmektedir.
9
P03
Lazer atmalı depolama ile oluşturulan NbNx ince filmlerinde sıcaklık etkisi
H. Farha1, A. O. Er2, Y. Ufuktepe3, and H. E. Elsayed-Ali1
1
Electrical and Computer Engineering, Old Dominion University, Norfolk VA 23529
2
Department of Physics, Old Dominion University, Norfolk VA 23529
3
Department of Physics, Cukurova University, Adana Turkey
Oda sıcaklığı ile 950 oC arasındaki değişik depolama alt taban sıcaklıklarında, reaktif lazer
atmalı depolama yöntemi (PLD) ile niyobyum nitrat (NbNx) ince film tabakaları Nb alt tabanı
üzerinde oluşturuldu. Filmlerin kristal yapısı ve yüzey özellikleri x-ışınları kırınımı, taramalı
elektron mikroskobu ve atomik kuvvet mikroskobu ile belirlendi. Sıcaklığın NbNx filmlerin
yüzey özellikleri, kristal yapıları ve fazı üzerinde çok etkili bir parametre olduğu gözlendi.
450 oC de zayıf bir kristalleşme gözlenirken, sıcaklığın artmasına bağlı olarak 650 ile 850 oC
bölgesinde filmler kübik ve altıgen yapıda karışık fazda izlendi. Bundan sonra uygulanan
daha yüksek sıcaklıkta ise tek faz olan altıgen yapı baskın olmaktadır. Yüzey pürüzlülüğü
sıcaklığa bağlı olarak artmaktadır.
10
P04
Güçlü antiferromanyetik etkileşme içeren metamanyetik Ising modelinin
dinamik alınganlıklarının frekansla değişimleri
Gül Gülpınar, Yenal Karaaslan, ve Mehmet Ağartıoğlu
Fizik Bölümü, Dokuz Eylül Üniversitesi, 35180 İzmir
Metamanyetik Ising modeli iki farklı etkileşimi bünyesinde barındırır ve bu etkileşmelerin
oranına bağlı olarak farklı faz diyagramı topolojileri sergiler. Bu çalışmada r = Jf /Jaf < 0.6
için kritik son nokta ve ikili kritik nokta içeren bir faz diyagramının varlığı halinde dinamik
sekmeli (staggered) ve toplam alınganlıkların çoklu kritik noktalar yakınındaki frekans
karakteristikleri iki farklı şekilde incelenmiştir. Bu amaçla ilk olarak toplam ve sekmeli
dispersiyon ve absorbsiyon katsayılarının frekansla değişimleri logaritmik ölçekte
incelenmiştir. Daha sonra dinamik alınganlıkların gerçel ve sanal kısımlarını içeren Argand
diyagramları sunulmuştur. Elde edilen sonuçların literatürdeki deneysel ve kuramsal
çalışmalarla uyumu tartışılmıştır.
Teşekkür: Bu çalışma TBAG 109T721 Numaralı Proje bünyesinde TÜBİTAK tarafından desteklenmiştir.
11
P05
Bor-karbür tipi B12NXN, X=Be, Mg kristallerinin yapısal, elektronik ve
mekanik özelliklerinin ilk-prensiplerle incelenmesi
Sezgin Aydın ve Mehmet Şimşek
Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara
Bor-karbür tipi B12NXN, X=Be, Mg kristallerinin yapısal, elektronik ve mekanik özellikleri
ilk-prensipler yoğunluk fonksiyoneli teorisi kullanılarak incelendi. Kohesif enerji ve elastik
sabitler yardımıyla, B12NXN, X=Be, Mg kristallerinin enerjitik ve mekanik olarak kararlı
oldukları tespit edildi. Hesaplanan band yapılarından ve kısmi durum yoğunluğu eğrilerinden
her iki bileşiğin yarıiletken karakter sergilediği görüldü. Mulliken popülasyon analizi
yardımıyla yapısal birimlerin (B12 ikosahedron ve lineer zincir NXN) bağlanması
aydınlatılarak, bileşiklerin mikro-sertlikleri hesaplandı. Sonuçlar literatür ile karşılaştırıldı.
12
P06
NiPd magnetik nanoparçacıklarının sentezi ve magnetik özellikleri
Senem Çitoğlu1, Özer Çelik1, Telem Şimşek2, Şadan Özcan2, Tezer Fırat2
1
Nanoteknoloji ve Nanotıp Anabilim Dalı, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, Ankara
2
Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, Ankara
Günümüzde kanser tedavisi için cerrahi müdahale, kemoterapi veya radyoterapi yöntemleri
kullanılmaktadır. Bu uygulamaların en büyük dezavantajı, kanserli dokunun yanında sağlıklı
dokuya da aynı ölçüde zarar vermesidir. Bu nedenle özellikle son yıllarda daha etkin ve yerel
tedavi yöntemleri üzerinde durulmaktadır. Bunlar arasında en umut verici olanı magnetik
nanoakışkan hipertermi yöntemidir.
Bu çalışmada, magnetik nanoakışkan hipertermi yönteminde kullanılmak üzere çeşitli
kimyasal kompozisyonlarda NiPd magnetik nanoparçacıklar sentezlenmiştir. Sentez, diğer
yöntemlere göre boyut kontrolü, parçacık boyut dağılımı ve kalitesi daha başarılı olan yüksek
sıcaklık ısıl-ayrıştırma metodu ile gerçekleştirilmiştir. Sentezlenen parçacıkların karakterizasyonu XRD, TEM, VSM ve SEM-EDS teknikleri kullanılarak yapılmıştır. Elde edilen XRD
kırınım desenlerinden, yapı analizleri gerçekleştirilmiş ve ortalama parçacık boyutları
belirlenmiştir. TEM ölçümleri ile sentezlenen nanoparçacıkların boyutlarının daha ayrıntılı
tayini ve şekil analizleri gerçekleştirilmiştir. Kimyasal kompozisyonun belirlenmesi için ise
SEM-EDS kullanılmıştır. Ayrıca VSM tekniği ile parçacıkların magnetik karekterizasyonları
yapılmıştır.
13
P07
LiNH2/MgH2 sisteminin hidritlenme reaksiyonlarının termodinamik
özelliklerinin incelenmesi
Serkan Akansel1, Maximilian Fichtner2, Şadan Özcan1 , ve Tezer Fırat1
1
SNTG Laboratuarı, Fizik mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara,
Türkiye
2
Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Karlsruhe, Germany
Günümüzde alternatif bir enerji kaynağı olarak düşünülen hidrojenin, katılarda depolanması
hidrit yapılar olarak da bilinir. Katı fazda hidrojen depolama sistemlerinin yüksek kapasite,
oda koşullarına yakın koşullarda hızlı şekilde hidrojen soğurma ve salma, tekrarlanabilirlik
gibi bazı özelliklere sahip olması gerekmektedir. Amerika Enerji Bakanlığının verilerine göre
2015 yılında bu sistemlerin kütlece kapasitesinin %5.5, maksimum çalışma sıcaklığının 60oC
olması ve 1500 çevrim boyunca aynı performansla kendilerini tekrarlayabilmesi hedeflenmektedir. Bu hedeflere diğer sistemlere göre daha yakın olan LiNH2/MgH2 karışımı üzerinde
çalışmalar yoğun şekilde devam etmektedir.
Yapılan çalışmada LiNH2/MgH2 karışımının termodinamik özellikleri termogravimetrik
analiz (TGA) ve diferansiyel taramalı kalorimetre (DSC) yöntemleriyle incelendi.
Termodinamik ölçümler öncesinde, karışıma CaH2 ve Ca(BH4)2 malzemeleri katalizör olarak
eklendi ve bu bileşiklerle birlikte karışım mekanik öğütme yöntemiyle öğütüldü. Katalizör
kullanılmadan hazırlanan karışımda, hidrojen salma reaksiyonu 187oC de gerçekleşirken,
katalizör olarak Ca(BH4)2 kullanılan karışımda aynı reaksiyonun 15oC daha düşük sıcaklıkta
172oC de gerçekleştiği gözlemlendi. Ayrıca çalışma kapsamında Fourrier dönüşüm kızıl ötesi
(FTIR) tekniği ile karışımın yapısal analizi yapılarak farklı öğütme parametrelerinin karışımın
yapısı üzerindeki etkileri incelendive LiNH2/MgH2 karışımının LiH/Mg(NH2) karışımına
dönüştüğü gözlendi.
14
P08
Kimyasal püskürtme ve daldırmalı kaplama tekniği ile üretilen
katmanlı ZnO ince filmlerin optik özellikleri
Ebru Güngör ve Tayyar Güngör
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15100 Burdur
Fotovoltaik türdeki çalışmalarda yoğun şekilde tartışılan Zn-tabanlı saydam oksit yapılar,
çeşitli türde alttaşlar üzerine farklı yöntemler kullanılarak biriktirilebilmektedir. Bu çalışmada
ZnO saydam oksit ince filmler, farklı iki yöntemle hazırlanmış ve optik özellikleri
karşılaştırmalı olarak tartışılmıştır. Her iki yöntem için çinko asetat dihidrat
(Zn(CH3COO)2·2H2O) (%99.9, Merck) tuzu, methanol ve kristalleşmeyi engelleyecek uygun
kimyasallar ile aynı molaritede hazırlanarak, mikroskop cam üzerine, tek ve çok katmanlı
biçimde Kimyasal Püskürtme (KP) ve Daldırmalı Kaplama tekniği (DK, Dip Coating)
kullanılarak biriktirilmiştir. KP teknikle, cam alttaş üzerine tek katmanlı olarak biriktirilen
örnekler ilk grubu oluşturmaktadır. İkinci grup; DK teknikle cam alttaşın her iki yüzünde bir
ve daha fazla katmanlı biçimde biriktirilen filmlerdir. Son grup örnekler için, bir yüzüne KP
teknikle ZnO film kaplanan cam alttaşın aynı yüzüne, DK teknikle birden fazla katmanlı
olacak biçimde ZnO film kaplaması yapılmıştır. DK teknikle hazırlanan örneklerin tümü,
belirli bir ısıl işleme maruz bırakılmıştır. Farklı yöntemlerle hazırlanmış olan filmlerin optik
sabitleri, 300–900 nm dalgaboyu aralığında elde edilen optik geçirgenlik spektrumların nokta
tabanlı kısıtlamasız minimizasyon algoritmalarının değerlendirilmesi ile belirlenmiştir.
15
P09
Tip-II kuantum nokta nanokristal yapıdaki ekzitonların optik özellikleri
F. Koç1,*, A. Aktürk1, M. Şahin1, ve A. Erdinç2
1
2
Selçuk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 42075 Konya, Türkiye
Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039 Kayseri, Türkiye
Bu çalışmamızda, tip-II bir kuantum nokta (çekirdek–kabuk) nanokristal yapıdaki ekziton ve
ikili ekzitonların optik özellikleri incelendi. Bunun için etkin kütle yaklaşımı kullanıldı.
Öncelikle, Poisson–Schrödinger denklemi öz-uyumlu bir şekilde çözülerek yapının elektronik
özellikleri belirlendi. İkili ekzitonlarda kuantum çok parçacık etkileri, yerel yoğunluk
yaklaşımı altında ele alındı. Bulunan dalga fonksiyonları ve enerji değerleri kullanılarak
ekzitonların örtüşme integralleri, osilatör şiddetleri, yaşam süreleri, soğurma katsayıları
hesaplandı. Sonuç olarak tip-II kuantum nokta çekirdek–kabuk nanokristal yapılarda optik
özelliklerin çekirdek çapı ve kabuk kalınlığına sıkı bir şekilde bağlı oldukları gözlendi.
References:
[1] Klaus D.Sattler, Handbook of Nanophysics, “Nanoparticles and Quantum Dots” (2011).
[2] Takuma Tsuchiya, Physica E 7, 470 (2000).
[3] M. Sahin, S. Nizamoglu, A. E. Kavruk, and H. V. Demir, J. Appl. Phys. 106, 043704 (2009).
[4] M. Califano, A. Franceschetti, and A. Zunger, Phys. Rev. B 75, 115401 (2007).
[5] B. Aln, J. Bosch, D. Granados, J. Martnez-Pastor, J. M. Garca, and L. Gonzlez, Phys. Rev. B 75, 045319
(2007).
[6] J. Shumway, A. Franceschetti, and Alex Zunger, Phys. Rev. B 63, 155316 (2001).
[7] S. Adachi, Properties of Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors (Wiley, 2005).
[8] J. M. Thijssen, Computational Physics (Cambridge University Press, 1999).
[9] J. P. Perdew and A. Zunger, Phys. Rev. B 23, 5048 (1981).
16
P10
ABO3 sistemlerinde simetrik spin hamiltoniyenleri
Hasan Şevki Mert ve Gülistan Mert
Fizik Bölümü, Selçuk Üniversitesi, Konya
ABO3 sistemlerinde Pbnm uzay grubunda kristalleşen manyetik bileşiklerin spin dönüşüm
özelliklerinden hareketle uzay grubu altında değişmez (invaryant) kalan ikinci mertebeden
spin hamiltoniyenleri indirgenemez temsillerin taban vektörleri cinsinden türetilmiştir. Bunun
için Bertaut‟un geliştirdiği makroskobik metot kullanılmıştır [1,2].
Referanslar:
[1] E. F. Bertaut, Comptes Rendus de l`Académie des Sciences 252, 76 (1961).
[2] E. F. Bertaut, J. Phys. Chem. Solids 21, 256 (1961).
17
P11
Bükümlü femtotellerle yoğun madde tasarımı: Bükücü tanımı
T. Şengör
Yıldız Teknik Üniversitesi, Elektrik-Elektronik Fakültesi, Elektronik ve Haberleşme
Mühendisliği Bölümü, Davutpaşa Yerleşkesi, Esenler, 34220 İstanbul
Bu makalede, tümleşik elektronik sistemlerde kapasitif elemanların gerçeklenmesinde
karşılaşılan güçlüklerin üstesinden gelmeye elverişli yoğun madde yapılarının tasarımı
üzerinde çalışılarak uygun bir yapay eleman oluşturulmuştur. Yapay elemanın oluşumu,
büküm noktaları civarındaki ve süreksizliklere sahip elektromagnetik olayların karakteristiklerinden yararlanılarak tasarlanmıştır. Büküm noktalarının varlığından kaynaklanan
problemler, bükümlü koordinat sistemleri kullanılmak suretiyle aşılmıştır. Bu türden
süreksizliklerin en basit formu, biri içbükey diğeri dışbükey iki yarım çember halindeki ince
telin, nanotelin ve/veya femtotelin bir ve yalnız birer ucundan birleştirilmeleri yoluyla
gerçeklenebilir. Bahsedilen bu formdaki yapılar bükücü (inflector) olarak tanımlanmıştır.
Genel halde bükücü, en az bir bükülme noktasına sahip ve zamanla değişen bir potansiyel
dağılımı taşıyan bir ince (ideal olarak kalınlıksız) ve kısa bir çizgi (yol, yörünge, path) olarak
tanımlanmıştır. Bükücü devre ve/veya sistem elemanının gösterdiği potansiyel değişimleri
bükümlü tel üzerindeki uzamsal koordinatlara bağlıdır. Dalga ve Schrödinger denklemlerinin
bükümlü dairesel silindirik koordinatlar sisteminde çözümü genişletilmiş ayırma yöntemi ile
verilmiştir [1]–[8]. Bazı faydalı yoğun madde yapılarının geliştirilmesi üzerinde çalışılmıştır.
Referanslar:
[1] Leo C. Kempel, John L. Volakis, Thomas B. A. Senior, S. Stanley Locus, and Kenneth M. Mitzner,
“Scattering by S-Shaped Surfaces,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation, AP-41, 701–708 (1993).
[2] Prabhakar H. Pathak and Ming C. Liang, “On a Uniform Asymptotic Solution Valid Across Smooth Caustics
of Rays Reflected by Smoothly Indented Boundaries,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation,AP-38,
1192–1203 (1990).
[3] Hiroyoshi Ikuno and Leopold B. Felsen, “Complex Ray Interpretation of Reflection from Concave-Convex
Surfaces,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation,AP-36, 1260–1271 (1988).
[4] Hiroyoshi Ikuno and Leopold B. Felsen, “Complex Rays in Transient Scattering from Smooth Targets with
Inflection Points,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation, AP-36, 1272–1280 (1988).
[5] Taner Şengör, “Contribution of Inflection Points to Field,” Electronics Lett.AP-34, 1571–1573 (1988).
[6] Taner Şengör, Static field near inflection points” Helsinki Univ. Tech. Electromagnetics Lab. Rept. 350, Jan
2001.
[7] Taner Şengör, “Contribution of Inflection Points to waves,” Electronics Lett.AP-35, 1593-1594 (1999).
[8] Taner Şengör, Static field near inflection points, Helsinki Univ. Tech. Electromagnetics Lab. Rept. 351, Jan
2001.
18
P12
Kuantum kuyu lazerlerin çift farklı yapılar kullanılarak incelenmesi
Sinan Yaşar1, İsmail Bilican2, Bünyamin Şahin2, Sedat Ağan2, ve İhsan Uluer2
1
Mustafa Kemal Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Hatay
2
Kırıkkale Üniversitesi, Fen- Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Kırıkkale
Bu çalışmada, günümüzde nano teknolojik uygulamalarda bir çok araştırmacının dikkatlerini
üzerine çeken kuantum kuyu lazerlerin simülasyon yoluyla üretimi ve analizi yapılmıştır. Bu
açıdan mevcut çalışmalar takip edilmiş 5 ayrı farklı yapılı kuantum kuyu malzemesinin çeşitli
kompozisyon ve konfigürasyonlarda dizaynı ile 25 farklı yapı ayrı ayrı incelenmiştir. Lazer
yapılar simülasyonda dizayn edilirken Fabry–Parot ve Fabry–Parot Ridge tipi lazer yapı
olarak iki farklı konfigürasyonda ele alınmıştır. Her yapının bölge bölge (aktif bölge, kuantum
kuyu bölge, bariyer ve hapis bçlgeleri gibi) Bant–Enerji grafikleri ve değerleri, kırılma indisli
profili ve değerleri, katkı oranları (n tipi ve p tipi bölgeler için) profili ve değerleri
üretilmiştir. Ayrı ayrı her yapıda kullanılan malzeme kompozisyonları tasarlanmış ve işleme
konulmuştur. İstenilen sıcaklık değerleri ve taşıyıcı yoğunlukları ayarlamarak malzeme
kazançları hesaplanmıştır. Pik–kazanç grafikleri ve verileri çıkarılmıştır. Kendiliğinden ışıma
grafik ve değerleri üretilmiştir. Elde edilen tüm bu spnuçlar literatürle karşılşatırılmış ve
uyum içerisinde olduğu görülmüştür.
19
P13
Role of annealing time and temperature on structural and superconducting
properties of (Bi,Pb)-2223 thin films produced by sputtering
G. Yildirim*, A. Varilci, M. Akdogan, S. Bal, G. Ozdemir, C. Terzioglu, M. Dogruer**,
and E. Yucel
*Abant Izzet Baysal University, Department of Physics, Bolu–Turkey 14280
**Mustafa KemalUniversity, Department of Physics, Hatay–Turkey 31034
This study reports the effect of annealing time (15 m, 1.5 h, and 3 h) and temperature (850,
860, and 870 °C) on the structural and superconducting properties of thin films by means of
scanning electron microscopy (SEM), X-ray analysis (XRD), electron dispersive X-ray
(EDX), resistivity and transport critical current density (Jc) measurements. Zero resistivity
transition temperatures (Tc) of the films produced are estimated from the dc resistivity
measurements. In addition, the phase and lattice parameters are determined from XRD
patterns when the microstructure, surface morphology and element composition analyses of
the samples are investigated by SEM and EDX measurements, respectively. The results
indicate that Tc values of the films obtained are observed to be in a range of 23–102 K. The Tc
of the film annealed at 870 °C for 3 h is found to be the smallest (23 K) while the film
annealed at 860 °C for 3 h is noted to obtain the maximum Tc value (102 K). On the other
hand, the maximum (minimum) Jc is found to be about 2068 A/cm2 (20 A/cm2) for the film
annealed at 860 °C for 3 h (870 for 3 h). Moreover, according to the refinement of cell
parameters done by considering the structural modulation, the greatest Bi-2223 phase fraction
is noticed to belong to the film annealed at 860 °C for 3 h. Furthermore, SEM measurements
show that the best surface morphology, largest grain size and grain connectivity are observed
for that film. Based on these results, Tc and Jc values of the samples studied are found to
depend strongly on the microstructure. As for EDX results, the elements used for the
preparation of samples are observed to distribute homogeneously. The aim of this study is not
only to investigate the changes of structural and superconducting properties of the films
produced in the varied time and temperature but also to determine the best ambient for the
film fabrication and show the feasibility of obtaining Bi-2223 film with tailored structure.
20
P14
Effect of MgB2 addition on the structural and superconducting properties of
(Bi,Pb)-2223 superconducting ceramics
M. Dogruer, G.Yildirim, Y. Zalaoglu*, G. Ozdemir, S. Bal, E. Yucel**, A. Varilci,
and C. Terzioglu
Abant Izzet Baysal University, Department of Physics, Bolu–Turkey 14280
*Mustafa KemalUniversity, Department of Physics, Hatay–Turkey 31034
** Osmaniye Korkut Ata University, Department of Physics Osmaniye-Turkey 80000
This study deals with the effect of MgB2 addition on structural and superconducting
properties of Bi1.8Pb0.4Sr2(MgB2)xCa2.2Cu3.0Oy ceramics with x = 0, 0.03, 0.05, 0.1, 0.3, 0.5,
and 1 by means of X-ray analysis (XRD), scanning electron microscopy (SEM), electron
dispersive X-ray (EDX) and resistivity measurement. Zero resistivity transition temperature
(Tc) of the samples produced via the Standard solid-state reaction method is estimated from
the dc resistivity measurements. Moreover, the phase fraction and lattice parameters are
determined from XRD measurements when the microstructure, surface morphology and
element composition analyses of the samples are investigated by SEM and EDX
measurements, respectively. It is found that Tc values increase from 109 K to 114 K.
According to the refinement of cell parameters done by considering the structural modulation,
the MgB2 addition is confirmed by both an increase of the lattice parameter c and a decrease
of the lattice parameter a of the samples in comparison with that of the pure sample. SEM
measurements show that not only do the surface morphology and grain connectivity degrade
but the grain sizes of the samples decrease with the increase of the MgB2 addition, as well.
21
P15
Investigation of some physical and magnetic properties of Mn doped BI-2223
Superconducting ceramics
S. Bal, G. Yildirim, Y. Zalaoglu*, M. Dogruer, M. Gulen, C. Terzioglu, A. Varilci,
and E. Yucel**
Abant Izzet Baysal University, Department of Physics, Bolu–Turkey 14280
*Mustafa KemalUniversity, Department of Physics, Hatay–Turkey 31034
** Osmaniye Korkut Ata University, Department of Physics, Osmaniye-Turkey 80000
In this study, the structural and superconducting properties of Mn added Bi-2223
superconductors are investigated by X-ray diffraction analysis (XRD), scanning electron
microscopy (SEM), electron dispersive X-ray (EDX), resistivity, and transport critical current
density (Jc) measurements. Based on the resistivity measurements, Tc values are obtained to
decrease from 109 K to 85 K; likewise, Jc values are observed to reduce from 3200 A/cm2 to
125 A/cm2 with the increase in the Mn addition. Moreover, resistivity measurements are
carried out under varied applied magnetic fields of 0.0, 0.3, 0.7, 1.0, 2.0, 4.0, and 7 T. It is
obtained that the Tc decreases with increasing the strength of the applied magnetic field. The
phase and lattice parameters are also determined from XRD measurements. It is observed that
the Mn addition is confirmed by both an increase of the lattice parameter a and a decrease of
the cell parameter c of the samples in comparison with that of the pure sample (Mn0). As for
SEM images, the grain sizes of the samples studied in this work are found to decrease with
the increase of the Mn doping. Furthermore, the surface morphology and grain connectivity
are suppressed. The EDX results gives that not only the elements in the samples distribute
homogeneously but also the Mn atoms enter into the crystal structure by replacing Sr and Cu
atoms.
22
P16
LaAg ve LaZn bileşiklerinin ab initio yöntemle yapısal, elektronik, ve fonon
özellikleri
N. Arıkan1 ve M. Çivi2
1
2
İlköğretim bölümü, Ahi Evran Üniversitesi, 40100 Kırşehir
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara
CsCl (B2) yapıdaki LaAg ve LaZn bileşiklerinin, yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) ve
genelleştirilmiş eğim yaklaşımı (GGA) kullanılarak, yapısal, elektronik, ve fonon özellikleri
hesaplandı. Hesaplanan örgü sabitleri, bulk modülleri ve bulk modüllerinin basınca göre
birinci türevleri literatürdeki deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırıldı. Elektronik bant
yapıları, toplam ve kısmi durum yoğunlukları temel simetri yönleri boyunca çizildi ve her iki
bileşiğin de metalik karakter gösterdiği bulundu. Fonon dispersiyon eğrileri ve durum
yoğunlukları, yoğunluk fonksiyonel perturbasyon teorisi kullanılarak hesaplandı. Brillioin
bölge merkezindeki optik frekansları LaAg için 93.429 cm–1 ve LaZn için 111.064 cm–1
olarak bulundu.
23
P17
Karbonmonoksit molekülünün NiAl(110) yüzeyine tutunması ve elektronik yük
yoğunluğu durumu
Meryem Evecen1 ve Mehmet Çakmak2
1
2
Fizik Bölümü, Fen Edebiyat Fakültesi, Amasya Üniversitesi, Amasya
Fizik Bölümü, Fen Edebiyat Fakültesi, Gazi Üniversitesi, 06500, Ankara
Karbon monoksit (CO) molekülünün NiAl(110) yüzeyine tutunması yoğunluk fonksiyoneli
teorisi (DFT) kullanılarak incelenmiştir. Tutunma işlemi için yüzey üzerinde yüksek simetrili
tutunma noktaları kullanılmış ve tutunma mekanizması tartışılmıştır. CO molekülünün yüzey
üzerindeki Ni atomuna tutunması, en düşük enerjili model olarak bulunmuştur. Bu sonuç
literatürdeki teorik ve deneysel çalışmalarla uyumludur [1,2]. Biz bu model için CO
molekülünün NiAl(110) yüzeyine tutunmasının elektronik yük yoğunluğu durumunu
inceledik. Hem CO 5σ bağı hem de CO 2π* antibağından gelen katkılarla Ni–C bağının
oluştuğu görülmüştür. Ayrıca NEB (Nudged Elastic Band) algoritması kullanılarak reaksiyon
yolu incelenmiştir. Son olarak, CO/NiAl(110) ile hidroksil (OH)/NiAl(110) tutunmalarında
kimyasal bağın özellikleri karşılaştırılmıştır.
Referanslar:
[1] C. H. Patterson and T. M. Buck, “The binding site of CO on NiAl(110) determined by low energy ion
scattering”, Surf. Sci., 218, 431–451 (1989).
[2] M. E. Grillo, G. R. Castro, and G. Doyen, “Theory of carbon monoxide adsorption on NiAl(110)”, J. Chem.
Phys. 97, 7786–7797 (1992).
24
P18
Nikel nanoparçacıkları eklenmesinin polimer tabanlı kimyasal soğurucular
üzerine etkisi
Elerman Y.1, Bilenko D. I.2, Kardash М. M.3, Dinçer I.1,Tozkoparan O.1, Yıldırım O.1,
Terin D. V.2,3, Galushka V. V.2, Tyurin I. A.3, Ainetdinov D. V.3
1
2
Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06100, Tandoğan, Ankara, Türkiye,
Saratov Devlet Üni., Nano ve Biyomedical Teknolojiler Fakültesi, 410012, Saratov, Rusya
3
Saratov Devlet Üniversitesi, EngelsTeknoloji Enstitüsü, Engels, Rusya
Günümüzde özellikle temiz su kaynaklarının azalmasıyla, temiz su elde etme çalışmalarının ve su
artımının önemi artmıştır. Artan bu önem doğrultusunda, çalışmamızda yüksek verimli, poliakrilonitril
(PAN) fiber -«POLYCON K» [1] tabanlı kimyasal soğurucular elde etmeye çalışılmıştır. Bu
çalışmada -«POLYCON K» tabanlı soğuruculara nikel nanoparçacıkları yerleştirerek daha verimli
soğurucular üretilmiştir.
a
b
c
Şekil.1 İçerdikleri Nanoparçacık oranına göre fiber tabanlı kimyasal soğurucuların TEMgörüntüleri
«POLYCON K»: PAN (a), PAN + 1.5% Ni (b), PAN + 5% Ni (c)
Nikel nanoparçacıkları Plazma Ark Buharlaştırma Tekniği ile üretilmiş ve nanoparçacıklar fiber
yapıya yerleştirilmeden önce yapısal ve manyetik özellikleri incelenmiştir. Nano-parçacıkların yapısal
özellikleri Geçirimli Elektron Mikroskobu (TEM), Taramalı Elektron Mikrokobu (SEM) ve Atomik
Kuvvet Mikroskobu (AKM) görüntülemeleriyle bulunmuştur. Nanoparçacıkların manyetik
özelliklerini bulmak amacıyla Titreşimli Örnek Manye-tometresinde manyetik alana bağlı ve sıcaklığa
bağlı mıknatıslanma ölçümleri alınmıştır. Nanoparçacıkların manyetik bölme yapısı ve manyetik alana
bağlı özellikleri Manyetik Kuvvet Mikroskobu görüntülemelerinden bulunmuştur. Fiber yapıya
nanoparçacıkların eklenmesi, fiberlerin yapısal ve yüzey özelliklerinde değişikliklere sebep
olmaktadır. Fibere Nikel nanoparçacıkların yerleştirilmesi yüzeydeki boşluklu yapıların yoğunlunu
arttırmış ve daha düzenli bir yapıya getirmiştir. Nikel nanoparçacıkların yapıya girmesi, fiberin
yapısın-daki kıvrımları yok etmiş ve yüzeyde küresel yapılar oluşmasına neden olmuştur (Şekil.1).
Yapısına nikel nanoparçacıklar yerleştirilmiş fiberlerin elektirksel özellikleri incelenmiş ve kompleks
dielektrik geçirgenliği bulunmuştur. Fiberlerin soğurucu özeliklerini bulmak ve nikel nanoparçacıkların bu özelliklere etkisini tanımlamak amacıyla su arıtımı testleri yapılmış ve yapısında nikel nanoparçacıkları bulunan fiber tabanlı kimyasal soğurucuların %45 daha fazla petrokimyasal soğurdukları
saptanmıştır.
Referans:
M. Kardash, Cation-exchange chemisorption fibrous materials «Polycon» based on oxidized PAN fiber,
M. Kardash, I. Tyurin, and Y. Volfkovich, Conf. Proc. Ion transport in organic and inorganic membranes,
Krasnodar, Russia, 6–11 June 2011, pp. 77–78.
Teşekkür: Bu çalışma RFBR (10-08-91219-CT-a, 10-08-0074-a, Rusya), ve TÜBİTAK (209T054) numaralı
projeler çerçevesinde desteklenmektedir.
25
P19
Polimer tabanlı kimyasal soğuruculara demir nanoparçacıkları yerleştirilmesinin
soğurucu özelliklere etkisi
Elerman Y.1, Bilenko D. I.2, Kardash М. M.3, Dinçer I.1,Tozkoparan O.1, Yıldırım O.1,
Terin D. V.2,3, Galushka V. V.2, Tyurin I. A.3, Ainetdinov D. V.3
Saratov Devlet Üni., Nano ve Biyomedical Teknolojiler Fakültesi, 410012, Saratov, Rusya
3
Saratov Devlet Üniversitesi, EngelsTeknoloji Enstitüsü, Engels, Rusya
1
2
Çalışmamızda, yüksek performanslı, fenol, formaldehit, sülfürik asit, poliakrilonitril (PAN) fiber-«POLYCON
K» [1] tabanlı katyon değişimli kimyasal soğurucuların üretilmesi amaçlanmıştır. Biz bu çalışmada PAN fiber
tabanlı «POLYCON K» soğuruculara demir nanoparçacıkları yerleştirerek yapısal ve elektriksel özelliklerindeki
değişimleri inceledik [2–4].
a
b
c
Şekil.1 «POLYCON K»: PAN (a), PAN + 1.5% Fe (b), PAN + 5% Fe (c) yapılarının SEM görüntüleri.
Demir nanoparçacıkları fiber yapıya yerleştirilmeden önce yapısal ve manyetik özellikleri incelenmiştir. Yapısal
özellikleri ve şekillerini bulmak amacıyla Geçirimli Elektron Mikroskobu (TEM), Taramalı Elektron
Mikroskobu (SEM) ve Atomik Kuvvet Mikroskobu görüntülemeleri yapılmıştır. Yapılan görüntülemelerden
parçacıkların ortalama büyüklükleri ve şekilleri tespit edilmiştir. Demir nanoparçacıklarının manyetik özellikleri
Titreşimli Örnek Manyetometresi (VSM) ve Manyetik Kuvvet Mikroskobu (MKM) ile incelenmiştir. VSM ile
manyetik alana ve sıcaklığa bağlı manyetik özellikleri ve MKM ölçümlerinden nanoparçacıkların manyetik
bölme yapıları bulunmuştur. Önceki çalışmalarda belirtildiği üzere monomer-izomerizasyon yapılarına yabancı
bir faz ekleyerek bu yapının geçiş tepkimesinin kinetiğinde ve ısıl özelliklerinde değişiklikler oluşturulabilmektedir. Nanoparçacıkların yapıya yerleştirilmesiyle geçiş tepkimesindeki ısıl etkinin arttığı ve ısıl pikin
daha düşük sıcaklıklara kaydığı gözlenmiştir. Nanoparçacıkların fiber yapıya yerleştirilmesiyle, yapının temel
özelliklerinde değişiklikler olmuştur, fiber yapının yüzeyi, oluşan boşluklu yapılar açısından daha yoğun ve
homojen hale gelmiştir. Yapıdaki demir nanoparçacığı oranı artıkça fiberin kıvrımlı karakteri yok olmuş ve bazı
küresel yapılar oluşmaya başlamıştır (Şekil.1). Elektriksel özellikleri ve kompleks dielektrik geçirgenliği bulmak
amacıyla frekansa bağlı sığa ölçümleri yapılmış ve dielektrik kayıpları bulunmuştur. Elde edilen kimyasal
soğurucuların teknolojiye yönelik uygulamalarını belirlemek amacıyla su artımı yapılmış ve demir
nanoparçacıklarının bulunduğu soğurucular %25 oranında daha fazla petrokimyasal soğurmuştur.
Kaynaklar:
[1] M. Kardash Cation-exchange chemisorption fibrous materials «Polycon» based on oxidized PAN fiber, Kardash M.,
Tyurin I., Volfkovich Y., Conf. Proc. Ion transport in organic and inorganic membranes, Krasnodar, Russia, 6–11 June 2011,
pp. 77–78.
[2] D.I. Bilenko, „Investigation of nanodisperse Fe and Ni properties‟, Bilenko D. I., Galushka V. V., Dobren'kii E. A., Terin
D. V., Elerman Y., Conf. Proc. APED-2010, Saratov, Russia, 22–23 September 2010, pp.149–150.
[3] Y. Elerman, Magnetic nanoparticles and measurement techniques in nanotechnology, Proc. III Inter. Workshop,
“Nanoparticles, nanostructured coatings, and microcontainers: nanotechnology, properties, applications”, Antalya, Turkey,
5–9 May 2011, Saratov, 2011, pp.11–12.
[4] O. Tozkoparan Magnetic characterization of Fe nanoparticles, Proc. III Inter. Workshop «Nanoparticles, nanostructured
coatings and microcontainers: nanotechnology, properties, applications» Antalya, Turkey, 5–9 May 2011, pp.33–37.
Teşekkür: Bu çalışma RFBR (10-08-91219-CT-a, 10-08-0074-a, Rusya), ve TÜBİTAK (209T054) numaralı projeler
çerçevesinde desteklenmektedir.
26
P20
LBL ince filmlerde katman sayısının ve yapısının
manyetik özellikler üzerine etkisi
Onur Tozkoparan1, Oğuz Yıldırım1 , İlker Dinçer1, Yalçin Elerman1*, Sergey V.
German2, Alexey V. Markin2, Gennady B. Khomutov3,4, Dmitry A. Gorin2,
ve Sergey B. Wenig2
1
2
Saratov Devlet Üni., Nano ve Biyomedical Teknolojiler Fakültesi, 410012, Saratov, Rusya,
3
M. V. Lomonosov Moskova Devlet Üniversitesi, Fizik Bölümü, 119992 Moskova, Rusya,
4
Nanoteknoloji ve Mikroelektronik Enstitüsü (RAS), 119992, Moskova, Rusya
Layer by layer (LBL) tekniği, zıt yüklü polimerleri, ince film yüzeyine biriktirmek için çok sık
kullanılan bir yöntemdir. LBL yöntemi diğer ince film üretim tekniklerine göre daha ucuz ve daha
kolay uygulanabilir olmasının yanı sıra yüksek kalitede ince filmler elde edilebilmesiyle günümüzde
önemli bir yere sahiptir. Ayrıca LBL yöntemi ile manyetik nanoparçacıklar da ince film üzerine
başarılı bir şekilde biriktirilebilmektedir [1]. LBL tekniği ile manyetik nanoparçacık içeriğine sahip
katmanları, zıt yüklü polielektrolit katmanlarının arasına belirli bir düzende yerleştirerek, farklı
manyetik özelliklere sahip ince filmler elde edilebilmektedir. LBL yöntemi kalınlığı 1µm nin altında
çok katmanlı polielektrolit ince filmler üretmeye olanak sağlamaktadır [1]. Bu özelliklerinden dolayı
LBL yöntemi, spin kaplama ve Langmuir–Blodgett gibi ince film üretim yöntemlerine daha avantajlı
bir yöntemdir. Günümüzde LBL yöntemi ile üretilmiş ince filmlerin yapısal ve optik özellikleri birçok
çalışmaya konu olmuştur, fakat manyetik özelliklerinin araştırılması ve geliştirilmesi üzerine yeteri
kadar çalışma yapılmamıştır. Bu çalışmada, değişik yapıdaki katmanların ve katman sayısının
manyetik özelliklere etkisini incelenmiştir. İnce filmler farklı düzenlerde polielektrolit ve manyetik
nanoparçacık katmanlarından oluşmuş ve LBL tekniği ile üretilmiştir. Manyetik nanoparçacık olarak
Magnetit (Fe3O4) nanoparçacıkları kullanılmıştır. Örneklerin yapısal özellikleri Atomik Kuvvet
Mikroskobu (AKM), Raman Spektroskopisi, Dynamic Light Scattering ve Geçirimli Elektron
Mikroskobu ile incelenmiştir. İnce filmlerin manyetik özellikleri ise Titreşimli Örnek Manyetometresi
ve Manyetik Kuvvet Mikroskobu (MKM) ile incelenmiştir. Örnekler PEI/(Fe3O4/PAH)6; (II)
PEI/(Fe3O4/PAH)11; (III) PEI/(Fe3O4/PAH)16 şeklinde hazırlanmıştır. Yapılan AKM ölçümlerinde
(Şekil 1), örneklerin yüzey pürüzlülükleri sırasıyla 5,62 nm, 6,29 nm, 5,93 nm olarak bulunmuştur.
MKM ölçümlerinden örneklerin manyetik bölme yapısı ve manyetik alana bağlı kuvvet gradyentleri
bulunmuştur. Farklı sıcaklıklarda yapılan mıknatıslanma ölçümlerinden doyum mıknatıslanmaları ve
bunlara bağlı olarak manyetik geçirgenlikleri bulunmuştur.
Şekil 1. Atomik kuvvet Mikroskobu
görüntüleri (a-c), Manyetik kuvvet
Mikroskobu görüntüleri (b-d)
Kaynak:
[1] O. Tozkoparan, Oğuz Yıldırım ,İlker Dinçer, Yalçin Elerman, Sergey V.German, Alexey V. Markin,
Gennady B. Khomutov, Dmitry A. Gorin, Sergey B. Wenig, J. Mag. Mag. Mat., gönderildi.
Teşekkür: Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından, 209T054 no‟lu proje çerçevesinde desteklenmektedir.
27
P21
CuO ince filmlerin özellikllerinde çözelti molaritesinin etkisi
Şeyda Horzum Şahin*, Tülay Serin ve Necmi Serin
Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara
Bu çalışmada, CuO ince filmlerin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinde çözelti
molaritesinin etkisi incelenmiştir. CuO filmler cam alttabaka üzerinde sol–gel dip coating
yöntemiyle oluşturulmuştur. Molaritesi 0.06‟dan 0.28 molara değişen Bakır (II) asetat,
başlangıç çözeltisi olarak kullanılmıştır. X-ray kırınım (XRD) deseni sonuçları tercihli
yönelimin molariteye bağlı olarak değiştiğini göstermiştir. Ayrıca XRD sonuçları artan
molarite ile filmlerin kristalliğinin arttığını göstermiştir. Filmlerin geçirgenliği UV–vis
spektrumu ile belirlenmiş ve bu sonuçlardan filmlerin soğurum katsayısı hesaplanarak enerji
band aralığı değerleri hesaplanmıştır. Bu sonuçlar filmlerin band aralığının artan molarite ile
azaldığını göstermiştir. Filmlerin yüzey morfolojisi Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ile
incelenmiştir. AFM görüntüleri molarite artınca grainlerin büyüdüğünü göstermiştir. Filmlerin
iletkenliği 130–370 K aralığında ölçülmüştür. İletkenlik sonuçları aracılığıyla filmlerin
aktivasyon enerjisi, Debye uzunluğu, yüzey tuzak yoğunluğu ve fermi düzeyindeki durum
yoğunluğu farklı molariteler için hesaplanmıştır. Buna göre, XRD, AFM, UV, ve iletkenlik
ölçüm sonuçları grain boyutu, band aralığı ve iletkenlik değerlerinin artan molariteye göre
değiştiği göstermiştir. Çözelti molaritesine bağlı olarak CuO ince filmlerin farklı elektriksel
ve optiksel özellikleri optoelektronik ince film cihazları, ince film nem ve gaz sensörleri, ince
film güneş pilleri, vb. için uygulamarda yararlı olabilir.
28
P22
TbMg bileşiğinin yapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özelliklerinin
ilk ilkeler yöntemi kullanılarak incelenmesi
Yeşim Moğulkoç1, Yasemin Öztekin Çiftci2, Mehmet Kabak1, Kemal Çolakoğlu2
1
Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara
2
TbMg bileşiği x-ışınının çok kutuplu saçılımı tekniğinde test numunesi olarak kullanılan en
uygun sistemler olarak gösterilebilir. Bu bileşiğe ait birçok manyetik özellikler farklı
manyetik yapılarda incelenmiştir. Bu çalışmada TbMg bileşiğine ait temel fiziksel özelliklere
ait hesaplar, ilk-ilke (ab-initio) kuantum mekanik simülasyonu hesaplamalarında düzlem
dalga baz setleri üzerinde pseudo potansiyel ve PAW metodu kullanan kompleks bir yazılım
olan VASP (Vienna Ab Initio Simulation Package) paket programı kullanılarak yapılmıştır.
Bileşik için CsCl kristal yapısı kullanılarak örgü sabiti hesaplanarak, diğer deneysel ve teorik
çalışmalar ile karşılaştırılmıştır. Bulk modülü ve bulk modülünün türevi hesaplanmıştır.Young modülü, Shear modülü, Zener anizotropi faktörü ve Poisson oranı hesaplanmıştır.
Ayrıca elastik sabitleri bulunduktan sonra kullanılarak aynı zamanda Debye sıcaklıkları,
erime sıcaklıkları ve ses hızları hesaplanmıştır. Termodinamik özellikleri olarak; yarı harmonik Debye modeli kullanılarak hacmin basınçla değişimi incelenmiştir ve bazı termodinamik
özelliklerin basınçla ve sıcaklıkla değişimi incelenmiştir. Elektronik özellikleri olarak; bant
yapıları hesaplanmıştır ve bant ile uyumlu durum yoğunluğu eğrileri çizdirlmiştir.
29
P23
Farklı örgü ve spin değerlerine sahip çekirdek–kabuk nanoparçağın
büyüklüğe bağlı incelemesi
Rıza Erdem1, Zafer Demir2, ve Orhan Yalçın3
1
2
Fizik Bölümü, Akdeniz Üniversitesi, 07058, Antalya
Fen Bilimleri Enstitüsü, Niğde Üniversitesi, 51240 Niğde
3
Fizik Bölümü, Niğde Üniversitesi, 51240, Niğde
Farklı örgü ve farklı spin değerlerine sahip atomlardan oluşan homojen ve kompozit
yapılardaki çekirdek–kabuk nanoparçacıkların manyetik özellikleri büyüklüğe bağlı olarak,
denge istatistik mekaniğin bağ yaklaşım yöntemi (Kikuchi versiyonu) kullanılarak detaylıca
incelendi. Bu amaçla farklı örgü yapıları için parçacığın yarıçap değerine (R) göre çekirdek,
kabuk ve ara yüzey (çekirdek–kabuk) bölgelerinin içerdiği spin sayıları ve spinler arası bağ
sayıları belirlendi. Spinler arası dipol–dipol (J) etkileşmeli S=1/2 ve S=1 Ising model
Hamiltonyenleri vasıtasıyla farklı spin değerlerine karşılık gelen bağ enerjileri elde edildi.
Büyüklüğe bağlı olarak manyetik özelliklerinin incelendiği nanoparçacıkların bağ
değişkenleri, nanoparçacığı oluşturan spin sayılarını ve bağ enerjilerini kapsayacak şekilde
düzenlendi. Bağ değişkenleri kullanılarak, her bir parçacığın sıcaklıkla değişen mıknatıslanma
(manyetizasyon) davranışı hesaplandı. Ayrıca, bu bağ değişkenleri her bir sistemin histerezis
eğrilerinin elde edilmesinde de kullanıldı. Manyetizasyon ve histerisiz eğrileri, her bir
parçacığın manyetik özelliklerinin büyüklüğe bağlı olarak detaylıca araştırılmasında faydalı
olmaktadır. Homojen ve çekirdek–yüzey yapısındaki kompozit nanoparçacıkların tam ve
yarım spinler esas alınarak incelenmesinden elde edilen sonuçlar karşılaştırmalı olarak analiz
edildi.
30
P24
NdCo3 bileşiğinin elektronik band yapısı: Ab initio incelemesi
H. Özışık1, K. Çolakoğlu2, Y. Ö. Çiftci2, E. Deligöz1, E. Ateşer1 ve İ. Öner2
1
2
Aksaray Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Aksaray
Gazi Üniversitesi, Fen Fakiltesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara
NdCo3 bileşiğinin rhombohedral yapıda, yapısal ve lektronik özellikleri ab initio yöntemler
kullanılarak incelendi. Hesaplamalar genelleştirilmiş gradyant yaklaşımı (GGA-PBE)
kullanılarak yapıldı. Spin polarize elektronik band yapısı ilk Brillouin bölgesinde yüksek
simetri noktaları boyunce çizdirildi. Ayrıca toplam yük yoğunluğu ve orbital yük yoğunlukları
incelenerek yorumlandı.
31
P25
Katkılanmamış Ga3InSe4 tek kristallerinde ısıluyarılmış akım ölçümleri
M. Işık 1 ve N. Hasanli2
1
Atılım Üniversitesi, Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü
2
Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü
Katkılanmamış Ga3InSe4 kristallerinde 10–300 K sıcaklık aralığında tuzak seviyeleri
ısıluyarılmış akım ölçümleri tekniği kullanılarak incelendi. Tuzak seviyeleri çalışmasında
ölçümler, akımın kristalin c-ekseni doğrultusunda akması sağlanarak gerçekleştirildi. Deney
süresince 0.8 K/s sabit ısıtma hızı kullanıldı. Deneysel veriler aktivasyon enerjisi 62 meV olan
bir deşik merkezinin bulunduğunu gösterdi. Elde edilen akım–sıcaklık eğrisinin analizi, yavaş
geri tuzaklanmaya dayalı teorik modele uyumluluk gösterdi. Çalışılan kristallere büyütme
süresince herhangi bir katkılanma uygulanmadığından dolayı, gözlemlenen bu tuzak
merkezinin büyütme sırasında ortaya çıkan kusurlardan veya kasıtlı olarak eklenmeyen
safsızlıklardan kaynaklandığı düşünülmektedir. Tuzak merkezinin yakalama kesit alanı 1.0 
10–25 cm2 ve yoğunluğu ise 1.4 1017 cm–3 olarak hesaplandı.
32
P26
AgSc bileşiğinin yapısal, elastik, termodinamik ve fonon özellikleri: Bir ilk
prensipler çalışması
C. Çobana, Y. Ö. Çiftçib, Y. Moğulkoçc, ve K. Çolakoğlub
a
Balıkesir Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Çağış Kampüsü, 10145,
Balikesir
b
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, Ankara
c
Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği, Tandoğan Kampüsü, 06100,
Ankara
Bu çalışmada, kristal yapısı CsCl (B2) olan AgSc bileşiğinin yapısal, elastik, termodinamik ve
fonon özellikleri teorik olarak incelendi. Hesaplamalar, VASP programı kullanılarak,
Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi (DFT) ve genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA) temel
alınarak yapıldı. Optimize örgü sabiti, bulk modülü ve onun basınca göre birinci türevi
hesaplanarak sunuldu. Bunun yanında, ikinci dereceden elastik sabitler ve bunlara bağlı
nicelikler (Zener anizotropi faktörü, Young modülü, Poisson oranı, makaslama modülü)
hesaplandı. Elastik sabitlerin hesaplanmasında “zor–zorlama” yöntemi kullanıldı. Elastik
sabitler ve bunlara bağlı nicelikler ile basınç ilişkisi incelendi. Son olarak, termodinamik
özellikler, fonon dağılım eğrileri ve fonon DOS elde edilerek sunuldu. Sonuçlar, literatürde
yer alan mevcut sonuçlar ile karşılaştırıldı.
33
P27
Metal nanoparçacıklar yardımıyla güneş pillerinde plazmonik iyileştirmeler
M. Can Günendi, Gürsoy B. Akgüç, Oğuz Gülseren
Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bilkent 06800 Ankara
Günümüzde enerji kaynaklarının geliştirilmesi çok temel bir gereksinimdir. Fosil yakıtlara
kıyasla güneş enerjisi güvenli ve aynı zamanda en temiz (yeşil) ve ucuz enerji kaynaklarından
birisidir. Bu bağlamda, güneş enerjisinin verimli bir şekilde kullanımı son derece önemlidir.
Silisyum tabanlı güneş pillerindeki en büyük problemlerden birisı silisyum malzemesinin
dolaylı yasak enerji aralıklı bant yapısında olmasından ötürü düşük enerji çevirme oranları ve
kırmızı ve kızılötesi ışığı çok az soğurmasıdır. Silisyumun yasak enerji aralığı özelliğinden
dolayı soğurulamayan kırmızı ışık güneş ışığının önemli bir kısmını oluşturmaktadır.
Çözüm olarak uygulanabilecek güncel yöntemlerden bazıları güneş pili yarıiletken malzemesi
içine yerleştirilmiş metal nanoparçacıkların (MNP) gelen ışığı ışığın dalga boyundan daha
küçük bir mesafede yoğunlaştırıp kullanan antenler gibi işlev görmesi ve böylece MNP'leri
gelen ışığı güneş pili içerisine saçıcı yapılar olarak kullanıp kırmızı ışığın güneş pili
içerisindeki efektif yolunu uzatmak ve soğurulmasını sağlamaktır.
Soğurulma ve saçılma en çok plazmon rezonansları olduğu takdirde ortaya çıkmaktadır.
Plazmon rezonans bölgelerini sistemdeki çeşitli değişkenleri, örneğin MNP boyutları,
kullanarak istenilen değerlere taşımak mümkün olmaktadır. Bu çalışmada, sistem analizleri
için Finite-Difference Time-Domain (FDTD) metodu kullanıldı. FDTD; elektromanyetik
alanların, parçalara ayrılmış uzayda, sınırlı büyüklükteki zaman aralıklarında, Maxwell
denklemlerini sağlayacak şekilde ilerletilmesi, etkileştirilmesi olarak özetlenebilecek bir
yöntemdir. Çalışmadaki simülasyonlar için çoğunluklu olarak MIT'de geliştirilen MEEP
programı, kodu kullanıldı. Bunun yanında sonuçları karşılaştırmak, tutarlılığından emin
olmak için, çeşitli diğer yöntemler de kullanıldı; örneğin Discrete Dipole Approximation
(DDA). ZnO malzeme içerisine yerleştirilmiş çeşitli büyüklüklerdeki gümüş MNP‟ların
plazmon rezonans değerlerinin analizleri yapıldı ve kırmızı ışığın soğurulmasını sağlayacak
yeni sistem geometrileri, MNP dağılımları incelendi.
34
P28
ITO ince filmlerinin üretilmesi ve optik özellikleri üzerine ısıl tavlamanın etkisi
Emrah Sarıca, Vildan Bilgin, ve Barbaros Demirselçuk
Fizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17020, Çanakkale
Saydam iletken oksitler, sahip oldukları üstün fiziksel özellikler sebebiyle oldukça yaygın
çalışma alanına sahip materyallerdir. Saydam iletken oksit grubunun bir üyesi olan, direkt
bant geçişli bir yarıiletken malzeme olan ITO (indiyum kalay oksit), düşük elektriksel
özdirenç (<10–4 Ω·cm), yüksek optiksel geçirgenlik (~85–90%) ve geniş bant aralığı (3.6–4
eV arasında değişen) gibi özelliklerinden dolayı geniş bir endüstriyel uygulama alanına
sahiptir. Bu çalışmada; ITO filmler, %5 ve %7 Sn katkı oranlarında Ultrasonik Kimyasal
Püskürtme Tekniği kullanılarak cam tabanlar üzerine çöktürülmüştür. Filmlerin üretilmesinde
indiyum klorür [InCl3; 0.01 M] ve kalay klorür [SnCl2·2H2O; 0.01 M] tuzlarının sulu
çözeltilerinin belirli oranlarda karışımından elde edilen toplamda 200 ml‟lik çözelti
kullanılmıştır. Çöktürme sonrasında, filmler 500°C sıcaklıkta 1 saat süresince ısıl tavlama
işlemine maruz bırakılmıştır. Filmlerin optik ölçümlerinden faydalanılarak, geçirgenlik,
soğurma katsayısı, kırılma indisi ve yasak enerji aralığı gibi bazı optik parametreler
belirlenmiştir. Filmlerin geçirgenliklerinin Sn katkısıyla çok fazla değişmediği gözlenirken,
sıcaklıkta tavlamanın %5 Sn katkılı filmlerin geçirgenliklerini biraz arttırdığı gözlenmiştir.
Filmlerin yasak enerji aralıklarında ise katkılama ve ısıl tavlama süreçleri sonucunda önemli
bir değişim gözlenmemiş olup ve tüm filmler için ~4 eV olarak hesaplanmıştır.
35
P28
Katkısız ve V katkılı ZnO ince filmlerinin manyetik karakterizasyonu
Emrah Sarıca, Vildan Bilgin, ve Barbaros Demirselçuk
Fizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17020, Çanakkale
Günümüz teknolojisinde önemli bir yere sahip olan manyetik malzemeler üzerine yapılan
çalışmalar büyük ilgi çekmektedir.Bu çalışmada da ZnO ince filmlerinin, geçiş
elementlerinden olan ve manyetik özellik sergileyen vanadyum elementi ile katkılanmasının,
filmlerin manyetik özellikleri üzerine etkisi incelenmektedir. Katkısız ve farklı oranlarda
vanadyum katkılı ZnO ince filmleri, ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak
çözelti akış hızı 5ml/dk olacak şekilde, 400C taban sıcaklığında 30 dk süresince cam tabanlar
üzerine püskürtülerek çöktürülmüştür. Çinko kaynağı olarak 0.1 MZn(CH3COO)2·2H2O ve
vanadyum kaynağı olarak ise 0.1 M VCl3 sulu çözeltileri kullanılmıştır.
Üretilen tüm filmlerin manyetik özelliklerini incelemek amacıyla titreşimli örnek
magnetometresi (VSM) kullanılarak, malzemeler üzerine uygulanan dış manyetik alan etkisi
altında malzemelerin mıknatıslanması incelenmiştir. Elde edilen histerisis eğrilerinden
faydalanılarak filmlerin, doyum manyetizasyonu, kalıcı manyetizasyon ve zorlayıcı kuvvet
gibi manyetik özellikleri tespit edilmiştir. ZnO:V filmlerinin doyum ve kalıcı manyetizasyon
değerlerinin sırasıyla 3.40×10–31.34×10–2 emu/gr ve 1.82×10–48×10–4 emu/gr aralığında
değiştiği belirlenmiştir.
Teşekkür: Bu çalışma Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafından
desteklenmiştir. (Proje No: 2011/011)
36
P30
298–1400 K sıcaklık aralığında CdTe‟in ısı kapasitesi
D. Sarıateş1, H. Koç2 ve E. Eser 3
1
2
Yüksekokul, Teknik Programlar Bölümü, Alparslan Üniversitesi, Muş
Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Tokat
3
Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Çukurova Üniversitesi, Adana
Bu çalışmada, binomal katsayılar kullanılarak n-boyutlu Debye fonksiyonu hesaplanmış ve
termodinamik özellikler için basit ve güvenilir analitik ifadeler elde edilmiştir. Bulunan
analitik ifade kullanılarak 298–1400 K sıcaklık aralığında CdTe‟in ısı kapasitesi incelenmiştir.
İncelemeler sonunda elde edilen sonuçlar deneysel ve teorik çalışmalarla karşılaştırılmış ve
sonuçların uyum içinde olduğu görülmüştür.
37
P31
Püskürtme yöntemi ile hazırlanan ZnO ince filmlerin yapısal ve optiksel
özellikleri
Ö. Filazia, G. Altındemirb, C. Habiboğlub, F. Yavuzc, F. Kırmızıgülb, C. Ulutaşb,
E. Günerid , F. Gödec, ve C. Gümüşb
a
Adıyaman Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 02040 Adıyaman
b
Çukurova Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 01330 Adana
c
Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 15030 Burdur
d
Erciyes Üniversitesi Eğitim Fakültesi İlköğretim Bölümü, 38039 Kayseri
Bu çalışmada, püskürtme yöntemi kullanılarak 380oC de cam alttabanlar üzerine hayli
geçirgen ve polikristal olan ZnO ince filmleri elde edildi. X-ışınları kırınım (XRD) analizi
sonucundafilmlerin hekzagonal fazda büyüdükleri görüldü ve örgü parametreleri hesaplandı.
Filmlerin yüzey morfolojisi için taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanıldı. Oda
sıcaklığındaki optik ölçümlerden enerji bant aralıkları 3.27–3.32 eV olarak bulundu. İnce
filmlerin kırılma indisi (n) ve sönüm katsayısı (k) değerleri zarf yöntemi kullanılarak 400–
1100 nm arasında hesaplandı.
38
P32
İlk ilke yöntemiyle NaTaO3 kristalinin elektronik ve dinamik özelliklerinin
incelenmesi: Yoğunluk fonksiyoneli teorisinin uygulaması
Şevket Şimşek ve Süleyman Çabuk
Çukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330 Balcalı-Adana
Yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) altında yoğunluk fonksiyoneli teorisi (DFT) ve ab-initio
pseudo potansiyel yöntem kullanılarak ortorombik yapıda NaTaO3 kristalinin dinamik
özellikleri (elastik sabitlerini, Born efektif yükünü ve optik dielektrik sabiti) ve elektronik
özellikleri incelendi. Brillouin bölgesindeki yüksek simetri yönlerindeki band yapısı bulundu.
Ortorombik fazda NaTaO3 kristalinin doğrudan band aralığına sahip bir kristal olduğu görüldü
ve yasak enerji aralığı    simetri noktalarında 2.861 eV olarak bulundu. Parçalı ve toplam
durum yoğunluğu hesaplandı. Elde edilen sonuçlar teorik ve deneysel sonuçlarla
karşılaştırıldı.
39
P33
Tamsayılı kuantize Hall etkilinde yerel elektrik alan etkisi
Sinem Erden Gulebaglan1, Ismail Sokmen1, Afif Siddiki2, ve R. R. Gerhardts3
1
Dokuz EylülUniversitesi, Fen Fakültesi,Fizik Bölümü, Tinaztepe Kampüsü, 35100 Izmir,
Türkiye
2
Istanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi,Fizik Bölümü, Beyazit Kampüsü, Istanbul, Türkiye
3
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung,Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart,
Almanya
Kuvvetli manyetik ve elektirik alan altındaki iki boyutlu electron gazında yerel durum
yoğunlukları hesaplanmıştır. İlk olarak elektrik alan ve çarpışma etkileri yok olduğu durumda
Landau quantizasyonu ele alınmıştır. Tek bir yönde düzlemde elektrik alan delta fonksiyonu
şeklindeki Landau durum yoğunluğunda genişlemeye yok açmaktadır. Buradan konuma bağlı
olarak enerji özfonksiyonları elde edilebilir. Yerel durum yoğunluğunun elektrik alanının
şiddetine bağlılığı ifade edilmiştir.
40
P34
Ga katkılı ve katkısız CdO bileşiğinin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Gökhan Çabuk1, Senem Aydoğu1, M. Burak Çoban1,2, Aziz Uluışık1
1
2
Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampüs, Kütahya
Fizik Bölümü, Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Merkez Kampüs, Kocaeli
Katkısız ve Ga katkılı CdO ince filmleri kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak üretilmiştir.
75 mlt‟lik CdO çözeltisi 275oC taban sıcaklığına %0, %0.2, %0.4, %0.6, %0.8 oranlarında Ga
katkılarak elde edilen katkılı ve katkısısız CdO ince filmin yapısal özellikler x-ışını kırınımı
(XRD) ve optik özellileri ise optik absorbsiyon (UV spektometre) metodu ile analiz edilmiştir.
Böylece, Ga katkısının CdO ince filminin yapısında ve optik özelliklerindeki değişim
incelenmiştir.
41
P35
Al-Pb-Zn üçlü alaşımının termo-elektriksel özellikleri
Mehmet Özdemir1, Fatma Meydaneri2, Buket Saatçi3
1
2
Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Kimya Bölümü, 38039 Talas Kayseri
Karabük Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü,
78050, Karabük
3
Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039 Talas Kayseri
Al-Pb-Zn alaşımlarının ısı iletkenlik katsayıları radyal ısı akış metodu ile sıcaklığa ve
bileşime bağlı olarak ölçüldü. Isı iletkenlik katsayıları ve Lorentz değerlerinden yararlanarak
Wiedemann–Franz kanunu ve Smith–Palmer eşitliğinden elektriksel iletkenlik değerleri
hesaplandı. Smith–Palmer eşitliğine göre belirlenen elektriksel iletkenlik değerlerinin literatür
ile oldukça uyumlu olduğu belirlendi.
Teşekkür: Bu çalışmaErciyes Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri tarafından desteklenmiştir. Ayrıca
çalışmaların yürütüldüğü Fizik II Lab. sorumlusu Prof. Dr. Mehmet Gündüz‟e teşekkür ederiz.
42
P36
SnO2 ince filmlerinin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin
film kalınlığına bağlı incelenmesi
M. Ali Yıldırım, Yunus Akaltun*, Aytunç Ateş**, ve S. T. Yıldırım***
Fizik Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan
*Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan
**Malzeme Mühendisliği Bölümü, Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, 06030, Ankara
***
Kimya Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan
SnO2 ince filmleri, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) metodu
kullanılarak oda sıcaklığında cam taban malzemeleri üzerine büyütüldü. SnO2 ince filmleri
için, ([Sn(NH3)4]4+) kalay-amonyak kompleksi SnCl4 (% 99) ve NH3 (% 25–28)kullanılarak
hazırlandı ve başlangıç katyonik çözeltisi olarak kullanıldı. SnO2 ince filmleri 60, 80, 100, ve
120 SILAR döngüsü sonunda elde edildi ve film kalınlıkları sırasıyla 215, 300, 380, ve 490
nm olarak hesaplandı. X-ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), optik
soğurma ölçümleri ve sıcaklığa bağlı elektriksel ölçümler yardımıyla film kalınlığının
filmlerin yapısal, optik ve elektriksel karakteristikleri üzerine etkisi incelendi. Bu ölçümler
yardımıyla, filmlerin polikristal yapıda olduğu, filmlerin kristalliğinin ve yüzey özelliklerinin
film kalınlığının artması ile iyileştiği belirlendi. SnO2 ince filmlerin yasak enerji aralığı film
kalınlığı ile 3,90 eV‟tan 3,54 eV‟a azaldığı ve soğurma kenarının dikleştiği gözlendi.
Filmlerin yasak enerji aralığı değerleri kullanılarak filmlerin kırılma indisi (n) ve dielektrik
sabiti (εo, ε∞) değerleri hesaplandı. 300–500 K sıcaklık aralığında filmlerin özdirenç değerleri
belirlendi.
43
P37
Cd1-xZnxSe ince filmlerinin yapısal ve optik özellikleri üzerine çinko
konsantrasyonunun etkisi
Yunus Akaltun, M. Ali Yıldırım*, Aytunç Ateş**, ve Recep Polat***
Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan
*
** Malzeme Mühendisliği Bölümü, Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, 06030, Ankara
***
Cd1–-xZnxSe ince filmleri Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) metodu
kullanılarak oda sıcaklığında cam taban malzemeleri üzerine büyütüldü.X-ışını kırınımı
(XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve optik soğurma ölçümleri yardımıyla çinko
(Zn) konsantrasyonunun filmlerin yapısal ve optik karakteristikleri üzerine etkisi
incelendi.XRD ve SEM ölçümleri yardımıyla filmlerin polikristal yapıda olduğu, çinko
konsantrasyonunun azalması ile film kristalliğinin ve yüzey özelliklerinin iyileştiği gözlendi.
Ayrıca, çinko konsantrasyonunun artması ile kristal yapının hekzagonal yapıdan kübik yapıya
değiştiği belirlendi. Cd1–xZnxSe ince filmlerin yasak enerji aralığı çinko konsantrasyonunun
artması ile 1.99 eV‟ tan 2.82 eV‟a arttığı gözlendi. Filmlerin yasak enerji aralığı değerleri
kullanılarak filmlerin kırılma indisi (n), etkin kütle (me*/mo) ve dielektrik sabiti (εo, ε∞)
değerleri hesaplandı.
Teşekkür:
Bu çalışma, Erzincan Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri tarafından desteklenmektedir (ProjeNo:10.01.07).
44
P38
Kobalt oksit filmlerinin fiziksel özellikleri
Banu Erdoğan, İdris Akyüz, ve Ferhunde Atay
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü
Son yıllarda, kobalt oksit ince filmleri teknolojik uygulamalarda yaygın kullanım potansiyeli
ile dikkat çekmektedir. Bu çalışmada, kobalt oksit ince filmlerini üretmek için uygulanması
kolay ve ekonomik bir teknik olan ve geniş yüzeylere çöktürme imkânı sağlayan ultrasonik
kimyasal püskürtme tekniği kullanılmıştır. Filmler mikroskop cam tabanlar üzerine 40 dakika
süre ile 300 ± 5° C taban sıcaklığında çöktürülmüştür ve deney sonrası filmler 3 saat süre ile
hava ortamında 450 °C‟de ısıl işleme tabi tutulmuştur. Filmlerin soğurma ve yansıma
spektrumları UV–VIS Spektrofotometre cihazı kullanılarak alınmıştır. Kalınlıkları ve optik
sabitleri (kırılma indisi ve sönüm katsayısı) Spektroskopik Elipsometre cihazı ve yüzey
topografileri ile pürüzlülük değerleri ise Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) ile
incelenmiştir. Filmlerin özdirençlerini belirlemek için dört uç tekniği kullanılmıştır.
45
P39
Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen CdO:F ince filmlerinin
fiziksel özellikleri
Elif Ketenci, Ferhunde Atay ve İdris Akyüz
Bu çalışmada CdO:F yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği (UKP) ile 300
±5°C taban sıcaklığında üretilmiş ve üretim sonrası tüm filmler 450 °C sıcaklıkta ısıl işleme
tabi tutulmuştur. Üretilen filmlerin optiksel, elektriksel ve yüzey özellikleri incelenerek F
katkı elementinin etkisi araştırılmıştır. CdO:F filmlerinin spektroskopik elipsometre cihazı
kullanılarak kalınlıkları belirlenmiş ve bazı optik parametreleri (sönüm katsayısı ve kırılma
indisi) saptanmıştır. Filmlerin yasak enerji aralıkları optik metot ile hesaplanmış ve direkt
bant aralıklı malzemeler oldukları görülmüştür. Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) ile üç
boyutlu yüzey topografileri ve faz görüntüleri alınmış ve taneli yapılanmanın varlığı dikkati
çekmiştir. Filmlerin elektriksel iletkenlik ve özdirenç değerlerini belirlemek amacıyla dört uç
tekniği kullanılmıştır. Tüm sonuçlar opto-elektronik endüstrisi ve fotovoltaik güneş pili
uygulamaları açısından değerlendirilmiş ve üretim sonrası ısıl işlemin her bir fiziksel özellik
üzerinde önemli bir etki yarattığı sonucuna varılmıştır.
46
P40
Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen In katkılı CdS filmlerinin
elektriksel, yapısal ve morfolojik özellikleri
Gülşah Gürbüz, Meryem Polat, Salih Köse, ve Elif Ceylan
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Eskişehir, Türkiye
Bu çalışmada CdS ve Cd1–xInxS (x = 0.1, 0.3, 0.5) filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme
tekniği ile 275±5 oC de ısıtılmış cam tabanlar üzerine çöktürülmüştür. Filmlerin optik
özelliklerinden absorbsiyon, geçirgenlik ve yansıma spektrumları farklı ortam sıcaklıklarında
UV–VIS Spektrofotometre cihazı ile alınmıştır. Optik metot kullanılarak yasak enerji
aralıkları belirlenmiştir. Filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri (kırılma indisi ve sönüm
katsayısı) spektroskopik ellipsometri tekniği ile belirlenmiştir. Yüzey özellikleri atomik
kuvvet mikroskobu ve taramalı elektron mikroskobu, elemental analizleri ise enerji dağılımlı
X-ışınları (EDS) spektroskopisi ile incelenmiştir. Filmlerin kristal yapıları x-ışını kırınım
desenleri kullanılarak incelenmiş ve özdirenç değerleri dört-uç metodu ile belirlenmiştir.
Teşekkür: Bu çalışma Eskişehir Osmangazi Üniversitesi (BAP Proje No: 201019011) tarafından
desteklenmiştir.
47
P41
AlxIn1-xSb yarıiletken bileşiğinde elektron dinamiğinin
Monte Carlo yöntemiyle incelenmesi
Mustafa Akarsu1, Senem Aydoğu2, ve Ömer Özbaş1
1
Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Meşelik, Eskişehir
Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampus, Kütahya
2
AlxIn1–xSb yarıiletken bileşiğinde elektron dinamiği Monte Carlo yöntemiyle x = 0.2 ve x =0.3
değerleri için elektrik alanın fonksiyonu olarak 77 K ve 300 K örgü sıcaklıkları için incelendi.
Akustik fonon, polar optik fonon, iyonize safsızlık ve dislokasyon saçılmaları hesaplamalara
dahil edildi. Sürüklenme hızı ve sürüklenme mobilitesi farklı dislokasyon yoğunlukları için
elektrik alanın fonksiyonu olarak belirlendi. Düşük elektrik alan mobilitesi dislokasyon
yoğunluğunun bir fonksiyonu olarak hesaplandı. Dislokasyon yoğunluğunun 1×107 cm–2
değerinden daha düşük değerlerinde mobilitenin etkilenmediği görüldü. Dislokasyon ve
iyonize safsızlıkların elektron sürüklenme hızı üzerinde düşük elektrik alan değerlerinde etkili
oldukları görüldü.
48
P42
Ir katkılı ZnO filmlerinin üretilmesi ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Müge Söyleyici, Ferhunde Atay, ve İdris Akyüz
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü
Optoelektronik aygıtlarda ve güneş pillerinde kullanılan saydam iletken oksit malzemelerin
optiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleri aygıt performansını önemli derecede
etkilemektedir. Bu çalışmada, % 10 Ir katkılı ZnO filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme
tekniği ile 300±5 C taban sıcaklığında üretilmiş ve fotovoltaik güneş pillerinde kullanım
potansiyelini iyileştirmek için 450 C‟ de 3 saat tavlama işlemi yapılmıştır. Üretilen filmlerin,
optiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleri incelenmiş ve tavlama işleminin fiziksel özellikler
üzerinde önemli bir etki yarattığı sonucuna varılmıştır.
49
P43
ZnO filmlerinin üretimi ve karakterizasyonu
Olcay Gençyilmaz a,b, Ferhunde Atay a, ve İdris Akyüz a
a
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Eskişehir, Türkiye
b
Çankırı Karatekin Üniversitesi, Fizik Bölümü, Çankırı, Türkiye
II–VI yarıiletken bileşiklerinden olan ZnO filmleri düşük özdirenç ve yüksek geçirgenlikleri
gibi uygun özelliklerinden dolayı pek çok teknolojik uygulamada tercih edilmektedir. Bu
çalışmada ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak 300±5 °C‟de cam tabanlar
üzerine ZnO filmleri çöktürülmüştür. Üretilen filmlerin özelliklerini iyileştirmek için 450,
500, ve 550 °C sıcaklıklarında tavlama işlemi yapılmış ve filmlerin elektrik, optik ve yüzey
özellikleri üzerine tavlama sıcaklığının etkisi araştırılmıştır. Üretilen filmlerin geçirgenlik ve
soğurma spektrumları UV spektrofotometre cihazı, kalınlık değerleri ve optik sabitleri (n ve k)
ise spektroskopik elipsometre cihazı kullanılarak belirlenmiştir. Tüm filmlerin üç boyutta
yüzey görüntülerini incelemek ve yüzey pürüzlülüklerini belirlemek amacı ile atomik kuvvet
mikroskobu (AFM) görüntüleri alınmıştır. Belirtilen analizler değerlendirilerek, ZnO
filmlerinin fotovoltaik ve diğer uygulamalarda kullanılabilirlikleri araştırılmıştır.
50
P44
ZnO filmlerinin bazı fiziksel özellikleri üzerine Co kaynağının etkisi
Olcay Gençyılmaz a,b, Ferhunde Atay a, ve İdris Akyüz a
a
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Eskişehir, Türkiye
b
Çankırı Karatekin Üniversitesi, Fizik Bölümü, Çankırı, Türkiye
Son yıllarda ZnO filmlerine geçiş elementleri katkılanarak yapılan çalışmalarda, bu filmlerin
yeni uygulama alanlarında kullanımı ortaya çıkmıştır. Bu çalışmada katkısız ve farklı iki Co
kaynağı kullanılarak katkılanmış ZnO:Co (%12) filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme
tekniği ile elde edilmiştir. Üretilen filmlerin yapısal, optiksel ve yüzeysel özellikleri
incelenerek Co kaynağının etkisi araştırılmıştır. ZnO filmlerinin yapısal ve yüzey
özelliklerinin Co kaynağına bağlı olarak belirgin bir değişim gösterdiği belirlenmiştir. Ayrıca
filmlerin geçirgenlik spektrumlarında Co elementine ait karakteristik sarkmalar görülmüştür.
Sonuç olarak Co kaynağının ZnO filmlerinin yapısal, optiksel ve yüzeysel özelliklerinde
önemli derecede etkiler yarattığı saptanmıştır.
51
P45
Borat ve mikroskop cam tabanlar üzerine üretilen CdO filmlerin ısıl işlem
sonucu sergilediği yüzeysel, elektriksel, ve optik özellikler
Sadiye Çetinkaya Çolak, Banu Erdoğan, İdris Akyüz, ve Ferhunde Atay
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü
Bu çalışmada, ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile CdO filmlerinin üretimi için
geleneksel mikroskop camı yerine farklı bir taban cam kullanılarak, filmin fiziksel özellikleri
üzerine etkisi araştırılmıştır. Alternatif cam olarak alümina-borat cam seçilmiş ve bu çalışma
kapsamında melt-quenching tekniği ile üretilmiştir. Her iki taban üzerine üretilen filmler 450
°C‟de 3 saat süre ile hava ortamında ısıl işleme tabi tutulmuştur. Isıl tavlama işleminin her iki
numunenin yüzeysel, elektriksel ve optik özellikleri üzerine etkisi araştırılmıştır. Yüzeysel
özelliklerinin incelenmesi için Atomik Kuvvet Mikroskobu kullanılarak yüzey görüntüleri ve
pürüzlülük değerleri elde edilmiştir. Dört uç tekniği ile elektriksel özdirenç değerleri borat ve
mikroskop cam taban kullanılan numuneler için sırası ile 2.26×10–3 ve 1.24×10–3 ·cm olarak
belirlenmiştir. Numunelerin kalınlık, kırılma indisi ve sönüm katsayısı değerlerini belirlemek
için Spektroskopik Elipsometri Tekniği kullanılmıştır. Ayrıca numunelerin geçirgenlik
spektrumları UV–VIS Spektrofotometre kullanılarak alınmış ve optik metot yardımıyla bant
aralığı değerleri belirlenmiştir.
52
P46
Farklı sıcaklıklarda tavlanan In katkılı CdS filmlerinin fiziksel özelliklerinin
incelenmesi
S. Karakaya ve Ö. Özbaş
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Eskişehir
CdS ince filmleri sahip oldukları optik ve elektrik özellikleri nedeniyle fotovoltaik güneş
pilleri ve optoelektronik gibi alanlarda yaygın olarak kullanılan II–VI grubu yarıiletken
malzemelerdir. Heteroeklem güneş pillerinde pencere materyali olarak kullanılacak CdS
filmlerinin düşük özdirence sahip olması istenir. Bu çalışmada, %8 In katkılı CdS filmleri
300±5 ◦C taban sıcaklığında ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak üretilmiştir.
Elde edilen filmler, 2 saat süre ile 300 ◦C, 400◦C, ve 500◦C‟de ısıl tavlama işlemine tabi
tutulmuştur. Filmlerin optik, elektrik ve yüzey özellikleri üzerine farklı tavlama
sıcaklıklarının etkisi araştırılmıştır. Filmlerin geçirgenlik ve soğurma spektrumları UV
spektrofotometre ile alınmıştır. Filmlerin optik geçirgenlikleri tavlama sıcaklığının artmasıyla
birlikte artış göstermiştir. Spektroskopik elipsometri tekniği ve Cauchy–Urbach modeli
kullanılarak filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri belirlenmiştir. Üretilen filmlerin üç boyutta
yüzey görüntülerini incelemek ve yüzey pürüzlülüklerini belirlemek amacıyla atomik kuvvet
mikroskobu kullanılmıştır. Oda sıcaklığında yapılan elektriksel ölçümlerden özdirenç
değerlerinin 101 – 104 Ω·cm aralığında değiştiği görülmüştür.
53
P47
CdO filmlerinin optiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleri
Zeycan Atiş, İdris Akyüz, ve Ferhunde Atay
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü
Yüksek elektriksel iletkenliğe sahip olan malzemelerden biri olan CdO filmleri günümüzde
düz ekranlar, güneş pilleri, organik LED ve diğer opto-elektronik teknolojilerde önemli yer
tutmaktadır. Bu çalışmada CdO yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği
kullanılarak 2255 ˚C taban sıcaklığında ısıtılmış cam tabanlar üzerine çöktürülmüştür. Daha
sonra 450 ˚C de 3 saat tavlanan filmlerin tavlamadan önce ve sonraki fiziksel özelliklerindeki
değişim incelenmiştir. 350–800 nm dalgaboyu aralığında geçirgenlik ve absorbans
spektrumları UV–Visible Spektrofotometre cihazı ile alınmıştır. Tüm filmlerin kalınlık,
kırılma indisi ve sönüm katsayısı gibi optik özellikleri Spektroskopik Elipsometri tekniği ile
belirlenmiştir. Yüzey morfolojileri ve pürüzlülük değerleri atomik kuvvet mikroskobu
kullanılarak incelenmiştir. Ayrıca özdirenç değerlerini belirlemek için dört-uç tekniği
kullanılmıştır.
54
P48
Tam-Heusler Co2TiSn ve yarı-Heusler CoTiSn alaşımlarının manyetik,
elektronik, elastik ve fonon özelliklerinin incelenmesi
A. Candan1, A. İyigör1, G. Uğur1, Ş. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu2
1
2
Ferromanyetik Co2TiSn ve CoTiSn Heusler alaşımlarının manyetik, elektronik, elastik ve
fonon özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi ve yerel yoğunluk yaklaşımı kullanılarak
araştırıldı. Elde edilen manyetik moment değerleri diğer teorik çalışmalarla karşılaştırılarak
oldukça uyumlu olduğu gözlendi. Yarı-Heusler CoTiSn alaşımının tam-Heusler Co2TiSn
alaşımına göre daha zayıf ferromanyetik özellikte olduğu bulundu. Spin durumları göz önüne
alınarak hesaplanan elektronik bant yapısı sonuçları literatürdeki diğer çalışmalarla
karşılaştırıldı. Yoğunluk fonksiyoneli pertürbasyon teorisi üzerine kurulu lineer-tepki
yaklaşımında ele alınan alaşımların fonon yapıları incelendi.
Teşekkür: Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi ile
desteklenmiştir.
55
P49
L21 yapıdaki Fe2CrAl ve C1b yapıdaki FeCrAl alaşımlarının yapısal, elektronik,
elastik ve fonon özelliklerinin incelenmesi
A. Candan1, A. İyigör1, G. Uğur1, Ş. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu2
1
2
Bu çalışmada, Fe2CrAl (L21) ve FeCrAl (C1b) Heusler alaşımlarının yapısal, elektronik,
elastik ve titreşim özelliklerinin belirlenmesinde teorik yöntem olan yoğunluk fonksiyonel
teorisi kullanıldı. Bu teori içindeki değiş–tokuş korelasyonu fonksiyoneli olarak
genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı seçildi. Elde edilen örgü parametreleri kullanılarak her iki
alaşım için yukarı-spin ve aşağı-spin durumlardaki elektronik bant yapısı ve durum yoğunluğu
grafikleri çizildi. İkinci dereceden elastik sabitleri hesaplanarak daha önceki çalışmalarla
kıyaslandı. Titreşim özelliklerini incelemek için yoğunluk fonksiyoneli perturbasyon teorisi
kullanıldı.
desteklenmiştir.
56
P50
Fe2ScAl ve Co2ScAl Heusler alaşımlarının kübik L21 yapıdaki elastik ve fonon
özelliklerinin teorik olarak incelenmesi
A. İyigör1, A. Candan1, Ş. Uğur1, G. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu2
1
2
L21 yapısındaki Fe2ScAl ve Co2ScAl Heusler alaşımlarının elastik ve fonon özellikleri abinitio hesaplamalar yardımı ile incelendi. Hesaplamalarda genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı
yöntemine göre oluşturulan değiş-tokuş korelasyon fonksiyoneli kullanıldı. Hesaplanan
toplam enerji-hacim eğrileri Murnaghan hal denklemine uydurularak alaşımların örgü sabitleri
ve yığın modülleri hesaplandı. Elastik sabitleri örgüye hacim korunumlu küçük gerilmeler
uygulanarak hesaplandı. Fonon frekansları ve fonon durum yoğunlukları (toplam ve kısmi)
yoğunluk fonksiyoneli pertürbasyon teorisi kullanılarak elde edildi ve yorumlandı.
desteklenmiştir.
57
P51
C15b yapıdaki YMgNi4 ve LaMgNi4 üçlü bileşiklerinin yapısal, elastik ve
elektronik özellikleri
A. İyigör1, A. Candan1, Ş. Uğur1, G. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu2
1
2
Bu çalışmada, yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayalı genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı
kullanılarak C15b yapıdaki YMgNi4 ve LaMgNi4 bileşiklerinin yapısal, elastik, ve elektronik
özellikleri incelendi. Bileşiklerin örgü sabitleri ve yığın modülleri ve ikinci dereceden elastik
sabitleri hesaplandı ve daha önceki çalışmalarla karşılaştırıldı. Temel simetri yönleri boyunca
çizdirilen elektronik band yapı grafikleri literatürde yer alan diğer teorik çalışmalarla oldukça
uyumlu bulundu.
desteklenmiştir.
58
P52
Yarı-metalik Co2CrAl Heusler alaşımının yapısal, manyetik, elastik, elektronik
ve fonon özelliklerinin incelenmesi
G. Uğur1, A. Candan1, A. İyigör1, Ş. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu2
1
2
Bu çalışmada, kübik yapıda bulunan Co2CrAl Heusler alaşımı üzerine yoğunluk fonksiyonel
teorisi ve genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı kullanılarak manyetik, elastik, elektronik ve
fonon özellikleri için hesaplamalar yapıldı. Yapısal, manyetik ve elastik özellikleri için elde
edilen değerler, daha önceki çalışmalarla oldukça uyumlu bulundu. Aşağı ve yukarı spin
durumlar için elde edilen elektronik bant yapısı grafiklerinden bu alaşımın yarı-metalik
davranış gösterdiği sonucuna varıldı. Lineer-tepki yöntemi kullanılarak temel simetri yönleri
boyunca fonon dağılım eğrileri çizildi. Ayrıca hesaplanan fononlar için toplam ve kısmi
durum yoğunluğu eğrileri elde edilerek yorumlandı.
desteklenmiştir.
59
P53
L21 yapıdaki Pd2XAl (X=Co, Fe, Ni, Ti, Cu) Heusler alaşımlarının yapısal,
elektronik ve elastik özelliklerinin hesaplanması
A. Ekiz1 , Ş. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu2
1
2
Bu çalışmada Pd2XAl (X = Co, Fe, Ni, Ti, Cu) Heusler alaşımlarının yapısal, elastik, ve
elektronik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi ile beraber sanki potansiyel ve
genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı kullanılarak araştırıldı. Yapısal özellikler içerisinde örgü
sabitleri, yığın modülleri ve yığın modüllerinin basınca göre birinci türevleri hesaplandı ve
literatürde bulunan diğer sonuçlarla karşılaştırıldı. Elastik sabitleri küçük zorlanmalarla elde
edilen enerji değerlerinden bulundu. Elektronik bant yapısı, ile kısmi ve toplam durum
yoğunluğu eğrileri spin-aşağı ve spin-yukarı durumlar için çizildi. Toplam manyetik moment
Pd2CoAl alaşımı için 1.82 µB ve Pd2FeAl alaşımı için 3.20 µB olarak hesaplandı. Diğer
alaşımların net bir manyetizasyona sahip olmadığı görüldü.
Teşekkür:
Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiştir.
60
P54
ZrO2 bileşiğinin LDA+U ve GGA+U metoduna bağlı olarak
ilk ilkeler yöntemiyle incelenmesi
A. H. Ergün, Y. Ö. Çiftçi, K. Çolakoğlu, ve E. Deligöz
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, 06500 Ankara, Türkiye
Bu çalışmada, ilk ilkeler yöntemiyle ZrO2 bileşiğinin yapısal, elektronik, mekanik, ve
titreşimsel özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisinin Yerel Yoğunluk Yaklaşımı (LDA) ve
Genelleştirilmiş Yoğunluk Yaklaşımı (GGA) altında incelendi. Ayrıca, yoğunluk fonksiyoneli
teorisinin etkin U parametresine dayanan LDA+U ve GGA+U yaklaşımları ZrO2 bileşiğine
uygulandı. Toplam enerji hesabı için “Vienna Ab-initio Simulation Package” (VASP) paket
programının düzlem dalga (PAW) metodu kullanıldı. Malzemenin seçili özelliklerinin etkin U
parametresine bağımlılığı detaylıca çalışıldı. Yapı parametreleri Fluorite (C1) yapıda
incelendi. Malzemenin denge geometrik yapısı, toplam ve kısmi durum yoğunlukları, elastik
sabitleri ve fonon dispersiyon eğrileri önceki çalışmalar ve deneysel verilerle karşılaştırılarak
incelendi ve analiz edildi.
61
P55
CaF2-tipi PaN2 kristalinin yapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özellikleri
A. Tatar1,*, Y. Çiftçi1, ve S. Aydın1
1
Yoğunluk fonksiyoneli çerçevesinde, CaF2-tipi PaN2 kristalinin yapısal, elastik, elektronik ve
termodinamik özellikleri sistematik bir şekilde incelendi. İlk-prensip hesaplamalarından elde
edilen enerji-hacim veri seti quasi-harmonik Debye modeli içinde işlenerek, hacim, bulk
modülü, ısı kapasitesi, termal genleşme katsayısı, Debye sıcaklığı ve Grüneisen
parametresinin, geniş basınç ve sıcaklık aralıklarında, basıncın ve sıcaklığın fonksiyonu
olarak nasıl değiştikleri araştırıldı. Hesaplanan band yapısı ve durum yoğunluğu eğrilerinden
PaN2‟nin W–L ve W–K aralıklarında Fermi enerjisini kesen bir band‟dan dolayı metalik
karakterde olduğu, ve Fermi seviyesinin hemen üstünde geniş bir enerji aralığının meydana
geldiği görüldü.
62
P56
Ab-initio yöntem ile NbIrSn bileşiğinin elektronik, elastik ve optik özelliklerinin
incelenmesi
B. Koçak, Y. Ö. Çiftçi, ve K. Çolakoğlu
Bu çalışmada MgAgAs (C1b) kristal yapıdaki yarı iletken NbIrSn bileşiğinin yapısal,
elektronik, elastik ve optiksel özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab-initio
metot kullanılarak hesaplandı. Yapılan tüm hesaplarda VASP (Vienna Ab-initio Simülasyon
Paketi) paket programı kullanıldı. Foton enerjisine bağlı lineer dielektrik fonksiyonları ile
soğurma katsayısı, kırılma indisi, enerji-kayıp fonksiyonu ve yansıtıcılık gibi önemli optiksel
sabitler hesaplanarak, basınçla değişimi incelendi. Elde edilen sonuçların deneysel ve teorik
çalışmalarla uyumlu olduğu tespit edildi.
63
P57
PrZn için ilk ilkeler teoriksel çalışması
B. S. Lişesivdin, Y. Ö. Çiftçi, ve K. Çolakoğlu
Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye
B2 yapılı PrZn bileşiğinin yapısal, elastik ve elektronik özellikleri düzlem dalga
pseudopotansiyel metod kullanılarak ilk ilkeler hesaplamalarıyla incelendi. Hesaplanan örgü
sabiti ve bulk modülü diğer deneysel ve teorik çalışmalarla uyum içerisinde bulunmuştur.
PrZn bileşiğinin elektronik yapısı ve DOS grafikleri bu bileşiğin metalik doğasını
doğrulamaktadır. Elastik sabitleri, bulk modülü, shear modülü, yound modülü, poison oranı
gibi elastik özellikler bu bileşik için incelendi ve Born kararlılık kriterlerini sağladığı görüldü.
Elektron durum yoğunluğu, elektron yük yoğunluğu ve Mulliker populasyon analizi PrZn2 nin
elektronik ve bağlanma davranışını tartışmak için hesaplandı. Elde edilen sonuçlar deneysel
data ve daha önceki teorik hesaplamalarla kıyaslandı.
64
P58
RuN bileşiğinin temel fiziksel özeliklerinin ilk ilkeler yöntemiyle incelenmesi
C. Bülbül, Y. Ö. Çiftçi, ve K. Çolakoğlu
Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, Ankara
Bu çalışmada yoğunluk fonksiyoneli teorisi içinde genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA)
kullanarak RuN bileşiğinin NaCI(B1), CsCI (B2), Zinc-blende (B3), NiAs(B81), PbO(B10)
and Wc (Bh) kristal yapıları için ilk ilkeler yöntemiyle yapısal, elastik, elektronik ve
termodinamik özellikleri incelendi. Optimize edilmiş yapısal parametreler (örgü sabiti, bulk
modülü ve bulk modülünün türevi) teorik çalışmalarla uyum içinde bulundu. Ayrıca hacim,
bulk modülü, ısıl genleşme katsayısı ve ısı kapasitesinin sıcaklık ve basınçla değişimi quasi
harmonik debye modeli kullanılarak geniş bir aralıkta hesaplandı.
65
P59
CoFe alaşımının temel fiziksel özelliklerinin teorik çalışması
G. Yeniçeri, Y. O. Çiftçi1, K. Çolakoğlu1, ve E. Deligöz2
1
Gazi Üniversitesi Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara
2
Aksaray Üniversitesi Fizik Bölümü 68100 Aksaray
Bu çalışmada, B2 yapılı CoFe alaşımının yapısal, elektronik, elastik, termodinamik ve
titreşimsel özellikleri VASP paket programı kullanılarak teorik olarak incelendi.
Hesaplamalar, yoğunluk fonksiyonel teorisi (YFT) ve genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı
temel alınarak yapıldı. Özellikle, örgü sabiti, bulk modülü, bulk modülünün birinci türevi,
elastik sabitleri, kesme modülü, Young modülü ve Poisson oranı hesaplandı ve diğer teorik
deneysel sonuçlarla kıyaslandı. Termodinamik özellikler için yarı harmonik debye modeli
kullanıldı.
66
P60
K3As7 bileşiğinin yapısal ve elastik özellikleri
H.B. Özışık, K. Çolakoğlu, Y. Ö. Çiftçi, E. Deligöz*, G. Sürücü, ve İ. Öner
Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara, Türkiye,
* Aksaray Üniversitesi, Fizik Bölümü, Aksaray, Türkiye
Ortorombik yapıdaki K3As7 bileşiğinin yapısal ve elastik özellikleri ab initio yöntemleri
kullanılarak incelendi. Hesaplamalar GGA-PBE yaklaşımı kullanılarak yapıldı. Örgü sabitleri
hesaplandı ve literatür ile uyum içinde olduğu görüldü. Stres–strain yöntemi kullanılarak
elastik sabitleri hesaplandı ve mekanik olarak kararlı olduğu görüldü. Ayrıca, elastik
özelliklerle ilgili nicelikler (Young modülü, Bulk modülü, Shear modülü, Poisson oranı, ses
hızları, Debye Sıcaklığı, elastik anizotropi ve lineer sıkışabilirlik değerleri) hesaplanarak
yorumlandı.
67
P61
Ab-initio yöntemlerle InS bileşiğinin incelenmesi
İ. Öner1, K. Çolakoğlu1, H. Özışık2, ve H. B. Özışık2
1
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi Teknikokullar, 06500, Ankara
2
Aksaray Üniversitesi, Fizik Bölümü, Aksaray, Türkiye
Periyodik cetvelin III–VI grubundan InS bileşiğinin NaCl (B1) ve CsCl (B2) fazlarındaki
yapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özellikleri sunulmuştur. Tüm hesaplamalarda
Vienna Ab-initio Simülasyon Paketi (VASP) / PAW Metodu / katılar için yeniden
düzenlenmiş Genelleştirilmiş Gradyan Yaklaşımı (PBE_sol) kullanılmıştır. Örgü
parametreleri Genelleştirilmiş Gradyan Yaklaşımı (GGA) ve PBE_sol metotları ile
hesaplanarak deneysel çalışmalarla karşılaştırılmıştır. Stres–strain yöntemiyle elastik sabitleri
incelendiğinde B1 fazının enerjitik ve mekanik olarak kararlı olduğu ve basınç altında B2
fazına geçiş yaptığı gözlenmiştir. Elektronik hesaplamalar, B1 fazının bant yapısının metalik
karakter sergilediğini göstermiştir. Debye sıcaklığı, enine ve boyuna ses hızları, Young
modülü, Shear modülü, anizotropi sabiti bu çalışmada sunulan diğer parametrelerdir. Elde
edilen sonuçların diğer teorik ve deneysel çalışmalarla uyum içinde olduğu görülmüştür.
68
P62
The ınvestigations of structural, elastic, electronic and thermodynamic
properties in CeTl compound by first-principles
M. Yılmaza , Y. Ö. Çiftçia , K. Çolakoğlua , ve E. Deligözb
a
Gazi University, Department of Physics, Teknikokullar, 06500, Ankara
b
Aksaray University, Department of Physics, 68100,Aksaray
Structural, elastic, elektronic and thermodynamic properties of the CeTl were investigated by
means of first–principles plane-wave pseudopotential method within Generalized Gradient
Approximation (GGA). The thermodynamic properties of the considered metalic compound
are obtained through the quasi-harmonic Debye model. In order to gain furter information, the
pressure and temperature-dependent behavior of the volume, bulk modulus, thermal
expansion coefficient, heat capacity, enthalpy, Debye temperature and Grüneisen parameter
are also evaluated wide pressure and temperature range. The results on the basic physical
parameters, such as the lattice constant, bulk modulus, pressure derivative of bulk modulus,
Zener anisotropy factor, Poisson‟s ratio, Young‟s modulus and isotropşc shear modulus are
presented. The obtained results are in agreement with the available experimental and other
theoretical values.
69
P63
Spin-3/2 Ising modelin çoklu kritik faz diyagramları
G. Sezgin ve N. Seferoğlu
Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, İleri Teknolojiler Anabilim Dalı, 06500 Ankara
Ferromagnetik bilineer etkileşmeli spin-3/2 Blume-Emery-Griffiths (BEG) modelin manyetik
alan varlığında ve yokluğunda kritik davranışları incelendi. Modelin simülasyonu bir cellular
automatonda gerçekleştirildi. Hesaplamalar, Creutz algoritmasından elde edilen soğutma
algoritması kullanılarak basit kübik örgüler üzerinde yapıldı. Çalışmada, modelin iki yeni faz
diyagramı oluşturularak manyetik alan etkisi incelendi. Bununla birlikte, sonlu-örgü
ölçekleme teorisi kullanılarak ikinci derece faz geçişleri için statik kritik üsler (, , ) ve alan
kritik üssü () elde edilerek modelin seçilen parametre değerlerinde sahip olduğu evrensellik
sınıfı belirlendi. Çalışmada belirlenen parametre aralığında, çoklu kritik nokta civarında
evrensel Ising model kritik üslerinden farklı üs değerleri tespit edildi.
70
P64
Tek kanal ve çift kanal InGaN/InN çokluyapıların kıyaslanması
G. Atmaca, K. Elibol, G. Karakoç, C. Güneş ve S. B. Lişesivdin
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500 Ankara
Son yıllarda III-nitrür yarıiletkenlerdeki son gelişmelerin paralelinde yüksek performanslı
nitrür tabanlı yüksek elektron hareketlilikli transistörler (HEMT) araştırmaların odağı haline
gelmiştir. İndiyum Nitrür tabanlı yarıiletken malzemeler, optik ve mikrodalga uygulamaları
için oldukça ilgi çekici ve gelecek vaad edici bir malzeme sistemleridir. InN tabanlı
HEMT'lerdeki yüksek kritik elektrik alandan dolayı yüksek doyum hızının olması bu tür
malzemelerin çalışılmasının ana nedenlerinden biridir. InN ve InGaN arasındaki örgü
uyumsuzluğu nedeniyle yüksek piezoelektrik alanlar ile elde edilen yüksek taşıyıcı yoğunluğu
aygıt performansını geliştirici yönde etkilemektedir. n-tipi InGaN bariyerindeki verici
yoğunluğu iletkenlik bandı süreksizliğinin kontrolünde rol almaktadır. Bu çalışmada tek kanal
n-InGaN/InN ve çift kanal n-InGaN/InN/InGaN modülasyon katkılı alan etkili transistörlerin
InGaN bariyerindeki In oranının, bariyer kalınlığının ve InN tabaka kalınlığının değişiminin
taşıyıcı yoğunluğu üzerindeki etkilerini 1 boyutlu kendini eşleyebilen doğrusal olmayan
Schrödinger–Poisson denklemlerini çözerek modelledik. Ayrıca, tek kanal ve çift kanal InN
tabanlı bu HEMT yapıları için saçılma analizlerine göre kıyaslandı.
71
P65
Voltaja bağlı iyonizasyon hücresinde sistem karakteristiklerinin incelenmesi
H. Yücel Kurt ve A. Yurtseven
Bu çalışmada uygulanan voltajın sistem karakteristiklerine etkisi araştırılmış ve uygulanan
voltajın etkisi yarıiletken detektördeki iç homojensizlikleri gösteren hem profil hem de
sistemden yayınlanan ışık emisyonunu kullanarak analiz edilmiştir.
72
P66
Tek ve çift tabakalı grafen alan etkili transistörlerin (GFET)
akım–gerilim (I/V) performansı
K. Elibol1, G. Atmaca1, E. Özbay2,3 ve S. B. Lişesivdin1
1
2
Bilkent Üniversitesi, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi-NANOTAM, Bilkent, 06800, Ankara
3
Fizik ve Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü, Bilkent Üniversitesi, Bilkent, 06800, Ankara
Karbon atomlarının düzlemsel tek katmanından oluşan grafenin üstün elektronik ve mekanik
özellikleri, grafen çalışmalarını oldukça artırmıştır [1]. Son zamanlarda çift tabakalı grafenin
de aygıtlarda üstün performans sergilediği gösterilmiştir. İki tabaka olması nedeniyle az da
olsa bir band aralığına sahip olduğu için çift katmanlı grafen kullanılarak üretilen aygıtlar tek
katman grafene göre daha iyi kontrol edilebilir. Bu çalışmada, Adam ve arkadaşlarının [2]
geliştirdiği kendini eşleyebilen (self-consistent) iletim modeli kullanılarak elde edilen
iletkenlikten yararlanarak ve tek ve çift tabakalı grafen alan etkili transistörler için kendini
eşleyebilen akım gerilim hesaplamaları yapılmıştır. Kanal uzunluğu, kanal genişliği ve ikinci
katmanın aygıt performansına etkisi incelenmiştir. Ayrıca, minimum iletim düzlüklerinin
genişliğinin iletime etkisi araştırılmıştır. Yüksek safsızlık yoğunluklarında tek ve çift tabakalı
grafende minimum iletim düzlüklerinin genişliğinin arttığı ve iletimin azaldığı gözlenmiştir.
Farklı safsızlık yoğunluklarında akım gerilim transfer karakteristikleri hesaplanmıştır.
Referanslar
[1] Frank Schwierz, Graphene transistors, Nature Nanotechnology 5, 487 (2010).
[2] S. Adam et. al., A self-consistent theory for graphene transport, PNAS, 104, 18392 (2007).
73
P67
Epitaksiyel grafende Hall ve zayıf antilokalizasyon ölçümleri
K. Elibol1, G. Atmaca1, S. Bütün2,3, S. B. Lişesivdin1 ve E. Özbay2,3
1
2
Bilkent Üniversitesi, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi-NANOTAM, Bilkent, 06800, Ankara
3
Fizik ve Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü, Bilkent Üniversitesi, Bilkent, 06800, Ankara
Karbon atomlarının iki boyutlu bir hegzagonal örgü dizilimden oluşan grafen, yüksek taşıyıcı
devingenliği ve kararlı yapısıyla elektronik aygıtlar için avantajlar sunar. Epitaksiyel grafen
büyütme, geniş alanlar üzerine aygıt üretmek için kolaylık sağlar. Bu çalışmada, SiC üzerine
epitaksiyel büyütülen grafen numuneleri için Hall ölçümleri Van der Pauw yöntemi ile
yapılmıştır. Epitaksiyel grafen numuneleri için öncelikle karanlık ve aydınlık Hall ölçümleri
yapıldı. Aydınlık Hall ölçümlerinde, 450 nm ile 485 nm arasında dalga boyuna sahip bir mavi
LED kullanılmıştır. Bu ölçümde, 300 K‟den 30 K‟e inildikten sonra 30 dakika boyunca ışık
verildi. Daha sonra ışık kapatılarak 30 K‟den 300 K‟e çıkarken ölçümler yapılmıştır. Aydınlık
ölçümlerde, düşük sıcaklıklarda devingenlik ve taşıyıcı yoğunluğunda önemli bir azalma
olmuştur. Sıcaklık 200 K civarına geldiğinde ise devingenlik ve taşıyıcı yoğunluğu karanlık
ölçüm değerlerine ulaşmıştır. Epitaksiyel grafen numuneleri için elde edilen taşıyıcı
yoğunluğu, devingenlik ve iletkenlik sonuçları, benzer karakteristiğin gözlenip
gözlenmediğini görmek amacıyla GaN tabanlı bir HEMT yapısı ile son derece iyi yönelmiş
pirolitik grafitin (HOPG) karanlık ve aydınlık Hall ölçümleri ile karşılaştırılmıştır. Zayıf
antilokalizasyon ölçümleri düşük sıcaklıklarda -0.05 T ile 0.05 T arasında 0.001 T adımlarla
değişen magnetik alanlarda yapılmıştır. Elde edilen taşıyıcı yoğunluğu, devingenlik ve
magnetoiletkenlik sonuçları incelenmiştir.
74
P68
Au/TiO2/nSi/Au yapıların parametrelerinin incelenmesi
M. Sel ve M. Özer
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, Ankara
Metal–yarıiletken (MS) kontakların son yıllarda elektronik ve optoelektronik sanayinde
oldukça fazla miktarda kullanılır hale gelmesi araştırıcıları bu yapıları farklı yarıiletkenler ve
materyallerle oluşturulmaya ve parametreleri kararlı, tekrarlanabilir, performansı daha iyi
yapılar olması yönünde araştırmalar yapmaya yöneltmiştir. MS yapıları hazırlama yöntemleri
ve şartları genellikle arayüzey durumlarının oluşmasına sebep olmakta bunlar da elektronik
özellikleri ve parametreleri önemli ölçüde etkilemektdir. Burada sunulan çalışmada, nSi
yarıiletkenin mat yüzeyinde Au ile omik kontak ve parlak yüzeyi üzerinde ise önce püskürtme
metodu ile TiO2 ince film ve onun üzerinde ise vakumda metal buharlaştırma metoduyla Au
kullanılarak Schottky engeli oluşturuldu. Akım–gerilim (I–V) ve sığa–gerilim (C–V)
ölçümlerinden elde edilen verilerle yapılan hesaplardan yapının parametreleri belirlendi.
Teşekkür: Bu çalışmayı destekleyen Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri (BAP 05/2011-39) ve
numuneleri hazırlayan Gazi Üniversitesi Yarıiletken Teknolojileri İleri Araştırma Labratuvarı Grubuna teşekkür
ederiz.
75
P69
GaAs1-xNx epitaksiyel tabakaların büyütülmesi ve karakterizasyonu
N. Musayeva1, R. Jabbarov1, S. Abdullayeva1, S. Ş. Çetin2,
S. Özçelik2, T. Memmedli2, G. Attolini3, M. Bosi3 ve B. Clerjaud4
1
Fizik Enstitüsü, Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi, Bakü, Azerbaycan
2
3
4
Nanobilim Enstitüsü, Pierre et Marie Curie Üniversitesi, Paris, Fransa
GaAs ve Ge alttaşlar üzerine metal organik buhar faz büyütme (MOVPE) tekniği ile
büyütülen GaAs1-xNx (x~%1.0-2.1) üçlü alaşımlarının Raman saçılması ve fotolüminesans
(PL) özellikleri incelendi. Yatay reaktörde kaynak olarak Trimetilgalyum (TMGa), AsH3 ve
Dimetilhidrazin (DMHy) kullanıldı. Numuneler DMHy ve diğer kaynaklar arasındaki molar
oran değiştirilerek atmosferik basınçta ve 500 C sıcaklıkta büyütüldü. Büyütülen seyreltik
GaAsN yapısında azotun varlığı, Raman saçılması spektrumunda yaklaşık 470 cm–1 de azot
titreşim modunun gözlenmesi ile tespit edildi. 500 cm–1 ve 600 cm–1 arasında TO ve LO
benzeri ikinci dereceden zayıf Raman pikleri gözlendi. Büyütülen numunelerin PL özellikleri
incelendi. GaAs1-xNx yapısının 77 K‟de PL pik enerjisi 1.15 eV gözlenirken, yüksek
çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HRXRD) tekniği ile analizi sonucu N içeriği (x) % 2.1
bulundu. Ge üzerine büyütülen numunelerin PL spektrumu GaAs alttaş üzerine büyütülen
numunelerden ölçüm sıcaklığı artıkça çok daha fazla genişlediği gözlendi. Ayrıca
numunelerin bazı optik parametreleri spektroskopik elipsometre ölçümleri ile belirlendi.
Teşekkür: Bu çalışma CBP.EAP.CLG 983724 nolu, “Diluted Nitrides for Tandem Solar cells” isimli proje ile
NATO tarafından desteklenmiştir.
76
P70
Si üzerine MOVPE tekniği ile büyütülen GaInPN alaşımlarının yapısal ve optik
karakterizasyonu
N. Musayeva1, G. Attolini2, M. Bosi2, B. Clerjaud3, R. Jabbarov1, S. Ş. Çetin4, S. Özçelik4
ve T. Memmedli4
1
Fizik Enstitüsü, Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi, Bakü, Azerbaycan
2
3
Nanobilim Enstitüsü, Pierre et Marie Curie Üniversitesi, Paris, Fransa
4
InGaPN epitaksiyel tabakalarının Si alttaşlar üzerine büyütülmesi; dimetilhidrazin,
trimetilgalyum, trimetilindiyum ve fosfin kaynakları ile metal organik buhar faz büyütme
(MOVPE) tekniği kullanılarak yapıldı. Silisyum yüzey üzerine, çoklu-bağlanma ve anti faz
oluşumları kaynaklı arayüzey problemlerini azaltmak amacıyla çok ince bir GaP tampon
tabaka büyütüldü. Tabakalar 46 Torr basınçta ve 630 C alttaş sıcaklığında hazırlandı. X-ışını
kırınımı deneyleri, tabakaların örgü sabitlerini ve alttaş ile örgü uyumsuzluklarını
değerlendirmek için kullanıldı. Taramalı elektron mikroskobu (TEM), tabakaların yapısal
özelliklerini değerlendirmek ve kusurların varlığını değerlendirmek için kullanıldı.
Numuneler fotolüminesans ve Raman saçılması ile karakterize edildi. Ortalama yüzey
pürüzlülüğü, atomik kuvvet mikroskopu ile 20-30 nm olarak bulundu.
Teşekkür: Bu çalışma CBP.EAP.CLG 983724 nolu, “Diluted Nitrides for Tandem Solar cells” isimli proje ile
NATO tarafından desteklenmiştir.
77
P71
çinko oksit yapılarının optik ve yapısal özelliklerine film kalınlığının etkisinin
incelenmesi
S. Ş. Çetin, T. Asar, Y. Özen, G. Kurtuluş, T. Memmedli ve S. Özçelik
RF magnetron püskürtme tekniği kullanılarak, farklı kalınlıklara sahip üç tane ZnO yapısının
cam alttaş üzerine 200 C sıcaklıkta kaplandı. Numunelerin kristalografik yapısı X-ışını
kırınımı (XRD) tekniği ile incelendi. Soğurma katsayısı ve film kalınlıkları UV–Vis
spektrometresi ile elde edilen geçirgenlik spektrumu kullanılarak hesaplandı. Kırılma indisi
(n) ve sönüm katsayısı (k) gibi optik sabitler geçirgenlik spektrumundan belirlendi. Ayrıca
ZnO yapılarının oda sıcaklığı fotolüminesans (PL) ve UV–Vis ölçümleri sonucu emisyon pik
enerji pozisyonları karşılaştırmalı olarak incelendi. Film kalınlığının optik ve yapısal
özellikler üzerine etkisi tartışıldı.
Teşekkür: Bu çalışma 2011K120290 nolu proje ile DPT tarafından desteklenmiştir.
78
P72
MBE tekniği ile büyütülen GaxIn1-xP/GaAs alaşımlarının kritik nokta
enerjilerinin spektroskopik elipsometre ile incelenmesi
S. Ş. Çetin1, B. Kınacı1, E. Pişkin1, H. İ. Efkere2, T. Memmedli1 ve S. Özçelik1
1
2
Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Kayseri
Katı kaynaklı moleküler demet büyütme (MBE) tekniği kullanılarak, farklı kompozisyonlara
sahip GaInP yarıiletken alaşımları GaAs alttaş üzerine büyütüldü. Yüksek çözünürlüklü Xışını kırınım desenlerine LEPTOS yazılımı kullanılarak simülasyon yapılması ile numunelerin
alaşım oranı (x) belirlendi. Ayrıca, oda sıcaklığı fotolüminesans (PL) ölçümleri sonucu elde
edilen emisyon pik enerji pozisyonları alaşım oranına bağlı olarak incelendi. GaInP
yapılarının bantlararası-geçiş kenarlarının kritik nokta enerjileri ( E0 , E0  0 , E1 ve E1  1 ),
0.7–4.7 eV aralığında spektroskopik elipsometre (SE) ölçümleri ile belirlendi. Bu amaçla
dielektrik fonksiyonunun reel kısmının ikinci türev spektrumları “standart kritik nokta çizgişekli” eşitliklerine en küçük kareler yöntemi ile fit edilerek, galyum kompozisyonuna göre
kritik nokta enerji değerlerinin değişimi incelendi.
Teşekkür: Bu çalışma 2011K120290 nolu proje ile DPT ve 05/2010-34 nolu proje ile BAP tarafından
desteklenmiştir.
79
P73
Üçlü ZnSnAs2 yarıiletken bileşiğinin elektronik, termodinamik ve optik
özelliklerinin ab inito metot ile hesaplanması
S. Şahin1, Y. Ö. Çiftci1*, K. Çolakoğlu1, S. Aydın1, E. Deligöz2
1
Gazi Üniversitesi, Fizik bölümü, Teknikokullar,06500, Ankara, Türkiye
2
Aksaray Üniversite, 68100, Aksaray, Türkiye
Üçlü ZnSnAs2 kalkopirit yarıiletken bileşiğin elektronik, termodinamik ve optik özellikleri
düzlem-dalga psödo potansiyeli metodu yerel yoğunluk fonksiyonu yaklaşımı kapsamında ilk
prensip (ab inito) hesaplamaları yapılarak incelendi. Bu hesaplardan elde edilen bilgilerle
bileşiğin örgü sabitleri, sertliği, bulk modülü, bulk modülünün basınca göre birinci dereceden
türevi, Zener anizotropi faktörü, Poisson oranı, Young modülü ve izotropik shear(kayma)
modülü gibi fiziksel parametreleri hesaplandı. Yarıiletkenlerin termodinamik özelliklerinin
bulunmasında kullanılan yarı-harmonik Debye modeli termodinamik özelliklerinin
hesaplanmasında kullanıldı. Hacmin sıcaklığa ve basınca bağlı davranışı, lineer genleşme
katsayısı, ısı kapasitesi, oluşum enerjisi, Debye sıcaklığı ve Grüneisen parametresi 0–80 GPa
basıncında ve 0–1000 K sıcaklık aralığında hesaplandı. ZnSnAs2„nın optik özellikleri
dielektrik fonksiyonunu kırılma indisi, sönüm katsayısı, soğrulma katsayısı, optik yansıma ve
elektron enerjisi kayıp spektrumu 0–25 eV enerji aralığında nasıl değiştiği incelendi. Elde
edilen sonuçlar mevcut deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırıldı.
80
P74
Bazı nadir toprak elementi hexaboritlerin (REB6, RE=La ve Pr) bağlanma ve
sertlik karakteristiklerinin ilk-prensipler yoluyla incelenmesi
S. Aydın1,*, Y. Çiftçi1, A. Tatar1
1
(REB6, RE=La ve Pr) nadir toprak elementi hexaboritlerinin yapısal, elektronik ve elastik
özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisi kapsamında, değiş-tokuş korelasyon fonksiyoneli
için genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA) seçilerek, ultrasoft pseudopotansiyeller
kullanılarak incelendi. Polikristal yaklaşımı altında, hesaplanan elastik sabitler yardımıyla,
Bulk modülü, Young modülü ve makaslama modülü gibi mekanik özellikler belirlendi.
Kristallerin bağlanma karakteristikleri incelenerek, mikrosertliklerinin doğası araştırıldı.
81
P75
Pt2CoAl ve Pt2FeAl Heusler alaşımlarının yapısal, manyetik, elektronik ve
elastik özellikleri
Ş. Uğur1, A. Ekiz1 ve R. Ellialtıoğlu2
1
2
Kübik L21 yapıdaki Pt2CoAl ve Pt2FeAl Heusler alaşımlarının yapısal, manyetik, elektronik
ve elastik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi kapsamında genelleştirilmiş gradiyent
yaklaşımı kullanılarak incelendi. Alaşımların örgü sabitleri, ikinci dereceden elastik sabitleri
ve toplam manyetik momentleri hesaplanarak diğer çalışmalarla karşılaştırıldı. Temel simetri
yönleri boyunca elektronik bant yapısı, ile kısmi ve toplam durum yoğunluğu eğrileri aşağıspin ve yukarı-spin durumlar için çizildi.
desteklenmiştir.
82
P76
CaCd bileşiğinin yapısal, elektronik, elastik ve termodinamik özelliklerinin
ab-initio yöntemi ile incelenmesi
T. Öztürk1, Y. Çiftci1, K. Çolakoğlu1, ve E. Deligöz2
1
2
Gazi Üniversitesi, Ankara ,Türkiye,
AksarayÜniversitesi,Ankara, Türkiye,
CaCd bileşiğinin yapısal, elektronik, elastik ve termodinamik özellikleri genelleştirilmiş
gradyent yaklaşımı (GGA) ve yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) altında yoğunluk fonksiyonel
teorisi ve düzlem dalga pseudo-potansiyeli teorisine dayanan ab initio metodla incelendi. Yapı
parametresini incelemek için CsCl (B2) ve NaTl (B32) gibi iki farklı yapı kullanıldı. CaCd‟un
termodinamik özelliklerini incelenmek için quasi-harmonik debye modeli uygulandı. CaCd
bileşiğinin her iki fazı içinde örgü parametreleri, bant yapıları ve durum yoğunluğu eğrileri,
elastik sabitleri, Debye sıcaklıkları, erime sıcaklıkları, ses hızları, Zener anizotropi faktörü,
Young ve izotropik Shear modülleri, Poisson oranları hesaplandı. Ayrıca, termodinamik
özelliklerin basınçla ve sıcaklıkla değişimi incelendi. Elde edilen sonuçlar mevcut deneysel ve
teorik sonuçlarla karşılaştırıldı. Kullandığımız metodun bileşiklerin özelliklerini oldukça
doğru bir şekilde tahmin ettiği görüldü.
83
P77
ZnO/p-Si Güneş Hücrelerinin Fabrikasyonu
T. Asar, B. Kınacı, K. Kızılkaya, Y. Özen, T. Memmedli ve S. Özçelik
Bu çalışma kapsamında; fotovoltaik özelliklerini değerlendirmek amacıyla dört adet ZnO ince
film RF magnetron püskürtme yöntemi ile p-tipi Si (100) tek-kristali üzerine kaplandı. Bütün
ZnO ince filmler 200 oC‟de, 1000 Å kalınlığında kaplanmıştır. Numunelerden biri sadece ZnO
hedefi kullanılarak oluşturuldu; diğer üç numune farklı O2/Ar oranlarındaki (10/90, 20/80,
30/70) oksijen varlığında reaktif yöntemle elde edildi. Numunelerin yüzey morfolojisi atomik
kuvvet mikroskopu (AFM) ile incelendi. 1×1 cm2 boyutlarındaki örnekler kullanılarak güneş
hücresi fabrikasyonu yapıldı. Hücrelerin oda sıcaklığında, karanlık ve ışık altındaki akım gerilim (I–V) ölçümleri alındı. I–V verileri kullanılarak, kısa devre akımı (Isc), açık devre
gerilimi (Voc), dolum faktörü (FF), enerji dönüşüm verimi () gibi güneş hücresi çıktı
parametreleri hesaplandı. Doğal n-tipi özelliğe sahip ZnO filmlerinin p-Si üzerine
büyütülmesi ile fotovoltaik etki oluştuğu belirlendi.
Teşekkür : Bu çalışma 2011K120290 nolu proje ile DPT tarafından desteklenmiştir.
84
P78
GaAs güneş hücrelerin farklı fabrikasyonlarının hücre verimine etkisi
T. Asar1, S. Ş. Çetin1, G. Kurtuluş1, E. Pişkin1, H. İ. Efkere2,
T. Memmedli1 ve S. Özçelik1
1
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara, Türkiye
2
Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Kayseri, Türkiye
Bu çalışmada; fabrikasyon adımlarındaki değişimin, GaAs güneş hücresinin elektriksel
parametrelerine (kısa devre akımı (Isc), açık devre gerilimi (Voc), dolum faktörü (FF), enerji
dönüşüm verimi ()) etkileri incelendi. GaAs güneş hücre yapısı, katı kaynaklı moleküler
demet büyütme (SSMBE) tekniği kullanılarak, n-tip, (100) yönelimli, 625 µm kalınlıklı, 3”
GaAs alttaş üzerine, sırasıyla, 1m n-tip GaAs tampon ve 2,5 m p-tip GaAs tabaka olarak
büyütülmüştür. 1×1 cm2 boyutlarındaki örneklere Güneş hücresi fabrikasyonu yapıldı. İki
farklı metalizasyon yöntemi kullanılarak, güneş hücresinin çıktı parametrelerindeki
değişiklikler incelendi. Ön dairesel nokta kontaklar her iki hücre için aynı yöntemle
gerçekleştirildi. Numunelerin arka kontak metalizasyon işlemlerinden biri, ön yüzeyin belli
bir kısmının 4 m aşındırılmasının ardından, aşındırılan kısma; diğeri ise numunenin arka
yüzeyinin tamamına yapıldı. Fabrikasyonları tamamlanan numunelerin oda sıcaklığında,
karanlık ve ışık altındaki akım – gerilim (I–V) ölçümleri alındı. Ölçümler sonucunda elde
edilen verilere ait I–V grafikleri çizilerek, güneş hücresi çıktı parametreleri hesaplandı. Elde
edilen verilere bakıldığında, ön taraftan yapılan arka kontak metalizasyon işlemli hücrede
enerji dönüşüm veriminin () daha yüksek olduğu görüldü.
Teşekkür : Bu çalışma 110T333 nolu proje ile TÜBİTAK tarafından desteklenmiştir.
85
P79
Yüksek basınç altında UC2 kristalinin yapısal, elektronik ve elastik özelliklerinin
yoğunluk fonksiyoneli teorisi ile incelenmesi
Y. Ö. Çiftçi, A. Tatar, ve S. Aydın
CaC2-tipi UC2 kristalinin 0–17 GPa basınç aralığında yapısal, elektronik ve mekanik
özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisini temel alan ilk-prensip hesaplamaları yapılarak
araştırıldı. Öncelikle 0 GPa‟daki yapının elektronik özellikleri, bağlanma karakteristikleri,
elastik özellikleri ve bunlara bağlı olarak bulk modülü, makaslama modülü gibi mekanik
özellikleri incelendi, sertliği hesaplandı. Yapı üzerine 0–17 GPa aralığında hidrostatik basınç
uygulanarak, incelenen bu özelliklerin basınçla nasıl değiştikleri araştırıldı.
86
P80
% 0.2 Bor katkılı ZnO ince filmlerin elektriksel ve optik özelliklerinin
incelenmesi
G. Babür1, G. Çankaya2 , U. Kölemen1
1
Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 60240 Tokat, TÜRKİYE
2
Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi
Malzeme Mühendisliği 06030 Ankara, TÜRKİYE
Çinko oksit (ZnO) yasak band aralığı yaklaşık 3.3 eV olan ve elektromanyetik spektrumun
geniş bir aralığında yüksek geçirgenliğe sahip bir malzemedir. Uygun katkı malzemeleri
kullanarak optik, yapısal ve elektriksel özelliklerini iyileştirmek mümkündür. Çinko oksit
ucuzluğu, sağlığa zararlı olmaması ve diğer şeffaf iletken malzemelere alternatif olma
özelliklerinden dolayı son yıllarda yaygın olarak çalışılmaktadır. Katkılı ve katkısız ZnO
filmler farklı metotlarla hazırlanmaktadır. Bunların arasında sol–jel metodu geniş yüzeylere
ucuz bir maliyetle kolay uygulanabilirliği ve film kompozisyonunun kontrolünün kolaylığı
sebebiyle tercih edilmektedir. Bu çalışmada, ince film üretim tekniklerinden biri olan sol–gel
spin coating tekniği kullanılarak % 0.2 Bor (B) katkılı ZnO ince filmi elde edilmiş olup,
filmin optik ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Bunun yanında, B konsantrasyonu ve
tavlama sıcaklığı için taşıyıcıdan gelen B difüzyonunun etkisi de analiz edilmiştir.
Teşekkür: Bu çalışma, Gaziosmanpaşa Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Başkanlığı tarafından (Proje
No: 2011/37) desteklenmiştir.
87
P81
Farklı Se–Te katkı oranlarının (x=0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0,8, 1.0) CuIn0.7Ga0.3Se2–xTex
ince filmlerinin morfolojik ve optik özellikleri üzerine etkisi
S. Fiat1, P. Koralli 2 , İ. Polat3 , E. Bacaksız3, G. Çankaya4 ve M. Kompitsas5
1
Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 60240 Tokat, Türkiye
2
School of Mechanical Engineering, National Technical University of Athens, Iroon
Polytechniou 9 Zografu, 15780 Atina, Greece
3
Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 61080 Trabzon,
Türkiye
4
Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Malzeme
Mühendisliği, 06030 Ankara
5
National Hellenic Research Foundation, Theoretical and Physical Chemistry
Institute, 11635 Atina, Greece
Son zamanlarda ince filmler bilim ve teknolojinin gelişiminde çok önemli roller
oynamaktadırlar. İnce filmler farklı birçok malzeme üzerine nano veya mikro boyutlarda
kaplanarak, malzemelerin optik, mekanik ve elektriksel özeliklerini arttırabilmektedirler.
Özellikle kalkopirit yapılı ve I–III–VI2 yarıiletken ince filmler başta fotovoltaik uygulamalar
olmak üzere birçok alanda yaygın bir şekilde kullanılmaktadır. Periyodik tablonun I., III. ve
VI. Grup elementlerin üçünün ya da daha fazlasının bir araya gelmesi ile oluşan bu bileşik
yarıiletkenlerinin soğurum katsayıları (α = 104 – 105 cm–1) yüksek olup; bakır, indiyum ve
selenyumdan yapılan üçlü bileşik yarı-iletkenle başlayan bu grup CIS güneş pilleri olarak
isimlendirilir. Bu tür yapılarda ilk üretilen güneş pillerindeki soğurucu tabaka CuInSe2 yapısı
olmuştur. Daha sonra farklı elementler katkılanarak verim artırma çalışmaları yapılmıştır ve
şuanda en çok ilgi gören yapılar Ga katkılı Cu(InGa)Se2 (CIGS) dörtlü yapılar olmuştur.
Bizim çalışmamız ise bu yapıya Te katkılayarak (x = 0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0,8, 1.0); Se ve Te
oranlarını değiştirmek suretiyle optik ve yüzey özelliklerini iyileştirmektir. Buna istinaden
farklı oranlarda katkıladığımız Se ve Te miktarlarının filmlerin kalınlık, kırılma indisi, sönüm
katsayısı, ve band aralığı üzerine etkisi incelenmiş olup, AFM ile nano boyutta yüzey haritası
görüntülenmiştir.
88
P82
Kuantum noktalarda ‟ de spin droplet oluşumu
H. Atcı 1,2,3, E. Räsänen 2, U. Erkarslan 1, ve A. Sıddıki 3,4
1
2
Muğla Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 48170-Kötekli-Muğla, Türkiye
Jyväskylä Üniversitesi, Nano Bilim Merkezi, Fizik Bölümü, FI-40014-Jyväskylä, Finlandiya
3
İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 34134-Vezneciler-İstanbul, Türkiye
4
Harvard Üniversitesi, Fizik Bölümü, MA-02138-Cambridge, ABD
Kuantum noktalarda doldurma faktörü 5/2 durumu, doldurma faktörü 2 olan spinlerin
çiftlenmiş olduğu tam dolu en düşük Landau seviyesi (0LL) ve spin droplet yardımıyla
açıklanan doldurma faktörü 1/2 spin-polarize yarım dolu bir sonraki Landau seviyesinin
(1LL) karışımını içerir. Spin droplet oluşumu, kollektif etkileşen elektronlar olgusudur ve
kuantum noktalarda toplam elektron sayısı yeterince fazla olduğunda meydana gelmektedir.
Bu çalışmada, iki boyutlu yarı iletken kuantum noktalar doldurma faktörü 2  v  5 / 2
aralığında nümerik çok elektron metotları kullanılarak spin droplet oluşumu incelenmiştir.
89
P83
c-Si/a-Si:H heteroeklemlerinin üretilmesi ve optoelektronik özelliklerinin
incelenmesi
G. Başer ve A. Bacıoğlu
Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe, 06800, Ankara.
PECVD sisteminde, silan (SiH4) gazının RF plazması kullanılarak, hidrojenlendirilmiş amorf silisyum
(a-Si:H) ve silan-azot karışımının plazması kullanarak hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-azot alaşımı
(a-SiNx:H) ince filmler Corning 7059 alttaşlar üzerine büyütülerek, optik ve elektriksel
karakterizasyonları yapılmıştır. Daha sonra, a-Si:H ve a-SiNx:H tek katman örneklerin p tipi kristal
silisyum alttaş üzerine büyütülmesiyle c-Si/a-Si:H heteroeklemleri üretilmiştir. a-Si:H ince filmler,
PECVD sisteminde, vakum odası basıncı 200 mTorr, SiH4 gaz akış hızı 10 sccm ve alttaş sıcaklığı 300
°C değerlerinde sabit tutularak, RF güç yoğunluğu 16±3 mW/cm2 ile 31±3 mW/cm2 arasında
değiştirilerek üretilmiştir. Elektriksel ve optik özellikleri, sıcaklığa bağlı karanlık iletkenlik, optik
geçirgenlik ve sabit fotoakım yöntemi (CPM) deneyleri ile incelenen bu örneklerin en düşük kopuk
bağ yoğunluğuna sahip hazırlama koşulları hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-azot (a-SiNx:H) ince
filmlerin üretiminde temel alınmıştır. Aynı hazırlama koşulları kullanılan a-SiNx:H ince filmlerde,
reaktöre giren gaz akış oranı r (=FN2/( FN2+ FSiH4)), 0,09 ile 0,50 arasında ayarlanarak değiştirilmiştir.
Tüm a-SiNx:H filmlerin karakterizasyonunda da optik geçirgenlik, sıcaklığa bağlı karanlık iletkenlik
ve sabit fotoakım yöntemi (CPM) ölçüleri kullanılmıştır. Düşük kopuk bağ kusur yoğunluğuna ve
yüksek iletkenliğe sahip a-SiNx:H örneğin hazırlama koşulları c-Si/a-SiNx:H ve c-Si/a-Si:H/a-SiNx:H
yapıdaki heteroeklemlerin üretiminde kullanılmıştır.
Heteroeklem üretiminde kullanılacak katmanların karakterizasyonundan sonra, temizliği ve alt kontağı
atılan p tipi kristal silisyum alttaş üzerine ~10 nm kalınlığında a-SiNx:H tek-katman, RF plazma
biriktirme sisteminde büyütülmüştür. İnce film üretildikten sonra ısıl buharlaştırma sisteminde üst
kontaklar atılmıştır. Karanlık ve aydınlatma altında J–V ölçümleri yapılmıştır. Karanlık J–V
eğrisinden p tipi kristal silisyum üzerine büyütülen a-SiNx:H katmanın n tipi gibi davranış sergilediği,
üretilen aygıtın bir p–n eklem gibi karanlık J–V eğrisi verdiği gözlenmiştir. Karanlık J–V
ölçümlerinden, seri direnç RS = 650 Ω ve paralel direnç RP = 46 kΩ olarak hesaplanmıştır. Şiddeti 80
mW/cm2 olan kuartz halojen lamba aydınlatması altında alınan J–V verisinden ise açık devre gerilim
(Vad), kısa devre akım yoğunluğu (Jkd),doluluk oranı (FF) ve verim, sırasıyla, 0,40 V, 0,50 mA/cm2,
%7,1, ve %0,1 olarak hesaplanmıştır. Dış toplama verimliliği (external collection efficiency-ECE) ve
tayfsal duyarlılık (spectral response-SR) ölçümleri yapılmıştır. 600 nm–700 nm dalgaboyu aralığında
kuantum verimliliğinin en büyük değer olan 0,002 ve SR ise 750 nm civarında en büyük değeri olan
1,2 mA/W‟a ulaşmıştır. c-Si/a-SiNx:H heteroeklemlerine, farklı kalınlıklarda a-Si:H katman eklenerek
c-Si/a-Si:H/a-SiNx:H heteroeklemler üretilmiştir. 200 nm, 300 nm ve 500 nm a-Si:H katman
kalınlığına sahip bu heteroeklemlerin karakterizasyonu için J–V eğrileri, ECE, SR eğrilerinden
yararlanılmıştır. En büyük Vad ve Jkd değerleri, 500 nm i-tabaka kalınlığına sahip örnekte, 0,42 V ve
0,34 mA/cm2 olarak ölçülmüştür. En büyük verim ise yine aynı örnekte %0,04 olarak hesaplanmıştır.
90
P84
Görünür bölge dielektrik aynalar
G. Gündoğdu ve Ö. D. Coşkun
Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara, Türkiye
Bu çalışmada yüksek indisli malzeme olarak TiO2, düşük indisli malzeme olarak da SiO2 ince
filmler kullanılarak elektromagnetik spektrumun görünür bölgesi ve yakın IR bölgesi için
dielektrik aynalar tasarlanmış, tasarlanmış olan dielektrik aynalardan bir kaçı Hacettepe
Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, İnce Film Hazırlama ve Karakterizasyon
Laboratuvarı‟nda bulunan RF magnetron kopartma sistemi kullanılarak hazırlanmıştır.
Öncelikle bireysel film malzemeleri hazırlanarak optik karakterizasyonları yapılmıştır. Her iki
malzeme içinde uygun çalışma koşulları belirlenmiştir. Hazırlanmış olan filmlerin 350-1100
nm dalga boyu aralığında s ve p polarizasyon optik geçirgenlik ve optik yansıtma ölçümleri
laboratuvarımızda buluna nkd-8000e Aquila spektrofotometre kullanılarak alınmıştır.
Hazırlanmış olan filmlerin enerji band aralıkları hesaplanmıştır. Matlab ve TFC optik tasarım
programı kullanılarak, görünür bölge için λ/4 kalınlıklı katmanlardan oluşan optik kaplamalar
tasarlanmıştır. Şekil 1 ve Şekil 2‟de sırası ile görünür bölge için tasarlanmış 7 katlı ve 11 katlı
optik kaplamanın dalga boyuna bağlı optik yansıtma grafikleri görülmektedir. Şekil 3‟de ise
yakın IR bölgesi için tasarlanmış 7 katlı optik kaplamanın dalga boyuna bağlı optik yansıtma
grafikleri görülmektedir. Yapılmış olan tasarımlar ile deneysel çalışma sonuçları çok iyi bir
şekilde uyuşmaktadır.
Şekil 1. Tasarlanmış olan 7 katlı dielektrik aynanın S/(HL)^3 H/A
dalga boyuna bağlı olarak yansıtma değişimi. S:Alttaş-Mikroskop
camı, H:TiO2 , L: SiO2, A:Hava.
Şekil 2. Tasarlanmış olan 11 katlı dielektrik aynanın S/(HL)^5 H/A dalga boyuna bağlı olarak yansıtma
değişimi. S:Alttaş-Mikroskop camı, H:TiO2 , L: SiO2, A:Hava.
Şekil 3. Tasarlanmış olan 7 katlı dielektrik Yakın kızılaltı bölgesi için aynanın S/(HL)^3 H/A dalga boyuna bağlı
olarak yansıtma değişimi. S:Alttaş-Mikroskop camı, H:TiO2 , L: SiO2, A:Hava.
91
P85
Tavlamanın Nb2O5 ince filmlerin optik ve yapısal özellikleri üzerindeki etkisi
M. Yeşiltepea,b, Ö. D. Coşkunb
a
b
Hacettepe Üniversitesi, Nanoteknoloji ve Nanotıp, Ankara, Türkiye
Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara, Türkiye
Nb2O5 ince filmler yüksek kırılma indisleri, üstün kimyasal kararlılığı ve korozyon direnci
gibi özelliklerinin sonucu olarak pek çok modern teknoloji uygulamalarına sahiptir ve yaygın
olarak optik girişim filtreleri, elektrokromik filmler ve gaz sensör malzemeleri gibi
uygulamalarda kullanılırlar. İnce filmlerin büyütme koşullarına bağlı olarak, farklı optik ve
yapısal özellikler kazanmaları sağlanabilir. Aynı şekilde, büyütme işleminden sonra
uygulanan ısısal tavlama işlemi ile filmin kristal yapısının değişmesine bağlı olarak optik
geçirgenlik, yansıtma, enerji bant aralığı, soğurma ve saçılma gibi özelliklerinde de
değişimler meydana gelmektedir. Oda sıcaklığında büyütülen amorf Nb2O5 ince filmler sahip
oldukları yüksek optik geçirgenlikleri ile pek çok optik filtrelerde kullanılabilmektedirler;
ancak elektrokromik uygulamaları için iyonların kristal yapıyla etkileşmeleri daha kolay
olduğundan bu tip uygulamalar için kristal yapı daha avantajlıdır.
Bu çalışmada Nb2O5 ince filmler, Hacettepe Üniversitesi Fizik mühendisliği bölümü İnce
Film Ölçüm ve Karakterizasyon laboratuarında bulunan, RF magnetron kopartma tekniği
kullanılarak, oda sıcaklığında hazırlanmıştır. s ve p polarizasyon optik geçirgenlik ve
yansıtma ölçümleri, nkd-8000e Aquila spektrofotometre kullanılarak 350–1100 nm dalga
boyu aralığında alınmıştır. Hazırlanmış olan filmlerin dalga boyuna bağlı olarak kırma indisi
ve soğurma sabiti değişimleri, optik ölçümlerinin Code V optik karakterizasyon programı
kullanılarak, Kim osilatör modeli [1] ile uyuşumu işlemi sonucunda elde edilmiştir. Filmlerin
kristal yapı analizleri, yüzey pürüzlülükleri ve elementel analizleri de sırası ile, Rigaku D-max
B yatay difraktometre, Nano Magnetics Instruments AFM ve XPS kullanılarak yapılmıştır.
Daha sonra, aynı film 24 saat süresince 700 C' de tavlanmış, aynı ölçümler tekrarlanarak oda
sıcaklığında hazırlanan film ile tavlanmış olan filmin yapısal ve optik özellikleri
karşılaştırılmıştır.
Referans:
[1] C. C. Kim, J. W. Garland, H. Abad, and P. M. Raccah, Phys. Rev. B 45 (20) 1992, 11749–11767.
92
P86
GS17CrMo5-5 çeliğinin mekanik özellikleri
E. Öztuyak1, Ö. Aykut2, C. Değirmenci2, ve F. Meydaneri1
1
Karabük Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü,
78050, Karabük, 2Kardökmak A.Ş., 78050, Karabük,
Termik santrallerde oldukça fazla kullanılan C:0.165, Mn:0.58, Si:0.32. P:0.017, S:0.022,
Cr:1.00, Ni:0.22, Mo:0.55 bileşimine sahip GS17CrMo5-5 ferritik çeliğinin döküm sıcaklığı
1580 0C‟dir. Bu çalışmada, numunelerden birincisi 950 0C‟de 1 saat tavlanmış olup, bu
sıcaklıktan su verilmiştir. Tekrar 680 0C‟de 1 saat tavlanarak, fırında soğumaya bırakılmıştır.
İkinci numune ise 950 0C‟de 1 saat tavlanmış ve havada soğutulmuş, sonra tekrar 680 0C‟de 1
saat temperlenerek, havada soğumaya bırakılmıştır. Bu ısıl işlemler sonucunda birinci
numune için çentik darbe değeri 43.5, 39.2, 30.2 joule‟dür. İkinci numunede ise çentik darbe
değeri 19.9, 27, 16.4 jouledir. Birinci numune için akma dayanımı 482 N/mm2, çekme
dayanımı 624 N/mm2, % uzama 20 ve % kesit daralması 46 iken, ikinci numune için akma
dayanımı 352 N/mm2, çekme dayanımı 558 N/mm2, %uzama 22 ve % kesit daralması 46
olarak bulunmuştur. Buna göre fırında soğumaya bırakılan birinci numunenin tokluğunun
havada soğumaya bırakılan ikinci numuneye göre daha iyi olduğu ve standartlara uygun
olduğu sonucuna varmaktayız.
Teşekkür: Bu çalışma Kardökmak A. Ş. tarafından desteklenmiş olup, Şirket Müdürü ve dökümhane
çalışanlarına teşekkür ederiz.
93
P87
Orta-kızıl ötesi bölgede (8–12 μm) çalışan GaAs/AlGaAs kuantum kuyu
foto-algılayıcılarında karanlık akım modellemeleri ve deneyleri
Y. Kıtay1, H. Kuru2, B. Arpapay2, H. Yıldırım1, U. Serincan2, ve B. Aslan2
1
2
Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Karabük Üniversitesi, Karabük 78050
Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Anadolu Üniversitesi Yunus Emre Kampüsü, Eskişehir 26470
GaAs/AlGaAs tabanlı, 8–12 μm atmosfer penceresinde çalışan çok katmanlı kuantum kuyu
kızılötesi foto-algılayıcıları için, üç boyutlu taşıyıcı sürüklenme modeli ve yayılma-tutma
modeli olmak üzere iki farklı karanlık akım modellemesi yapıldı. Kullanılan modellerde
karanlık akım kaynağı olarak, alt ve üst kontak bölgeler arasına uygulanan potansiyel farkın
etkisiyle bariyerler üzerinden akan elektronlar ve kuyularda yakalanan ve dışarıya verilen
elektronlar düşünüldü. Modellemeler sonrasında elde edilen sonuçlar, aynı yapı içinde farklı
kuantum kuyu genişliklerine sahip yapılarda sıcaklığa bağlı olarak yapılan akım-voltaj ölçüm
sonuçlarıyla karşılaştırıldı. Yapılan hesapların, ölçümlerle iyi bir şekilde uyuştuğu gözlendi.
94
P88
Bi-2212 süperiletkenlerinin mekanik özellikleri üzerine Lu (Lutesyum)
katkısının etkisi
E. Asıkuzun1, O. Yıldız1, M. Coskunyürek1, S. Kaya1, S. P. Altıntaş2 ve O. Öztürk1
1
2
Fizik Bölümü, Kastamonu Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, 37200, Kastamonu
Fizik Bölümü, Abant İzzet Baysal Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, 14280, Bolu
Bu çalışmada, 840oC‟ de 50 saat süreyle tavlanmış Bi-2212 süperiletkenlerinin mekaniksel ve
süperiletkenlik özellikleri üzerine Lu (Lutesyum) katkısının etkisi incelendi. Numuneler,
yüksek sıcaklık süperiletkenlerini hazırlamada en yaygın yöntem olarak kullanılan katıhal
tepkime yöntemi ile hazırlandı. Hazırlanan numunelerin süperiletkenlik özelliklerini
belirlemek için dc elektriksel özdirenç ölçümleri, mekanik özelliklerini belirlemek için ise
Vickers mikrosertlik ölçümleri yapıldı. Yüksek sıcaklık süperiletkenlerinin mekanik
özelliklerinin karakterize edilmesi, bu malzemelerin mühendislik ve teknolojik
uygulamalarında kullanımı açısından oldukça önem taşımaktadır. Zira bu malzemeler
çoğunlukla seramik oldukları için özellikle kablo yapımında kırılganlıklarının tespit edilmesi
kullanılabilirliği açısından oldukça önemlidir. Bu nedenle çalışmamızda Lu katkılı Bi-2212
süperiletkenlerinin mekaniksel özellikleri üzerinde daha fazla durulmuştur. Katkılı ve katkısız
numunelerin yüke bağlı ve yükten bağımsız olarak Vickers mikrosertlik, elastik modülü,
gerilme ve kırılma dayanımı değerleri ayrı ayrı hesaplandı. Sonuç olarak, sertlik ölçümlerinin
deneysel sonuçları Meyer kanunu, PSR modeli, modifiye edilmiş PSR modeli (MPSR),
elastik/plastik deformasyon modeli (EPD) ve Hays–Kendall yaklaşımı kullanılarak analiz
edildi ve numuneler üzerindeki çentik boyutu etkisini (ÇBE) açıklamada Hays–Kendall
yaklaşımı en başarılı model olarak belirlendi.
95
P89
Farklı koşullarda SiO2 yapı içerisinde elde edilen yarıiletken
nanokristallerin yapısal ve spektroskopik karakterizasyonun incelenmesi
B. Şahin ve S. Ağan
Kırıkkale Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,
Çalışmamızda SiOx içerisinde Si, Ge ve SiGe yapılı ince filmlerin elde edilmesi için Plazma
ile Güçlendirilmiş Kimyasal Buharlaştırma Tekniği (PECVD) tekniği kullanılmıştır. Film
büyütme işleminde kullanılan GeH4, SiH4 ve N2O gazlarının farklı akış oranlarında farklı
özeliklerde ince filmler hazırlanmıştır. Büyütülen bu filmler daha sonra nanokristallerin
oluşabilmesi için farklı sürelerde ısıl tavlanma işlemine tabi tutulmuştur. Farklı gaz akış
parametresi ve farklı ısıl tavlama işlemlerinde elde edilen numulerin içerisinde oluşan nano
yapıların boyut ve boyut dağılımına ilişkin yapısal özellikleri HRTEM ve Raman
spektroskopi teknikleri yardımıyla araştırılmıştır. Film büyütme koşulları ve farklı ısıl
tavlamanın yarıiletken nanokristallerin özelliklerine olan etkileri belirlenmiştir. Spektroskopik
analizler yardımı ile farklı gaz akış oranlarında büyütülmüş filmlerde ve farklı sürelerdeki
tavlamalarda Ge nanokristallerin oluşturulabileceği görülmüştür.
96
P90
Çok katlı Ge,SiGe nanokristal oluşumu ve nanokristalli metal oksit yarıiletken
kapasitör uygulaması
E. C. Kayıkcı, B. Akyazı, N. M. Gümüş, E. Yaşar, S. Ağan ve A. Aydınlı*
Kırıkkale Üniversitesi, Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,
*
Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bilkent, Ankara
SiGeO içeren bir yapı yüksek sıcaklıkta tavlandığında Ge atomları bu yapıdan ayrılırlar ve
sistemde bir yandan oluşmaya devam eden SiO2 içerisinde bir araya gelerek kristal yapıyı
oluştururlar. Bu tez de bu fikirden yararlanılarak nanokristal oluşturulmuştur. Farklı gaz akış
miktarları, tavlama sıcaklıkları ve süreleri kullanılarak Ge naokristal oluşumundaki değişimler
gözlemlenmiştir. Amorf ince filmler Plazma ile Zenginleştirilmiş Kimyasal Buhar Depolama
(PECVD) tekniği ile büyütülmüştür. Ardından yüksek sıcaklık fırınında tavlanarak
nanokristaller elde edilmiştir. Kristallenme özellikleri Raman Spektroskopisi kullanılarak
kontrol edilmiştir. Nanokristal boyutları Geçirmeli Eletron Mikroskupu (TEM) ile
gözlemlenmiştir. Malzeme kompozisyonu ise Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) üzerinde
bulunan X ışını Dağılımı Spektoroskopisi (EDAX) dedektörü ile ortaya konulmuştur.
Metal Oksit Yarıiletken Kapasitör‟ ün oksit tabakasına gömülmüş nanokristallerin üretilme
amacı; Ge kuantum noktalarının şarj tutma özellikleri incelemektir. Nanokrsitallerin şarj
oldukları akım-voltaj (I–V) eğrilerindeki ani artışlarla gözlemlenmiştir. Ayrıca şarj
kapasiteleri de kapasitans-voltaj eğrilerindeki histerisislerde gözlemlenmiştir. Histerislerdeki
en fazla kayma V olarak bulunmuştur. Omik kontak direnci ise Geçirmeli Çizgi Methodu
(TLM) ile ölçülmüştür.
97
P91
Çift farklı yapılı {InxGa1-xNyAs1-y } kuantum yarıiletkende kuantum kuyu
lazerlerin incelenmesi
İ. Bilican, S. Yaşar*, B. Şahin, S. Ağan ve İ. Uluer
Kırıkkale Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , Kırıkkale
*Mustafa Kemal Üniversitesi,Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Hatay
Bu çalışmada, günümüzde nano teknolojik uygulamalarda bir çok araştırmacının dikkatlerini
üzerine çeken kuantum kuyu lazerlerin simülasyon yoluyla üretimi ve analizi yapılmıştır.
Lazer yapılar simülasyonda dizayn edilirken Fabry – Parot ve Fabry – Parot Ridge tipi lazer
yapı olarak iki farklı konfigürasyonda ele alınmıştır. Bu lazer yapılar {QWL / Bariyer(SCH)
/Kaplama} genel formuyla dizayn edilmiştir. Burada Kuyu malzemesi (QWL) olarak InGaAs
kuyular kullanılmıştır. Bariyer veya hapis sınırlama bölgesi (SCH :Seperate Confinement
Heterostructure) malzemesi olarak AlGaAs, GaAs, AsPGa, AlGaAs, GaAsP malzemeleri
kullanılmıştır. Kaplama (Cladding) malzemesi olarak da AlGaAs, GaAs, AlGaAs malzemeler
kullanılmıştır. Böylece InxGa1–xNyAs1–y lazerlerinin kuantum kuyu malzemesi, bariyer (SCH)
ve kaplama malzemelerinin çeşitli kompozisyon ve konfigürasyonlarda dizaynı ile
incelenmesi ve simülasyonu planlanmıştır. Özellikle QWL bölgesi kalınlıkları ve malzeme
karışım oranları (x=01 ve y=01 aralığında) değiştirilerek kuyu malzemesinin lazer çıkışı
ve kazancına etkilerine bakılmıştır. Her yapının bölge bölge (kuantum kuyu bölge, bariyer ve
hapis bölgeleri gibi) Bant - Enerji grafikleri ve değerleri, katkı oranları (n tipi ve p tipi
bölgeler için) profili ve değerleri üretilmiştir. Tasarlanan lazer yapıların {L–I–V} (Güç–
Akım–Voltaj) grafiği ve verileri üretilmiştir. Elde edilen tüm bu sonuçlar literatürle
karşılaştırılmıştır.
98
P92
Güneş hücrelerinde yararlanılabilecek Si3N4 matrisli ince filmlerin içerisinde
silikon nanokristallerin elde edilmesi
R. Karatepe , S. Ağan, N. A. P. Mogaddam* ve R. Turan*
Kırıkkale Üniversitesi, Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,
*Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, ODTÜ, Ankara
Bu çalışmada, güneş hücrelerinde yararlanılabilecek yapılar, silikon alttaş ve kuartz üzerine
plazma ile zenginleştirilmiş kimyasal buhar depolama tekniği (PECVD) ile farklı gaz akış
oranlarında silan ve amonyak gazları gönderilerek ince film amorf silikon nitrat yapılar
büyütüldü. Amonyak gazının silan gazına oranı değiştirilerek sitokometrik yapı ve zenginsilikon (rich-silikon) yapılar oluşturuldu. Böylece farklı gaz akış oranlarının nanokristal
oluşumuna etkisi incelendi. PECVD ile üretilen ince filmlerde hemen nanokristal oluşması
beklenmez çünkü yapı içerisinde bulunan silikon atomların kinetik enerjileri zayıf olduğundan
düzenli yapı oluşturmak için enerjiye ihtiyaç duyarlar. Bu yüzden kristal yapı oluşturmak için
yüksek sıcaklık fırınında, sabit azot gazı altında fırınlanmış ve farklı sıcaklıkların Si
nanokristalleri üzerine olan etkileri incelenmiştir. Silikon nitrat yapı içerisinde oluşturulan
silikon nanokristallerin yapısal ve optik özellikleri; Raman, Fotolüminesans ve FTIR
spektroskopisi teknikleri kullanılarak analiz edilmiştir.
99
P93
ZnO ince filmlerin optik özelliklerinde yaşlanma etkisi
E. Güngör ve T. Güngör
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi,15100 Burdur
İnce filmlerin optik sabitlerinin belirlenmesinde, elipsometrik ve mekanik yöntemlerin
yanında kullanım kolaylığı açısından optik geçirgenlik spektrumlarının çok sık kullanıldığı
bilinmektedir. Bu çalışmada ZnO filmler, çinko-asetat tuzu (Zn(CH3COO)2.2H2O), methanol
ve kristalleşmeyi engelleyecek uygun kimyasallar ile elde edilen çözeltilerinin kullanıldığı
ultrasonik kimyasal püskürtme (UKP) ve daldırmalı kaplama (DK) teknikleri ile
hazırlanmıştır. Biriktirme işleminden sonra, belirli süre ve sıcaklıklarda ısıl işleme maruz
bırakılan filmlerin, biriktirme işlemini takip eden farklı zaman aralıklarında, 300–900 nm
dalgaboyu aralığında UV–Vis spektrofotometre ile elde edilen optik geçirgenlik spektrumları
değerlendirilmiştir. Her iki teknikle elde edilen filmlerde, film eldesi için kullanılan çözeltinin
ve ısıl işlemin herhangi bir yaşlanma (aging) etkisi yaratıp yaratmadığı incelenmiştir.
100
P94
Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile hazırlanmış ZnO:Co ince filmlerin
optik özellikleri
E. Güngör1, T. Güngör1, E. Tıraş2
1
2
Fizik Bölümü, Anadolu Üniversitesi, 26470 Eskişehir,
Spintronik aygıt teknolojisindeki son gelişmeler, seyreltik manyetik yarıiletken (SMY)
malzemelerle ilgili araştırmaların çok önemli sonuçlarını içermektedir. Özellikle bu alanda
ZnO-tabanlı malzemelerin, oda sıcaklığı ya da yüksek Curie sıcaklıklarında çalışan malzeme
grubunda değerlendirilebilecek iyi bir alternatif olduğu düşünülmektedir. Bu çalışmada Cokatkılı ZnO ince filmler, Ultrasonik Kimyasal Püskürtme tekniği kullanılarak uygun
biriktirme koşullarında hazırlanmış ve öncelikle optik özellikler çerçevesinde
değerlendirilmiştir. Biriktirme tekniği için uygun sol–gel; çinko asetat dihidrat
(Zn(CH3COO)2.2H2O) ve cobalt asetat tetrahidrat (Co(CH3COO)2.4H2O) (%99.9, Merck)
tuzları methanol içinde çözülerek hazırlanmıştır. Biriktirme işleminden sonra, belirli süre ve
sıcaklıklarda ısıl işleme maruz bırakılan ZnO:Co filmlerin optik geçirgenlik spektrumları,
300-900 nm dalgaboyu aralığında UV-Vis spektrofotometre ile elde edilmiştir. Filmlerin
yüzey morfolojileri AFM görüntüleri ile incelenerek yüzey pürüzlülüğü belirlenmiştir.
ZnO:Co ince filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri (kırma indisi, sönüm katsayısı), nokta
tabanlı kısıtlamasız minimizasyon algoritması (PUMA) ile analiz edilmiştir.
101
P95
Bilgisayar kontrollü daldırmalı kaplama sistemi tasarımı
T. Güngör ve E. Güngör
Bu çalışmada Daldırmalı Kaplama (DK, dip coating) sistemi; düşey doğrultuda hareket
edecek olan mekanik birimin, bilgisayar kontrollü adım motoruyla kullanılması temelinde
tasarlanmıştır. Düşey doğrultuda yataklanmış olan sonsuz vida dişli mekanik birim, L297
dekoder entegresi ve BD135 güç transistörlerinden oluşan adım motor sürücü birimle
hareketlendirilmektedir. Bu sistemde adım motorun dönüşü (saat ibreleri veya saat ibrelerinin
tersi yönde), bilgisayarın yazıcı portundan sağlanan D0–D3 bitlerini giriş olarak kabul eden
dekoder entegresi ile kontrol edilmektedir. Alttaşın çözelti içine daldırılma hızı, çözelti içinde
bekleme süresi, geri çekme hızı ve kurutma için gereken bekleme süreleri uygun bilgisayar
yazılımları (QBASIC ve/veya Labview) ile ayarlanabilmektedir. Bu sistem kullanılarak alttaş
yüzeyinde film kaplama profilini kontrol etmek mümkündür. Sonuç olarak laboratuarda
üretilen bu sistemle, uygun sol-gel kullanılarak alttaş yüzeyine 1 cm/dak daldırma–çekme
hızında metal oksit ince film biriktirilebilmiştir. ZnO film biriktirme işlemi için elde edilen
film kalınlığı daldırma-çekme sayısına bağlı olarak ortalama 10 nm arasında değişmektedir.
102
P96
3-(2-(4-izopropilpiperazin-1-il)-2-okzoetil)-6-(4 metoksibenzoil)
benzo[d]tiyazol-2(3H)-on molekülünün optik soğurma spektrumu üzerine
çözücü etkisi
E. Güngör1, T. Güngör1 ve E. Taşal2
1
2
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15100 Burdur,
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, 26480 Eskişehir,
İlaç sektöründe güçlü ağrı kesici ve iltihap önleyici özelliklere sahip olmaları nedeni ile 2benzotiyazolinon türevleri üzerinde araştırmalar devam etmektedir. Bu çalışmada *3-(2-(4izopropilpiperazin-1-il)-2-okzoetil)-6-(4metoksibenzoil)benzo[d]tiyazol-2(3H)-on
molekülünün farklı çözücüler ile elde edilen çözeltilerinin optik soğurma spektrumları
değerlendirilmiştir. Çözelti formundaki örneklerin optik soğurma spektrumları, oda
sıcaklığında 200–900 nm dalgaboyu aralığında UV–Vis spektrofotometre ile elde edilmiştir.
Çözücü içindeki molekülün optik soğurma spektrumunda gözlenen maksimumun konumu
(dalgaboyu veya frekans değeri), çözücünün dielektrik sabiti (), kırma indisi (n), Kamlet–
Taft parametreleri olarak bilinen α ve  parametrelerine doğrusal olarak bağlıdır. Bunun için
çözücülerin dielektrik sabitleri, kırılma indisleri ve solvatokromik parametreleri (α ve )
referanslardan alınarak soğurma spektrumları üzerine çözücü ve substituent etkileri
tartışılmıştır.
Teşekkür: Bu çalışma, 108T192 numaralı TBAG projesi olarak, TÜBİTAK tarafından desteklenmiştir.
103
P97
Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen PbS yarıiletken ince filmin optik
özellikleri
F. Yavuz1, F. Göde1, E. Güneri2, F. Kırmızıgül3, C. Habiboğlu3, Ö. Filazi4 ve C. Gümüş3
1
2
Fizik Bölümü, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15030, Burdur.
İlköğretim Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Talas, 38039, Kayseri.
3
Fizik Bölümü, Çukurova Üniversitesi, Yüreğir, 01330, Adana.
4
Fizik Bölümü, Adıyaman Üniversitesi, 02040 Adıyaman
Bu çalışmada; PbS yarıiletken ince filmi kurşun asetat [(PbCH3COOH).2H2O], sodium
hidroksit (NaOH, pH = 12.63), tiyoüre (NH2CSNH2), trietanolamin [(HOCH2CH2)3N], trisodyum sitrat (C6H5Na3O7) sulu çözeltileri kullanılarak Kimyasal Depolama Yöntemi ile oda
sıcaklığında 2 saat bekletilerek elde edilmiştir. Elde edilen filmin yapısal özelliği x-ışını
kırınımı (XRD) ile incelenmiş ve filmin kübik yapıda, (111) düzlemi yönünde yöneldiği
görülmüştür. Kübik yapıya ait örgü parametresi a = 6.00 Å olarak bulunmuştur. Tane boyutu
ise (111) düzlemi kullanılarak 172 nm hesaplanmıştır. UV/VIS spektrometreden alınan
geçirgenlik (T), absorpsiyon (A) ve yansıma (R) ölçümleri kullanılarak elde edilen filme ait
yasak enerji aralığı (2.84 eV), kırılma indisi (n = 2.54, λ = 550 nm ), sönüm katsayısı (k) ve
dielektrik sabitleri [reel (ε1) ve komplex (ε2)] hesaplanmıştır.
Teşekkür: Bu çalışma, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri tarafından 0119-YL-10
nolu proje ile desteklenmiştir.
104
P98
Rh metalinin moleküler dinamik simülasyonu: Mekanik ve termoelastik
özellikler
Ü. Bayhan1, G. Aydın2, ve M. Çivi2
1
2
FizikBölümü, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15030, Burdur
Bu çalışmada, fcc yapıdaki Rh metali moleküler dinamik simülasyon yöntemi (MD) ile
incelendi. Sutton–Chen (SC) çokcisim potansiyeli kullanılarak 0 K–2000 K arasında yapısal
ve termodinamik özellikler araştırıldı. Rh tek metalinin mekanik özellikleri oluşturulan MD
simülasyonları (NPH, NPT, NVE) uygulandı. MD Simülasyonu periyodik sınır şartlarını
sağlayan kübik bir hücrede 500 atom içeren sistemle gerçekleştirildi. Sistemin elastik sabitleri
ve Bulk Modülünün sıcaklıkla değişimi incelendi.
105
P99
Cu-zengini CAIS ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin
incelenmesi
H. H. Güllü, İ. Candan, M. Parlak, ve Ç. Erçelebi
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi , 06531, Ankara
Güneş Araştırmaları ve Uygulamaları Merkezi, (GÜNAM), ODTÜ, Ankara
Bu çalışmada, CuInSe2 ve AgInSe2 üçlü yapılarının dört elementli bileşiği olarak
Cu1–xAgxInSe2 (CAIS) üzerinde yoğunlaşılmıştır. CAIS ince filmleri elektron demeti
buharlaştırma tekniği ile büyütülmüş ve bu üretimler için kristal tozu kaynağı Bridgman
kristal büyütme yöntemiyle üretilen CAIS kristalinden elde edilmiştir. İstenen stokiyometrik
oranın elde edilmesi için Cu ve Se ek kaynakları da ince film üretimi sırasında kullanılmış, ve
sonuçta CAIS ince filmleri katmanlı yapı olarak büyütülmüştür. Çalışmada temel olarak
yapıda Cu oranı Ag oranına göre fazla olan CAIS ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik
özellikleri analiz edilmiştir.
106
P100
CIGS yarıiletken ince filmlerinde bakır oranının yapı, elektrik,
ve optik özelliklere etkisi
İ. Candan, H. H. Güllü, M. Parlak, ve Ç. Erçelebi
Ortadoğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06531, Ankara
Saçtırma (sputtering) yöntemi ile farklı bakır oranları kullanılarak üretilen CIGS ince filmler,
bileşenlerinin oranına göre farklı elektriksel ve optik özellikler göstermektedir. Bu çalışmada
güneş pilinde emilim katmanı olarak kullanılan CIGS ince filmlerin yapısını oluşturan
bileşenlerinden bakır (Cu) elementinin oran değişiminin yapıya etkisi incelendi. Yarıiletken
ince filmler bakır miktarının yapıdaki oran degişimine göre olması gereken ve bakır zengini
filmler olarak üretildi. Üretilen bütün filmlerin yapısal özelliklerini incelemek için X-ışını
Kırınımı (XRD) ve Enerji Dağılımlı X-ışını Analizi (EDXA) yöntemleri kullanıldı. İnce
filmlerin kalınlıkları elipsometri ve kalınlık profilometresi kullanılarak analiz edildi.
Elektriksel özelliklerin tespit edilmesi için farklı bakır oranlarına sahip CIGS ince filmler,
100–400 K sıcaklık aralığında, sıcaklık bağımlı iletkenlik ölçümü, fotoiletkenlik ölçümleri
yapıldı. Ayrıca optik özellikleri, oda sıcaklığında 325–900 nm aralığında geçirgenlik
ölçümleri, foto-tepki (photoresponse) yöntemleri kullanılarak incelendi.
107
P101
Kuartzın alfa–beta geçişi için hacim verisinden hesaplanan raman frekansı
M. C. Lider ve H. Yurtseven
Ortadoğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06531, Ankara
Bu çalışmada, kuartzın alfa–beta geçişinde 207 cm–1 Raman mod frekansının hesabı, farklı
sıcaklıklarda nötron kırınımı yöntemiyle elde edilen hacim değerleri ile ortalama yapının
birim hücre hacim değerleri kullanılarak yapılmıştır. Bu örgü modunun Grüneisen parametresi
elde edilerek Raman frekansları hesaplanmıştır.
Kuartzın alfa fazından beta fazına geçerken sıcaklığın faz geçiş sıcaklığına doğru artışıyla
nötron kırınımı yöntemiyle elde edilen hacim değerlerinden hesaplanan Raman frekanslarının
azaldığı deneysel olarak gözlendiği gibi görülmüştür. Bu durum, quartzın α–β geçişi için
hacim değerlerinden Raman frekanslarının hesaplanmasının olanaklı olduğunu göstermiştir.
108
P102
Elektron demeti tekniğiyle büyütülen AgGaxIn(1–x)Te2 ince filmlerin yapısal,
optik ve elektriksel karakterizasyonu
Ö. Bayraklı, M. Demirtaş, H. H. Güllü, İ. Candan, ve M. Parlak
Fizik Bölümü, Ortadoğu Teknik Üniversitesi, 06531, Ankara
I–III–VI2 kalkopirit yarı iletken bileşikleri güneş hücresi, optelektronik ve lineer olmayan
aygıt uygulamalarında dikkate değer bir önem kazanmıştır. AgGaxIn(1–x)Te2 (AGIT) ince
filmler cam alttaşlar üzerine elektron demeti (e-beam) methoduyla oda sıcaklığında
üretilmiştir. Kaynak büyütme malzemesi olarak Bridgman Kristal Büyütme yöntemiyle elde
edilen AGIT kristali kullanılmıştır. Üretilmiş olan filmlerin oda sıcaklığında ve farklı
sıcaklıklarda ısıl işleme tabi tutularak, yapı ve içerik özellikleri X-ışını Kırınımı (XRD) ve
Enerji Dağılımlı X-ışını Analizi (EDXA) yöntemleri kullanılarak incelendi. Filmlerin optik
özelikleri 325–900 nm aralığında geçirgenlik ölçümleri ve foto-tepki (photoresponse)
yöntemleri kullanılarak yapıldı. Ayrıca filmlerin elektriksel özellikleri 200–400 K sıcaklıkları
arasında sıcaklık bağımlı iletkenlik ve Hall etkisi ölçümleriyle incelendi.
109
P103
2-(2,5-diflorobenzil)izoindolin-1,3-dione molekülünün yapısal karakterizasyonu
ve kuramsal analiz çalışması
E. Temel1, S. Gümüş2, E. Ağar2 ve O. Büyükgüngör1
1
2
Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 55139-Samsun.
Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Kimya Bölümü, 55139-Samsun
Sentezi yapılan ve X-ışını tek kristal kırınımı tekniği kullanılarak üç boyutlu yapısı
aydınlatılan bileşik izoindolin türevidir. Bileşik, monoclinic, P21/c uzay grubunda kristalize
olmuştur. X-ışını kırınımı deneyinden elde edilen moleküler geometriye ilave olarak,
kuramsal yöntemle optimize moleküler geometri, titreşim frekansları ve HOMO–LUMO
orbital enerjileri hesaplanmıştır. Hesaplamalarda Yoğunluk Fonksiyoneli Kuramı (B3LYP),
6-311G(d,p) baz setiyle kullanılmıştır. Ayrıca, deneysel olarak yapı aydınlatıldığında,
moleküller arası C-H…O tipi hidrojen bağlarının kristal paketlenmeyi sağladığı görülmüştür.
110
P104
Piridin-2-6-dikarboksilik asit türevi La(III) ve Ce(III) bileşiklerinin yapı analizi
O. Şahin1, S. Sharif2, I. U. Khan2, S. Ahmad3, ve O. Büyükgüngör1
1
Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi Samsun, 55139, Türkiye
2
Kimya Bölümü, GC Üniversitesi Lahore, 54000,Pakistan
3
Kimya Bölümü, ET Üniversitesi Lahore, 54890,Pakistan
Bu çalışmada piridin-2-6-dikarboksilik asit (Pydc) türevi La(III) ve Ce(III) bileşiklerine ait
yapısal özellikler incelenmiştir. X-ışınları sonuçlarına göre La(III) [La(Pydc)2(H2O)2].4H2O
bileşiği bir boyutlu polimer oluşturmaktadır. Moleküller arası O-H···O hidrojen bağları üç
boyutta
R11(6),
R44(16)
ve
R44(20)
halkaları
oluşturmaktadır.
Ce(III),
{[Ce(Pydc)3][Ce(Pydc)(HO-CH2CH2-OH)(H2O)3].6H2O)}, bileşiğinde bir Ce(III) atomu üç
adet Pydc molekülü ile koordinasyon oluştururken diğer Ce(III) atomu iki Pydc molekülü, bir
glikol molekülü ve üç adet su molekülü ile koordinasyon oluşturmaktadır. Moleküller arası OH···O ve C-H···O hidrojen bağları üç boyutta R22(8), R22(16) ve R22(20) halkaları
oluşturmaktadır.
111
P105
Deneysel ve kuramsal yöntemler ile 1-(naftalin-2-yl)-2-(1H-payrazol-1-yl)
ethanoneO-bütiloksim bileşiğinin kristal yapısının incelenmesi
Z. S. Şahin1, Z. Özdemir2, A. Karakurt2 ve Ş. Işık1
1
2
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, 55139, Samsun
Farmasötik Kimya Anabilim Dalı, Eczacılık Fakültesi, İnönü Üniversitesi, 44280, Malatya
Bu çalışmada; 1-(naftalin-2-yl)-2-(1H-payrazol-1-yl)ethanoneO-bütiloksim, [C19H21N3O],
bileşiği sentezlendi, kristal ve moleküler yapısı IR, 1H-NMR, kütle spektrumu, elementel
analiz ve X-ışınları kırınımı yöntemleri kullanılarak belirlendi. Moleküle ait kuramsal
hesaplamalarda, molekülün gaz fazındaki kararlı yapısı, enerjisi ve moleküler özellikleri
belirlendi. Elde edilen sonuçlar X-ışını kırınımı sonuçları ile karşılaştırıldı. Hesaplamalarda,
Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi (DFT) kullanılarak B3LYP-6311G(d,p) baz seti seçildi.
Hesaplama sonuçlarının deneysel sonuçlar ile uyum içerisinde olduğu görülmüştür. Ayrıca
moleküle ait moleküler elektrostatik potansiyel haritası (MEP) ve HOMO–LUMO enerjileri
hesaplatıldı.
112
P106
Katkısız ve katkılı CdSe ince filmlerinin optik ve elektrik özelliklerinin
araştırılması
D. Takanoğlu ve O. Karabulut
Pamukkale Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü DENİZLİ
Bu çalışmada II–VI yarıiletken grubuna ait katkısız ve katkılı CdSe ince filmlerinin, yapısal,
elektriksel ve optik özellikleri XRD, sıcaklık bağımlı elektriksel iletkenlik, Hall etkisi,
manyetik direnç ve soğurma ölçümleri ile belirlenmiştir. İnce filmler temizlenmiş uygun cam
alttaşlar üzerine termal buharlaştırma yöntemi ile büyütülmüşlerdir. Büyütme esnasında
sistemin vakumu 10–5 torr civarında tutulmuştur. Büyütülen filmler 673 K sıcaklığında 30
dakika tavlanmıştır. CdSe ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özellikleri üzerindeki
tavlama ve katkılamanın etkisi araştırılmıştır. X ışını kırınımlarından, kristalin yapısı ve
sitokiyometrisi belirlenmiştir. Filmlerin sitokiyometrik ve hegzagonal olduğu gözlenmiştir.
İletim mekanizmaları, tuzak seviyeleri, iletkenlik tipi, taşıyıcı konsantrasyonları ve
mobilitelerini belirlemek için, 10–400 K sıcaklık aralığında sıcaklığa bağlı elektriksel
iletkenlik ve Hall ölçümleri yapılmıştır. Tavlamaya ve In katkısına bağlı olarak saf CdSe ince
filmlerinin özdirençlerinde düşüş gözlenmiştir. Katkılı ve katkısız örneklerin iletkenliklerinin
sıcaklık ile birlikte değişimi iki farklı aktivasyon enerjisini ortaya koymaktadır. Katkısız ve
katkılı ince filmlerin özdirençlerindeki değişim 3,44×102 Ω·cm ile 5,15×101 Ω·cm
aralığındadır. Örneklerin aktivasyon enerjileri düşük sıcaklık bölgesinde 4–10 meV, yüksek
sıcaklık bölgesinde ise 23–58 meV aralığında bulunmuştur. Ayrıca filmlerin aktivasyon
enerjisi ile özdirencinin tavlamaya bağlı olarak azaldığı gözlenmiştir. Hall ölçümlerinden,
katkısız ve In katkılı CdSe ince filmlerinin n tipi iletkenliğe sahip olduğu bulunmuştur.
Manyeto direnç ölçümlerinde 10 K‟nin altında negatif manyeto direnç, 15 K‟nin üzerinde
pozitif manyeto direnç gözlenmiştir.
Filmlerin yasak enerji aralıkları UV–VIS–IR spektroskopisinde 190–1100 nm dalga boyları
arasında incelenmiştir. Tavlamaya bağlı olarak saf CdSe filmlerinin yasak enerji aralıklarının
2,25 eV‟dan 1,75 eV değerine düştüğü gözlenmiştir. Benzer düşüş In katkılı CdSe filmi için
2,18 eV‟dan 1,65 eV şeklinde gerçekleşmiştir.
113
P107
Taramalı Hall aygıtı mikroskobu için bizmut ve grafen nano-Hall algılayıcı
üretimi
S. Sonuşen1, M. Dede 2, H. Çetin3, ve A. Oral1
1
Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Sabancı Üniversitesi,Tuzla, 34956, İstanbul
2
Nanomanyetik Bilimsel Cihazlar Ltd. Şti, 06800, Ankara
3
Fizik Bölümü, Bozok Üniversitesi, 66200, Yozgat
Taramalı uç mikroskobu (TUM) çeşitlerinden biri olan taramalı hall aygıtı mikroskobu (THAM)
yüzeyin manyetik alan haritasını ve topolojik bilgisini aynı anda veren, nitel ve tahribatsız bir
manyetik görüntüleme tekniğidir. THAM‟ın en önemli bileşeni; manyetik ve süper iletken
malzemelerin yüzeyinde ki, dik manyetik alana duyarlı Hall algılayıcısıdır. Hall algılayıcısının
yapıldığı malzemenin yüksek elektron akışkanlığına ve düşük taşıyıcı yoğunluğu sahip olması yüksek
çözünürlükte manyetik ve uzaysal görüntülemeye olanak verir. Son yıllarda, üstün elektronik
özelliklerinden dolayı yarı iletken dünyasında önemli hale gelen grafenin, oda sıcaklığında dahi çok
yüksek elektron akışkanlığına sahip olması (15,000–40,000 cm2V–1s–1) THAM uygulamaları açısından
da ümit vaat etmektedir. Bu çalışmada litografi yöntemleri kullanılarak, THAM uygulamalarında
kullanılmak üzere grafen nano-hall aygıtı üretimi gerçekleştirilmiştir. Buna ek olarak, düşük taşıyıcı
yoğunluğuna sahip olan Bizmut ince film kullanılarak 50 nm ve daha düşük boyutlarda aktif fiziksel
alana sahip Hall algılayıcıların üretimi tamamlanmıştır.
(a)
(b)
(c)
(d)
Şekil 1. (a) THAM‟ın şematik gösterimi. (b) Bizmut Hall aygıtının 100 KX büyütmede SEM görüntüsü. (c)
Mekanik soyma yöntemi ile üretilmiş grafenin 100X büyütmede optik mikroskop görüntüsü (d) Gafen nano-hall
aygıtının X50 büyütmede optik mikroskop görüntüsü.
114
P108
Çok tabakalı CdSe/ZnS kuantum nokta içerisinde bulunan ikili ekzitonların
optik özellikleri
A. Aktürk1, F. Koç1, A. Erdinç2, M. Şahin1
1
2
Fizik Bölümü, Selçuk Üniversitesi, 42075 Konya, Türkiye
Fizik Bölümü , Erciyes Üniversitesi , 38039 Kayseri, Türkiye
Bu çalışmada, CdSe/ZnS/CdSe kuantum nokta-kuantum kuyu nanokristal yapı içerisindeki
ikili ekzitonların, elektronik ve optik özellikleri incelenmiştir. Bunun için öncelikle, göz
önüne alınan kuantum nokta yapının elektronik özellikleri, etkin kütle yaklaşımında, PoissonSchrödinger denklemlerinin öz-uyumlu bir şekilde çözülmesiyle belirlendi. Ayrıca, yapılan
hesaplamalarda kuantum mekaniksel çok parçacık etkileri, yerel yoğunluk yaklaşımı (Local
Density Approximation) altında göz önüne alındı. Bu çalışmada ikili ekziton yapısındaki
elektron ve deşiklerin S seviyesinde (temel seviye) olduğu durum ile bir ekzitonun S
seviyesinde, diğer ekzitonun ise P seviyesinde olduğu durum incelenmiştir. Bu iki sistemdeki
elektron ve deşiklerin tabaka kalınlıklarına göre olasılık yoğunluklarının dağılımı, bağlanma
enerjileri, hayat süreleri ve soğurma pikleri incelenmiştir. Sonuç olarak, ikili ekzitonların
elektronik ve optik özelliklerinin tabaka kalınlıklarına ve bulundukları seviyelere güçlü bir
şekilde bağlı olduğu görülmüştür.
115
P109
Simetrik çift kuantum kuyusunun optiksel özellikleri
M. S. Çakıcı ve İ. Karabulut
Selçuk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Konya 42075, Türkiye
Bu çalışmada, simetrik çift kuantum kuyusunda altbandlararası optiksel süreçler teorik olarak
incelendi. Gözönüne alınan yapının elektronik seviyeleri matris köşegenleştirme tekniği
kullanılarak nümerik olarak elde edildi. İlk iki seviye arasındaki geçişlere dayalı lineer,
üçüncü ve beşinci mertebe alınganlıklar yoğunluk matris formalizmi kullanılarak elde edildi.
Bu alınganlıklara bariyer genişliğinin etkisi detaylı olarak çalışıldı.
116
P110
Richardson grafiğinde Schottky engel homojensizlikleri
M. Gülnahar
Erzincan Üniversitesi Meslek Yüksekokulu, Elektrik ve Enerji Bölümü, 24200, Erzincan
Schottky eklemler katıhal elektroniğinde araştırma yapılan ana çalışma alanlarından birisini
oluşturmakta ve bu yapılarda arayüzeyin yapısından kaynaklanan anormallikleri yorumlamak
için çok çeşitli yaklaşım ve metotlar önerilmiştir. Ancak arayüzeyin yapısından dolayı
arayüzey homojensizliklerin yapısı hala iyi anlaşılamamaktadır. Schottky bariyerde
anormallikler standart sapmayla karakterize edilmektedirler. Deneysel çalışmalarda her bir
engel dağılım bölgesi için bir ortalama değer olarak hesaplanılır. Bu çalışmada yapılan teorik
analizler sonucunda (T) ifadesi yeniden düzenlendi. Birden fazla dağılım bölgelerine sahip
olabilen bir Schottky yapıda modifiye edilmiş olan Richardson grafiği deneysel çalışmalar
için çözülmemiş bir problemdir. Bu halde Richardson grafiği her bir dağılım bölgesi için bir
linearizasyona ve A* Richardson sabitine sahiptir. Ancak bizim elde ettiğimiz yeni model
sayesinde elde edilen deneysel (T) değerlerinin modifiye edilmiş Richardson grafiğinde
kullanımıyla tüm dağılım bölgeleri için tek bir lineearizasyon sağlanmış olmakta ve A *
Richardson sabiti hesaplanabilmektedir.
117
P111
Kolesterik sıvı kristallerde seçici ışık yansıması
R. Karapınar
Yüzüncü Yıl Üniversitesi,Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 65080 Van
Kolesterik sıvı kristal (KSK) bir fazda, optikçe aktif davranış gösteren kiral moleküller ortam
içinde helisel bir düzenlenme sergiler. Ortamda helis ekseni boyunca periyodik bir yapı söz
konusudur. Bir tam helis dönüşü KSK fazın helis adımı olarak adlandırılır. Helis adımı
görünür ışığın dalga boyu ile aynı mertebede olduğunda, ilginç optik özellikler ortaya çıkar.
Eğer KSK bir maddeye, helis adımı uzunluğuna eşit dalga boyundaki bir ışık gönderilirse,
helisle aynı dönme yönüne sahip olan dairesel polarize bileşen tümüyle yansımaya uğrar.
KSK bir ortamdaki seçici yansıma özelliği, belirli şartlar altında ilginç renklerin gözlenmesine
yol açar. KSK maddelerin helis adımı sıcaklığın bir fonksiyonu olduğundan, KSK bir filmin
ışık yansıtma olayı sıcaklık değişimlerini belirlemede kullanılabilir. Bu özelliğinden dolayı bu
tür filmler herhangi bir yüzey üzerine kaplanarak yüzey sıcaklığını ölçmek amacıyla
kullanılır. Yüzey sıcaklığı ölçümünde kullanılan en yaygın kolesterik maddeler, kolesterol
türevlerinden meydana gelir. Bu çalışmada yapımı gerçekleştirilen KSK ince filmlerdeki
seçici ışık yansıması ve renk değişimi olayları deneysel olarak incelenmiştir.
118
P112
Küresel kuantum noktalarının optiksel özellikleri
Hasan Cihat İslamoğlu1 , İbrahim Karabulut1, ve Haluk Şafak1
1
Selçuk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Konya 42075, Türkiye
Bu çalışmada, küresel bir kuantum noktasının bandiçi lineer ve lineer olmayan optiksel
özellikleri teorik olarak incelendi. Kuantum noktasındaki elektronik seviyeler matris
köşegenleştirme tekniği kullanılarak nümerik olarak elde edildi. Safsızlığın olduğu ve
olmadığı durumlar için optiksel süreçler detaylıca incelendi.
119
P113
Hızlı katılaştırılmış şekil hafızalı CuAlBe alaşımlarının mekanik özelliklerinin
incelenmesi
O. Uzun, S. Ergen, F. Yılmaz, N. Başman, ve U. Kölemen
Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, 60240, Tokat
Şekil hafızalı alaşımların (ŞHA) teknolojik önemleri sahip oldukları şekil hafıza etkisi ve
süper-elastik yeteneklerinden ileri gelmektedir. ŞHA‟ların sıcaklık veya zor etkisiyle faz
değişimine uğramaları ve buna bağlı olarak şekil değiştirmeleri, bu alaşımlara çok farklı
avantajlar kazandırmaktadır. ŞHA‟lar, makine-teçhizat ve yapı malzemeleri, medikal aygıtlar
ve araçlar gibi endüstriyel ve tıbbi uygulamaların yanı sıra; elektronik aygıtlar, uzay araçları
gibi ileri düzey uygulamalarda ve süperelastik gözlük çerçeveleri, telefon antenleri gibi
günlük hayatı kolaylaştıran birçok üründe kullanılmaktadır. Son yıllarda robotik alanda
yapılan uygulamalarda da ŞHA‟ların kullanımı yaygınlaşmaktadır. Bununla birlikte savunma
sanayinin birçok kolunda ŞHA‟ların kullanımı diğer sistemlere tercih edilir hale gelmiştir. Bu
çalışmada biz şekil hafızalı Cu-12Al-XBe (X: 0.4; 0.5 ve 0.6) alaşımlarının şekil hafıza etkisi
ve mekanik özellikleri üzerine Be miktarının ve hızlı katılaştırmanın etkisini araştırdık. Bu
amaçla şekil hafızalı Cu-12Al-XBe (X: 0.4; 0.5 ve 0.6) alaşımları hızlı katılaştırma
yöntemlerinden biri olan eriyik eğirme tekniği ile şerit formunda üretildi. Elde edilen
şeritlerin faz dönüşümleri, mikroyapıları ve martensit ve ostenit dönüşüm sıcaklıkları X-ışını
kırınım cihazı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve diferansiyel taramalı
kalorimetre (DSC) kullanılarak karakterize edildi. Hem XRD hem de SEM analizlerinden
şeritlerin oda sıcaklığında tümüyle martensit yapıda oldukları belirlendi. Üç farklı oranda
üretilen CuAlBe şeritlerin DSC analizleri sonucu, Be miktarındaki artışın martensit ve ostenit
dönüşüm sıcaklıklarında azalmaya neden olduğu tespit edildi. Şekil hafızalı alaşımlarda,
onlara diğer alaşımlara kıyasla büyük avantajlar sağlayan mekanik özelliklerinin incelenmesi
oldukça önemli olduğundan çalışmamızda söz konusu alaşımların bazı mekanik özellikleri
(sertlik ve elastik modülleri gibi) nanoçentme cihazı ile incelendi. Şerit formunda üretilen
CuAlBe alaşımlarında, Be miktarındaki artışın sertlik değerlerinde de artışa sebebiyet verdiği
belirlendi.
Teşekkür: Bu çalışma, Gaziosmanpaşa Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimince (Proje No: 2009/54)
desteklenmiştir.
120

Poster Özetleri - ODTÜ Fizik Bölümü

Transkript

Benzer belgeler

Bir Bakışta

Sunum Özetleri - Phys : Home Page

Royal Princess ile Güney Karayipler I Rota Fiyatlar Dahil Olan

Play it again, Sam

kanada sağlık bakanlığı

Poster Özetleri - Phys : Home Page

18. Yoğun Madde Fiziği

Royal Princess ile Güney Karayipler II Rota Fiyatlar Dahil Olan

1941 yılında Yozgat`ın Salur köyünde doğdu. İlkokul öğretmeni

özet kitapçığı poster sunumları - 16. Yoğun Madde Fiziği