Özetler Kitapçığı - Faculty of Science at Bilkent University

Transkript

15. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Bilkent Üniversitesi, 7 Kasım 2008
Genel Bilgi
Her yıl sonbahar aylarında bir Cuma günü seçilerek yapılan bir günlük Yoğun Madde Fiziği
Ankara Toplantıları artık geleneksel hale gelmiş, başlangıçta sadece Ankara'daki Fizik
bölümlerini kapsarken zamanla artan ilgi dolayısıyla yurdumuzun her yerinden katılımcılara
kucak açmaktadır.
Her yıl yapılan danışma kurulu toplantılarında biçim değişikliği yapılması gündeme getirilir,
örneğin, iki güne çıkarılması ya da paralel oturumlar yapılması gibi, ancak bugüne kadar bir
değişiklik yapılmamıştır. Bu bir günlük tek oturumda en az bir çağrılı konuşmacı ve mümkün
olduğu kadar üniversiteler arasında eşit dağılımlı sözlü bildiri ve biraz daha esnek olarak
poster sunumları yer almaktadır.
Geçmiş Toplantılar
YMF 1
Katıhal Fiziği Toplantısı
Hacettepe Ü.
7 Şubat 1984
YMF 2
II. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri
Bilkent Ü.
1992
YMF 3
III. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri
Ankara Ü.
1993
YMF 4
IV Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri
Hacettepe Ü.
30 Kasım 1994
YMF 5
Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri V
ODTÜ
7 Mart 1997
YMF 6
Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri VI
Gazi Ü.
28 Kasım 1997
YMF 7
Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri VII
Bilkent Ü.
30 Kasım 1998
YMF 8
8. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı
Bilkent Ü.
9 Kasım 2001
YMF 9
Bilkent Ü.
20 Aralık 2002
YMF 10
Hacettepe Ü.
14 Kasım 2003
YMF 11
Gazi Ü.
3 Aralık 2004
YMF 12
Ankara Ü.
18 Kasım 2005
YMF 13
ODTÜ
3 Kasım 2006
YMF 14
Hacettepe Ü.
2 Kasım 2007
YMF 15
Bilkent Ü.
7 Kasım 2008
Program
08:30-09:00
KAYIT
1. Oturum
Oturum Başkanı:
09:00-09:30
Ç1
09:30-10:00
Ç2
10:00-10:15
S1
10:15-10:30
S2
S. Öğüt
(U. Illinois at
Chicago)
S. Ossicini
(U. Modena)
M. Keskin
(Ankara Ü.)
R. V. Ovalı
(Bilkent Ü.)
B.S. Kandemir (Ankara Ü.)
First Principles Studies of Electronic and Optical
Excitations in Noble Metal Clusters and Silicon
Nanoshells
Doped Silicon Nanostructures: Ab-initio results
Tek Duvarlı Zigzag Karbon Nanotüplerin Fonon
Dağınım Bağıntıları
İki Boyutlu BN Yapılarda Oluşabilecek Bozuklukların
Analizi ve Karbon Yerdeğiştirme Etkileri
10:30-11:00
Çay Arası (Fuaye)
Posterlerin Görülmesi
2. Oturum
Oturum Başkanı:
R. Turan (ODTÜ)
11:00-11:30
Ç3
İ. Dinçer
(Ankara Ü.)
11:30-11:45
S3
M. M. Can
(Hacettepe Ü.)
11:45-12:00
S4
12:00-12:15
S5
12:15-12:30
S6
12:30-13:30
Ni yerine Cu eklenmesinin Ni-Mn-Sn Heusler
Alaşımlarının Manyetik, Manyetokalorik ve
Manyetodirenç Özellikleri Üzerine Etkisi
Zn1-xCoxO Seyreltik Magnetik Yarıiletkenler
M. S. Bozgeyik
(Tokyo Inst. Tech.
ve Sütçü İmam Ü.)
H. Çetin
(Bozok Ü.)
A. Sıddıki
(LMU ve Muğla Ü.)
Ferroelektrik Rastgele Erişim Belleği (FeRAM)
Uygulamaları İçin Üretilen Sr0.8Bi2.2Ta2O9 İnce Filmin
Kapasitör ve Diyot Yapılarındaki Özellikleri
Grafen alan etkili transistörler ve elektriksel
karakteristikleri
Landauer-Büttiker Formalizimin Kuvantize Hall
Etkisini Açıklamadaki Eksikliği
Öğle Yemeği
(Fuaye)
3. Oturum
Oturum Başkanı:
R. Ellialtıoğlu (Hacettepe Ü.)
A. Oral
(Sabancı Ü.)
B. Kılıç
(Atatürk Ü.)
Mikron-altı Çözünürlükle Tahribatsız ve Nicel 3
Boyutlu Manyetik Alan Görüntülenmesi
Optoelektronik Uygulamalar İçin Nano Gözenekli ZnO
Yapıların Elde Edilmesi
Tavlama Sıcaklığının Polikristal AgIn5Se8 İnce
Filmlerin Yapısal, Optik ve Fotoelektrik Özellikleri
Üzerine Etkileri
Kübik FePt Nanoparçacıkların Sentezlenmesi ve
Yapısal Faz Geçişlerinin İncelenmesi
SILAR Metodu ile Büyütülen CdO Arayüzey Tabakalı
Cd/CdO/n-Si/Au-Sb Yapının Akım-Gerilim
Karakteristiğinin Sıcaklığa Bağlı Olarak İncelenmesi
13:30-14:00
Ç4
14:00-14:15
S7
14:15-14:30
S8
T. Çolakoğlu
(ODTÜ)
14:30-14:45
S9
T. Ünsal
(Hacettepe Ü.)
14:45-15:00
S10
A. Astam
(Atatürk Ü.)
15:00-15:30
Çay Arası (Fuaye)
4. Oturum
Oturum Başkanı:
T. Hakioglu (Bilkent Ü.)
R. O. Umucalılar
(Bilkent Ü.)
G. B. Demirel
(Gazi Ü.)
H. Şahin
(Bilkent Ü.)
M. A. Can
(Bilkent Ü.)
B. Öztop
(Bilkent Ü.)
15:30-15:45
S11
15:45-16:00
S12
16:00-16:15
S13
16:15-16:30
S14
16:30-16:45
S15
16:45-17:00
S16
S. Aydın
(Gazi Ü.)
17:00-17:15
S17
G. Uğur
(Gazi Ü.)
17:15 -
Dönen Optik Örgülerde p Bandı
Işık-Kontrollü Si Yüzeylerin Teorik Tasarımı
Grafin nano-şeritlerin spin kutuplu kuantum iletkenliği
Spin-Yörünge Etkileşimi Altında Egziton
Yoğuşmasındaki Sıradışı Eşleşmeler
Optik Örgülerde Taban Durumları Eşleşmiş Spin-1
Bozonların Kuvantum Dolanıklığı
Bor Karbür (B12C3)-Tipi B12C-X-C (X=Al, Ga, In, Tl)
Bileşiklerinin Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi Yaklaşımı
ile İncelenmesi
LiMgP ve LiMgAs Bileşiklerinin Yapısal, Elektronik
ve Dinamik Özelliklerinin İncelenmesi
Poster Ödüllerinin Açıklanması
ÇAĞRILI
KONUŞMALAR
Ç1
First Principles Studies of Electronic and Optical Excitations in Noble
Metal Clusters and Silicon Nanoshells*
Serdar ÖĞÜT
Department of Physics, University of Illinois at Chicago, Chicago, IL 60607, ABD
Over the last two decades, electronic and optical properties of metal clusters, in general, and of coinage (noble)
metal clusters and particles, in particular, have been topics of great technological and fundamental interest. A
detailed understanding of the physical processes involved in the absorption and emission of light by these
systems could potentially pave the way to a new generation of optical nanodevices. Computational techniques
based on first principles approaches naturally play an important role in this endeavor by providing interpretation
of experimental results and facilitating the necessary link between the underlying atomic/electronic structures
and optical properties. Currently, time-dependent density functional theory (TDDFT) and a many-body
perturbative approach based on the solution of the Bethe-Salpeter equation for the two-particle Green’s function,
the so-called GWBSE method, are two state-of-the-art computational techniques that are widely used for first
principles computations of optical properties of clusters. However, the applications of these two techniques have
so far focused mainly on sp-bonded systems. Nanostructures, such as noble metal clusters, in which d electrons
and their screening interactions with sp electrons play important roles in the nature of the optical excitations are
both scientifically interesting and computationally more challenging, since the inclusion of d electrons requires
larger basis set sizes.
In the first part of this talk, I will present a brief summary of our studies [1-6] during the last 4 years on the
electronic and optical properties of noble metal clusters Agn (n = 2 – 20) and Aun (n = 2 – 20, 32, 50) using
TDDFT and GWBSE techniques. In particular, I will present an overview on (i) the comparison of spectra
obtained within TDDFT using the local density approximation (TDLDA) with experimental spectra for Ag [1-4]
and Au [5] clusters, (ii) the way d electrons affect low-energy optical spectra through quenching of the oscillator
strengths and getting directly involved in the excitations, and (iii) the comparison of ∆SCF, TDLDA, and
GWBSE methods for electronic and optical excitations in Ag clusters [6].
In the second part of this talk, I will present our recent studies on the electronic excitations and exciton binding
energies in Si nanoshells [7]. In this work, we have considered spherical Si nanoshells (quantum dots with a
cavity inside them) with inner radii R1 up to 1 nm and outer radii R2 upto 1.6 nm. The inner and outer surfaces
are passivated by H atoms. While an empirical model based on single-band effective mass approximation
predicts that the quasiparticle gap should depend only on the thickness t = R2 – R1 of the nanoshell and scale as t2
, we find from first principles calculations that the quasiparticle gaps depend on both R1 and R2. The
dependence of the quasiparticle gap on R1 (at fixed R2) and on R2 (at fixed R1) is mostly consistent with classical
electrostatics of a charged metallic shell. More interestingly, we find that the (unscreened) exciton Coulomb
energy in quantum nanoshells has a rather unexpected dependence on the thickness of the nanoshell at fixed R2.
Namely, the Coulomb energy decreases as the nanoshell becomes more confining, contrary to what one might
expect from quantum confinement effects. We show that this is due to the increase in the average electron-hole
distance, which gives rise to reduced Coulomb interaction in spite of the reduction in the confining nanoshell
volume.
This research was supported by the U.S. Department of Energy under Grant No. DE-FG02-03ER1548 and used
the computational resources of NERSC, which is supported by the Office of Science of the U.S. Department of
Energy.
* Work done in collaboration with Juan C. Idrobo, Kopinjol Baishya, Weronika Walkosz, Kimberly Frey, Jinlan
Wang, Karoly Nemeth, Julius Jellinek, Mingli Yang, Koblar A. Jackson, Riccardo Ferrando, Murilo Tiago,
Fernando Reboredo, and James R. Chelikowsky.
[1] J. C. Idrobo, S. Öğüt, and J. Jellinek, Phys. Rev. B 72, 085445 (2005).
[2] S. Öğüt, J. C. Idrobo, J. Jellinek, and J. Wang, J. Clus. Sci. 17, 209 (2006).
[3] J. C. Idrobo, S. Öğüt, K. Nemeth, J. Jellinek, and R. Ferrando, Phys. Rev. B 75, 233411 (2007).
[4] K. Baishya, J. C. Idrobo, S. Öğüt, M. Yang, K. A. Jackson, and J. Jellinek, Phys. Rev. B 78, 075439 (2008).
[5] J. C. Idrobo, W. Walkosz, S. F. Yip, S. Öğüt, J. Wang, and J. Jellinek, Phys. Rev. B 76, 205422 (2007).
[6] M. Tiago, J. C. Idrobo, S. Öğüt, James R. Chelikowsky, and J. Jellinek, submitted to Phys. Rev. B (2008).
[7] K. Frey, J. C. Idrobo, M. Tiago, R. Fernando, and S. Öğüt, to be submitted to Phys. Rev. B (2008).
Ç2
Doped Silicon Nanostructures: Ab-initio results
Stefano OSSICINI
CNR-INFM-S3 and Dipartimento di Scienze e Metodi dell’Ingegneria,
Universit`a di Modena e Reggio Emilia, via Amendola 2 Pad. Morselli, I-42100 Reggio Emilia, İtalya
We show, by means of ab-initio calculations, that by properly controlling the doping a significant modification
of both the absorption and the emission of light of silicon nanocrystals can be achieved. We have considered
impurities, boron and phosphorous (codoping), located at different substitutional sites of silicon nanocrystals
with size ranging from 1.1 nm to 1.8 nm in diameter. We have found that the codoped nanocrystals have the
lowest impurity formation energies when the two impurities occupy nearest neighbor sites near the surface. In
addition, such systems present band-edge states localized on the impurities giving rise to a red-shift of the
absorption thresholds with respect to that of undoped nanocrystals. Our detailed theoretical analysis shows that
the creation of an electron-hole pair due to light absorption determines a geometry distortion that in turn results
in a Stokes shift between absorption and emission spectra. In order to give a deeper insight in this effect, in one
case, we have calculated the absorption and emission spectra going beyond the single-particle approach showing
the important role played by many-body effects. Moreover we also investigate how the properties of the codoped
nanoclusters are influenced by the insertion of more impurities (multidoping). Finally we have studied the effect
of B and P codoping on the electronic and optical properties of Si nanowires, thus investigating the role of
dimensionality. The entire set of results we have collected in this work give a strong indication that with the
doping it is possible to tune the optical properties of silicon nanostructures.
Ç3
Ni yerine Cu eklenmesinin Ni-Mn-Sn Heusler Alaşımlarının Manyetik,
Manyetokalorik ve Manyetodirenç Özellikleri Üzerine Etkisi
İlker DİNÇER
Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara
Steokiometrik Heusler alaşımları X2YZ kompozisyonunda ve L21 kübik (uzay grubu Fm3m) yapıda
kristallenirler. Bazı Heusler alaşımları (Cu-Ni-Al, Cu-Zn-Al gibi) şekil hafıza özelliği gösterirler. Şekil hafıza
alaşımları, geometrilerini hatırlayan malzemeler olup, şekil hafıza özelliğinin temelinde birinci derece yapısal
faz geçişi (Martensitik geçiş) vardır. Martensitik geçiş, yüksek kristalografik simetrili austenit durumdan düşük
kristalografik simetrili martensit duruma olan geçiş olarak tanımlanır. Eğer Heusler alaşımları manyetik ise
martensitik geçiş manyetik alan ile gerçekleşebilir. Bu tür alaşımlarada manyetik şekil hafıza alaşımları denir.
Ni-Mn-X (X:Ga, In, Sn ve Sb) Heusler alaşımları manyetik şekil hafıza özelliği gösteren malzemelerdir [1].
Geleneksel gas soğutucular ile karşılaştırıldığında, çevresel etkenler ve enerji verimliliği açısından manyetik
soğutmanın birçok avantajı vardır. Manyetik soğutma, manyetokalorik etki-MKE’ye dayanır [2]. Manyetik alan
altında, manyetik malzemenin sıcaklığındaki değişim (ısınma ya da soğuma) olarak tanımlanır. Teknolojik
olarak uygulanabilir olması için malzemenin yüksek manyetik entropi değişimi göstermesi gerekmektedir.
Yüksek manyetik entropi değişimi, birinci derece yapısal faz geçişi sırasında gözlendiği için, martensitik geçişin
gözlenmesi Heusler alaşımlarını manyetik soğutma malzemesi olarak kullanılması için en uygun aday
yapmaktadır. Ayrıca martensitik faz geçiş sıcaklığında, malzemenin elekriksel direnci, sıcaklığa ve manyetik
alana bağlı olarak büyük değişim gösterir. Şekil hafıza alaşımları bu nedenle büyük manyetodirenç-BMD
özelliği gözlenir.
Önceki çalışmalara göre, Ni2Mn2-xSnx Heusler alaşımlarında 13 ≤ x ≤ 15 aralığında iken martensitik geçişin
gözlendiği ve martensitik geçiş sıcaklığının değişiminin e/a’nın fonksiyonu olarak nasıl değiştiği tespit edilmiştir
[3]. Ayrıca bu alaşımlarda Mn yerine başka bir geçiş metali (Cu ve Cr) ve Ni yerine başka bir geçiş metali (Fe ve
Co) eklendiğinde martensitik geçiş sıcaklığının e/a oranı arttıkça arttığı gözlenmiştir.
(Ni-Cu)-Mn-Sn alaşımları ark ergitme fırınında elde edildikten sonra, kompozisyon analizi EDS analizi ile
belirlenmiştir. Elde edilen alaşımların manyetik özellikleri, sıcaklığın fonksiyonu olarak yapılan manyetik
ölçümler ile belirlenmiştir. Manyetik entropi değişimini hesaplamak için manyetik alanın fonksiyonu olarak
manyetizasyon ölçümleri sürekli ve sürekli olmayan yöntem ile yapılmıştır. Ni yerine Cu ekleyerek, e/a oranını
arttırdığımızda, martensitik geçiş sıcaklığının azaldığı tespit edilmiştir. Sürekli ve sürekli olmayan yöntem ile
alınan manyetizasyondan hesaplanan entropi değişimi birbirinden farklı olduğu bulunmuştur. Heusler
alaşımlarda ters manyetokalorik etki gözlenmiştir. Manyetik soğutucularda ters ve normal manyetokalorik etki
gösteren malzemelerin birlikte kullanılması enerji verimliliği açısından kazanç sağlayacağı için ters
manyetokalorik etki gösteren malzemeler ayrı bir öneme sahiptir. Sıcaklığın ve manyetik alanın fonksiyonu
olarak yapılan direnç ölçümlerine göre bu alaşımlarda yaklaşık %50 manyetodirenç gözlenmiştir.
Kaynaklar:
[1] Y Sutou , Y Imano, N Koeda, T Omori, R. Kainuma, K. Ishida ve K. Oikawa, Appl. Phys. Lett. 85, 4358
(2003).
[2] Pecharsky V K ve Gschneider K A Jr., Phys Rev. Lett. 78, 4494 (1997).
[3] T Krenke, M Acet, E F Wassermann, X Moya, L. Manosa ve p. Planes, Phys. Rev. B. 72, 014412 (2005).
Teşekkür:
Bu çalışma, Ankara Üniversitesi BAP tarafından 20080745006 projesi olarak desteklenmektedir.
Ç4
Mikron-altı Çözünürlükle Tahribatsız ve Nicel 3 Boyutlu Manyetik Alan
Görüntülenmesi
1
M. DEDE1, R. AKRAM1 ve A. ORAL2
Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06800, Bilkent, Ankara
Sabancı Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, 34956, Tuzla, İstanbul
2
Taramalı Hall Aygıtı Mikroskobu (THAM), manyetik ve süperiletken malzemeleri yüksek uzaysal ve manyetik
alan çözünürlüğü ile inceleyebilen tahribatsız ve nicel bir manyetik görüntüleme yöntemidir. İlk olarak 1992
yılında AT&T Bell Laboratuarlarında [1] gösterilen yöntem hızla geliştirilerek etkin bir manyetik görüntüleme
yöntemi olarak kabul görmüş ve geniş bir kullanım alanı bulmuştur.
Grubumuzca daha önce geliştirilen ve elektriksel iletkenliği olmayan örneklerin THAM ile incelenmesine olanak
sağlayan Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) geri beslemesini kullanmak için Hall aygıtlarının kuvartz kristal
çatallara entegrasyonu sayesinde literatürde önerilen karmaşık mikro-yay üretim yöntemlerine olan gereksinim
ortadan kalkmıştır [2].
Yüzey manyetik alanlarının uzaysal değişimini gözlemlemek için kullanılabilecek 4-bacaklı özgün bir Hall
gradyometre yöntemi ilk defa gösterilmiş ve bu yöntem manyetik alan dağılımının her üç uzaysal bileşenini, x, y
ve z yönlerinde, 1µm’lik Hall algılayıcı yardımı ile görüntülemek için kullanılmıştır. Yöntemin geçerliliğini
göstermek için bir sabit disk örneğin manyetik alan profili 77K sıcaklığında üç boyutlu (3B) olarak, kuvars
çatala bağlı tek bir Hall sensör kullanılarak haritalandırılmıştır. Şu anki aşamada, literatürdeki çalışmalarla
karşılaştırıldığında geliştirilen bu yöntemle uzaysal çözünürlük bazında yaklaşık 40 kat [3] iyileşme sağlamış
olup yöntem dik Hall eklemine sahip her türlü Hall algılayıcıda gerek üretim, gerek deney aşamasında karmaşık
bir ek işlem gerektirmeden direkt olarak kullanılabilir. Yöntemin çözünürlüğü Hall aygıtının boyutlarına bağlı
olduğundan 50nm mertebesinde çözünürlük mümkündür.
Bz
By
Bx
Şekil 1: Sabit disk örneğin AKM geri beslemeli mikron altı Hall aygıtı ile alınmış 3 boyutlu manyetik alan
profili
Kaynaklar:
[1] Chang, A.M., et al., Scanning Hall Probe Microscopy. Applied Physics Letters, 1992. 61(16): p. 1974-1976.
[2] Dede, M., et al., Scanning Hall Probe Microscopy (SHPM) using quartz crystal AFM feedback. Journal of
Nanoscience and Nanotechnology, 2008. 8(2): p. 619-622.
[3] Gregusova, D., et al., Fabrication of a vector Hall sensor for magnetic microscopy. Applied Physics Letters,
2003. 82(21): p. 3704-3706.
SÖZLÜ
SUNUMLAR
Tek Duvarlı Zigzag Karbon Nanotüplerin Fonon Dağınım
Bağıntıları
M. Keskin ve B. S. Kandemir
Ankara Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 06100 Tandoğan Ankara
Bu çalışmada, kütle-yay modeli kullanılarak, tek-duvarlı zigzag karbon nanotüpler (ZKN) için fonon
dispersiyon bağıntıları hesaplanmıştır. Çalışmada, ZKN’in sahip oldukları farklı geometrik yapıları
gözetmek kaydı ile, daha önce tek duvarlı koltuk karbon nanotüpler için geliştirilmiş olan[1] kuantizasyon
ve köşegenleştirme yöntemini kullanılarak, ZKN yapıların fonon dispersiyon bağıntıları analitik olarak elde
edilmiştir. Bu yapılırken, öncelikle örgü titreşimlerinin klasik Hamiltoniyeni birinci ve ikinci yakın
komşuluklar ile bağ bükümü etkileşimlerini de içerecek şekilde yazılmıştır [2]. İkinci olarak, bu klasik
Hamiltoniyen kuantumlanarak fonon Hamiltoniyeni elde edilmiştir. Son olarak ise, fonon Hamiltoniyeni
kanonik dönüşümlerle köşegenleştirilmiştir [3] ve fonon dağınım bağıntıları analitik olarak bulunmuştur.
Kaynaklar:
[1] B. S. Kandemir and T. Altanhan, Phys. Rev. B 77, 045426 (2008)
[2] G. D. Mahan and G. S. Jeon, Phys. Rev. B 70, 075405 (2004)
[3] B. S. Kandemir and M. Keskin, J. Phys. Cond. Matt 20, 325222 (2008)
S1
İki Boyutlu BN Yapılarda Oluşabilecek Bozuklukların Analizi ve
Karbon Yerdeğiştirme Etkileri
Rasim Volga Ovalı ve Oğuz Gülseren
Fizik Bölümü, Bilkent Üniversitesi, Bilkent, 06800, Ankara
Bor nitrit (BN) sp2-bağlı altıgen ve sp3-bağlı kübik yapılarda bulunabildiği gibi nanotüp ve fulleren tarzı
yapılarda da kararlı fazlara sahiptir. Bu haliyle karbon tabanlı yapılara alternatif olarak bilim dünyasında
ilgi çekmektedir. Bu çalışmamızın ilk bölümünde yoğunluk fonksiyoneli teorisi kullanarak, iki boyutlu BN
kümesinde oluşabilecek yapısal bozuklukları incelendi. İncelenen bozukluklar sırasıyla boron ve nitrojen
tek-boşlukları (VB ve VN), çift-boşluk (VBN), bor veya nitrojen atomunun diğerinin yerine yerleştirilmesi ile
oluşan tersmevki bozuklukları (BN ve NB), 4-kat ve 5-kat boron ve nitrojen çiftleri olarak sayabiliriz. Bu
yapıların N-zengin ve B-zengin ortamlarda kararlılıklarına bakılmış ve 4-katlı yapıların diğerlerine göre
daha kararlı olduğu görülmüştür. Çalışmamızın ikinci bölümünde iki boyutlu BN yapılarına karbon
katışması sonucunda elde edilen kümelerin yapısal dayanıklılığı incelendi. Hesaplanan formasyon enerjileri
sonucunda ilk eklenen karbon atomunun nitrojen atomunun pozisyonuna yerleştiği, diğer eklenen
karbonların karbon-karbon bağı oluşturacak şekilde yapılandığı gözlemlendi. Bunun yanısıra BN yapısı
içinde altılı karbon halkasının zikzak ve koltuk yapısından enerjetik olarak daha kararlı olduğu görüldü.
Sisteme eklenen diğer atomlar karbon halkasının etrafına yerleştikleri belirlendi.
Kaynaklar:
[1] N.G. Chopra, R.J. Luyken, K. Cherrey, V.H. Crespi, M.L. Cohen, S.G. Louie, and A. Zettl, Science 26,
966 (1995).
[2] D. Goldberg, Y. Bando, O. Stephan, and K. Kurashima, Appl. Phys. Lett. 73, 2441 (1998).
[3] S.S. Alexandre, M.S.C. Mazzoni, and H. Chacham, Appl. Phys. Lett. 75, 61 (1999).
[4] L. Vel, G. Demazeau, and J. Etourneau, Mat. Sci. and Eng. B 10, 49 (1991).
[5] C. Collazo-Davila, E. Bengu, C. Leslie, and L.D. Marks, Appl. Phys. Lett. 72, 314 (1998).
Teşekkür:
Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından 107T720 numaralı proje çerçevesinde desteklenmektedir.
S2
Zn1-xCoxO Seyreltik Magnetik Yarıiletkenler
Musa Mutlu Can, Tezer Fırat, Şadan Özcan
Hacettepe Univeristesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06800, Beytepe, ANKARA
Farklı konsantrasyonlarda (x=0.01, 0.03, 0.05 ve 0.10) katkılanmış Zn1-xCoxO seyreltik magnetik
yarıiletkenleri mekanik öğütme ve ısıl işlem ile sentezlendi. Bu işlemde oluşan katı hal reaksiyonu DTTGA ölçümleri ile izlendi. X-ışını kırınım (XRD) desenlerinden Co’ın ZnO örgüsü içerisine girdiği ve CoO
veya Co3O4 gibi farklı bileşiklerin oluşmadığı saptandı. Bu sonuçun, örneklerin Fourier Dönüşüm
Kızılötesi (FT-IR) ve UV-vis soğurma spektrumları ile uyuşumlu olduğu gözlendi. Örgü içerisindeki Co
katkı miktarı ve olası diğer safsızlıkların belirlenmesi, Endüktif Eşleşmiş Plazma-Kütle Spektrometresi
(ICP-MS) ve x-ışını (XPS) foto spektrometresi ile yapıldı. Bu analizlerden Co miktarının amaçlanan
değerden ~%0.02 saptığı ve örneklerde ~%0.05 mertebesinde W safsızlık olduğu saptandı.
Hazırlanan örneklerin magnetik özellikleri ise titreşen örnek magnetometresi (VSM) ile incelendi. Bu
deneylerde, 10 ve 300K sıcaklıklarındaki dış magnetik alana karşı mıknatıslanma (M-H) ile 10-300K
sıcaklık aralığındaki (10 kOe alan altında) sıcaklığa karşı mıknatıslanma (M-T) ölçümleri yapıldı. Bu
ölçümlerin sonuçlarından, örneklerin spintronik malzemelerden beklenen ferromagnetik davranışı [1],
göstermediği anlaşılmıştır.
Kaynaklar:
[1] S. J. Pearton, C. R. Abernathy, D. P. Norton, A. F. Hebard, Y. D. Park, L. A. Boatner, J. D. Budai,
Mater. Scien. Engin. R 40 (2003) 137-168
S3
Ferroelektrik Rastgele Erişim Belleği (FeRAM) Uygulamaları İçin
Üretilen Sr0.8Bi2.2Ta2O9 İnce Filmin Kapasitör ve Diyot Yapılarındaki
Özellikleri
Mehmet Sait BOZGEYİK1, 2
1
Dept. of Metallurgy and Ceramics Sci., Tokyo Inst. of Tech.,Tokyo 152-8550, Japan
Fizik Bölümü, Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi, 46100, Kahramanmaraş
2
SrBi2Ta2O9 (SBT), Ferroelektrik özelliğe sahip olan ve “yorulmama (Fatigue-free)” gibi bir çok
mükemmel özelliklerinden dolayı [1-2] Ferroelektrik rastgele erişim belleklerinde (Non-volatile
Ferroelectric Random Access Memory) çok kullanılan tabakalı Perovskit yapıda bir maddedir [3-4]. Bu
amaçlarla değişik atomik nicelikler, özellikler ve tekniklerle üretilen ince filmleri mikroelektronik
aygıtların entegre devrelerinde kullanılmaktadır. Bu çalışmada temiz oda (Clean room) şartlarında
Sr0.8Bi2.2Ta2O9 ince filmler Pt(100nm)/Ti(50nm)/SiO2/Si alttabaka üzerine Sol-gel döndürme kaplama (spin
coating) metoduyla tabaka-tabaka üretilmiş ve ani ısısal tavlama fırınında (RTA) tavlanarak
kristallendirilmiştir. 200 nm çaplı Platin (Pt) üst elektrotlar Elektron Demeti Buharlaştırma (E-gun)
metoduyla üretilmiş ve sonrasında kimyasal aşındırma metodoyla alt (Pt) elektrod oluşturulmuştur. Bu
kapasitor yapısındaki filmlerin Ferroelekrik ve elektriksel özellikleri oda sıcaklığında ölçülmüştür. Kristal
yapı X-ışını saçılma (XRD) metoduyla incelenmiştir. Baskın olarak (115) yöneliminde polikristal yapı
gözlenmiştir. Atomic Force Microscopy (AFM NanoScope III) la film yüzeyi görüntülenip morfoloji
analizi yapılarak zerre büyüklükleri ve yüzey pürüzlüğü bulunmuştur. Ferroelektrik özellikleri 10 kHz de
ölçülerek Polarizasyon-Alan (P-E) Histerise eğrisinden (2Pr) remanent polarizasyonu yaklaşık olarak 17
µC/cm2 ve zorlama alanın (2Ec) 150 kV/cm olduğu bulunmuştur. Sızma akım yoğunluğunun uygulanan
elektriksel alana karşı değişim davranışı (J-E) HP4156C Precision Semiconductor Parameter Analyzer
(Agilent) le incelenmiştir. Sızma akım yoğunluğunun 200 kV/cm alanda 10-8 A/cm2 mertebesinde olduğu
ölçülmüştür. Ayrıca kapasitansın uygulanan elektriksel gerilime karşı davranışı 1 MHz frekansta bir LCR
metre (Toyo Corp.) ile ölçülmüş ve filmin dielektrik katsayısının 200 civarında olduğu hesaplanmıştır. SBT
filmin kapasitör yapısındaki bu özellikleri bağlamında FET uygulaması için Metal-Ferroelektrik-YalıtkanYarıiletken (MFIS) yapısı için aynı üretim metoduyla HfO2(6nm)/SiO2/Si alttabakası üzerine film
oluşturulmuştur. Üst Pt elektrodlar (E-gun) la oluşturulduktan sonra Alaminyum (Al) arka kontak Vakum
depolama metoduyla diyot yapı oluşturulmuştur. Bu yapı da elektriksel (J-V) ve (C-V) ölçümlerle
karakterize edilerek sızma akımın yoğunluğunun 6 V gerilimde 10-8 A/cm2 seviyesinde olduğu
bulunmuştur. Ayrıca gerilim değişimine karşın kapsitans değerinin saat yönünde histerise eğrileri
incelenerek hafıza uygulaması için kullanılan “hafıza değer aralığı” hesap edilmiştir. Bu değerin artan
gerilimle arttığı, 5 V da maksimum olan yaklaşık 0. 8 V a ulaştığı ve artan gerilimle düştüğü
gözlemlenmiştir. Böylece 8 V gerilime kadar filmin ferroelektrik doğası ile kontrol edilen saat yönünde
değişen (C-V) davranışı artan voltajla saat yönünün tersi davranışla taşıyıcı yük enjeksiyonun tesiri altına
girmiştir. Bu özellik ve değerler bağlamında 1T tipli (FET) (Alan Etkili Transistor (FET)) lü FeRAM
uygulamaları için en uygun olabilecek malzeme özellikleri tartışılmıştır.
Kaynaklar:
[1] J. F. Scott and C. A. P. Araujo, Science 246, 1400 (1989).
[2] T. Mihara, H. Yoshimori and T. Watanabe and C. A. P Araujo, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 5233 (1995).
[3] E. C. Subbarao, J. Phys. Chem. Solids 23, 665 (1962) ve E. C. Subbarao, J. Am. Ceram. Soc. 45, 166
81962).
[4] T. Noguchi, M. Miyama, K. Oikawa, T. Kamiyama, M. Osada and M. Kakihana, Jpn. J. Appl. Phys. 41,
7062 (1995).
Teşekkür:
Bu çalışma JSPS (Japan Society for the Promotion of Science) doktora sonrası burs ve “The Grant-in-Aid”
araştırma fonu ile desteklenmiştir. Araştırmalarım için Labaratuarlarını kullanmama müsade eden Prof. Dr.
H. Ishiwara ve Prof. K. Shinozaki ye teşekkür ederim. Ayrıca, bu çalışma TÜBİTAK tarafından 2219Yurtdışı Doktora Sonrası Araştırma Burs Proğramı kapsamında da kısmen desteklenmiştir.
S4
Grafen alan etkili transistörler ve elektriksel karakteristikleri
Hidayet Çetin1, Münir Dede2, Oğuz Gülseren2 ve Ahmet Oral3
1
Bozok Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Yozgat,
2
Bilkent Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü, Ankara,
3
Sabancı Üniversitesi Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, İstanbul
Tek atomik katmanlı Grafen tabakalar mekanik ayrıştırma yöntemi kullanılarak 300nm termal oksit
büyütülmüş Silisyum(100) yongalar üzerine imal edilmiştir. Grafen tabakalarının kalınlıkları optik
mikroskop, Raman Mikroskobu ve Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) ile karakterize edilmiş, grafen
tabakalarına Cr/Au (10/90nm) kontaklar optik litografi kullanılarak termal buharlaştırma ünitesinde depo
edilmiştir. Grafen parçalarının çeşitli kapı (Gate) gerilimine bağlı olarak akım-gerilim (I-V)
karakteristikleri elde edilerek incelenmiştir.
Teşekkür:
S5
Landauer-Büttiker Formalizimin Kuvantize Hall Etkisini Açıklamadaki
Eksikliği
Afif SIDDIKi1,2
1
Arnold Sommerfeld center, Center for Nanoscience, Physics Dept. Ls von Delft, Ludwig-Maximilians
Universität, Münih, D-80333, Almanya
2
Fizik Bölümü, Muğla Üniversitesi, Kötekli, 48100, Muğla
Düşük boyutlu elektron sistemlerinde balistik yük taşınımı genellikle Landauer formalizimi ile
betimlenmektedir. Bu formalizim yük iletimini, parçacıkların gecirgenlik (transmission) ve yansıma
(reflection) katsayıları ile tanımlamaktadir [1]. Landauer formaliziminin, yüksek manyetik alanlara maruz
bırakılan iki boyutlu elektron gazına genelleştirilmesi ile kuvantize Hall etkisinin bir takım özelliklerini
acıklamak mümkün olmuştur [2]. Ancak, yeni deneysel [3,4,5] ve teorik [6,7] çalışmalar, elektron-elektron
etkileşmelerini ihmal eden, bu formalizimin eksikliğini ortaya koymustur. Bu sunumda, kendinden tutarlı
(Self-consistent) Hartree türü bir ortalama alan kuramı ile hesaplanan elektron yoğunluğu ve yerel Ohm
yasası kullanılarak elde edilen magneto-iletkenlik katsayıları sunulacaktir. Kendinden tutarlı kuramın (KT)
öngördügü deneysel sonuclar ve Landauer-Büttiker formalizimi ile çelişen tarafları tartışılacaktır. Sunumun
son kısmında, yapılan deneylerin sonuçları rapor edilecek ve KT kuramının öngörülerinin geçerliliği
gösterilecektir.
Kaynaklar:
[1] R. Landauer, IBM J. Rec. Dev., 1, 223 (1957).
[2] M. Büttiker, Phys. Rev. Lett. 57, 1761 (1986).
[3] E. Ahlswede, J. Weis, K. von Klitzing, and K. Eberl, Physica E 12, 165 (2002).
[4] S. Ilani, J. Martin, E. Teitelbaum, J. H. Smet, D. Mahalu, V. Umansky, and A. Yacoby, Nature 427, 328
(2004).
[5] J. Horas, A. Siddiki, J. Moser, W. Wegscheider, and S. Ludwig, Physica E Low-Dimensional Systems
and Nanostructures 40, 1130 (2008).
[6] A. Siddiki and R. R. Gerhardts, Phys. Rev. B 70, 195335 (2004).
[7] A. Siddiki, Phys. Rev. Lett., submitted (2008).
Teşekkür:
Bu çalışma, NIM area A, SFB 631 ve DIP H-1 tarafindan desteklenmektedir.
S6
Optoelektronik Uygulamalar İçin Nano Gözenekli ZnO Yapıların Elde
Edilmesi
Bayram KILIÇ, Emre GÜR, ve Sebahattin TÜZEMEN
Fizik Bölümü, Fen Edebiyat Fakültesi Atatürk Üniversitesi, 25240, Erzurum
Son yıllarda, gözenekli (porous) yapılar fotonik kristaller, optoelektronik, katalizör ve biyo-sensör
sistemleri gibi uygulamalarda kullanabilmelerinden dolayı oldukça fazla tercih edilmektedirler. Bu
çalışmada, ZnO ince filmleri elektro-kimyasal depolama (ECD) metoduyla büyütülmüş ve gözenekli
yapıların oluşturulması için kendi kendine tek tabaka oluşturma (self-assembled monolayer, SAM) işlemine
maruz bırakılmıştır. Büyütülen ince filmlerde dodecanethiol-SAM (C12SH) çözeltisi ile gözenekli yapılar
oluşturulup, gözenek oluşturulması öncesinde ve sonrasında, filmlerin yapısal ve optik özellikleri x-ışını
kırınımı (XRD), taramalı tünelleme mikroskopu (SEM), soğurma ve fotolüminesans (PL) ölçümleri ile
incelenmiştir. SEM ölçümleri neticesinde gözenek yarıçaplarının dodecanethiol-SAM çözeltisinde bekleme
süresine bağlı olarak 50-300 nm arasında değiştiği gözlenmiştir. Bunun yanında, gözenek oluşturulmadan
önce 3,37 eV olan ZnO filmlerinin bant aralığının, gözenek oluşumundan sonra 3,41 eV değerine
yükseldiği soğurma ölçümleri ile belirlenmiştir. Ayrıca, PL ölçümleri neticesinde yüzeyde gözenek
oluşumundan sonra filmlerde 470 nm dalgaboyunda kusur kaynaklı bir emisyon oluşumu gözlenmiştir.
Teşekkür:
Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından TBAG-107T822 projesi olarak desteklenmektedir.
S7
Tavlama Sıcaklığının Polikristal AgIn5Se8 İnce Filmlerin Yapısal, Optik
ve Fotoelektrik Özellikleri Üzerine Etkileri
T. Çolakoğlu, M. Parlak, M. Kaleli, H. Karaağaç
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara
Bu çalışmada, AgIn5Se8 ince filmler, AgInSe2 tek kristal kaynak kullanarak, elektron demeti buharlaştırma
yöntemiyle vakum altında büyütülmüştür. Çalışmanın genel amacı, elde edilen filmlerin, üretim sonrası
değişik sıcaklık değerlerinde ısıl tavlama işlemine tabi tutularak, yapısal, optik ve fotoelektrik özelliklerinin
ortaya çıkartılmasıdır. Filmlerin yapısal analizleri X-ışını kırınımı deneyleri (XRD) ve enerji dağılımlı Xışını analizleri (EDAX) ile gerçekleştirilmiştir. Büyütülen filmlerin polikristal yapıda oldukları gözlenmiş
olup tekfaz olarak AgIn5Se8 kimyasal fazını içermektedir. Artan tavlama sıcaklıklarının bu polikristal
yapıyı iyileştirdiği görülmüş olup 400oC’nin üzerindeki tavlama sıcaklıklarında InSe ve In2Se3 fazlarının da
oluştuğu gözlenmiştir. Enerji dağılımlı X-ışını analizleri ise atomik yüzde bakımından kullanılan kaynak
tek kristale göre Ag elementi yoksun bir yapıda olduğunu ortaya koymaktadır. Ayrıca artan tavlama
sıcaklık değerlerinde ise film yapısında Se eksilmesi olduğu gösterilmiştir. Dalga boyuna bağlı optik
geçirgenlik deneyleri sonucu, büyütülen ve üretim sonrası ısıl işleme tabi tutulan filmlerin yasak enerji
band aralıkları tespit edilmiştir. Isıl işlemin optik enerji band aralığına, artan sıcaklıkla birlikte azalma
şeklinde bir etkisi gözlenmiştir. Ayrıca, hem optik geçirgenlik hem de dalga boyuna bağlı fototepki
ölçümlerinin sonucunda değerlik bandından iletim bandına üç temel geçişin varlığı tespit edilmiş olup, bu
durum genel olarak kalkopayrit yapıya sahip yarıiletkenlerde karşılaşılan değerlik bandı ayrışması olayıyla
açıklanmıştır. Deneysel olarak elde edilen enerji değerleri Hopfield’ın quasi-cubic modeli ile teorik olarak
incelenmiştir. Filmlerin elektriksel özellikleri, sıcaklığa bağlı iletkenlik ölçümleriyle tespit edilmiştir. Elde
edilen ölçüm değerlerinin ışığında, oda sıcaklığı iletkenlik değerleri; ısıl işlem uygulanmayan, 250oC’de,
300oC’de, 400oC’de ve 500oC’de tavlanan örnekler için sırasıyla 6.6 x 10-2, 1.2 x 10-1, 4.3 x 10-4, 5.5 x 10-3
ve 1.5 Ω-1 cm-1 olarak ölçülmüştür. Sonuç olarak, tekfazlı AgIn5Se8 ince filmlerin üretimi gerçekleştirilmiş
ve üretim sonrası değişik sıcaklık değerlerinde ısıl işlem uygulanması ile film özelliklerinin yapısal,
optiksel ve elektriksel olarak mümkün olan en üst seviyeye ulaşması için gerekli tavlama sıcaklığı ve süresi
tespit edilmiştir.
S8
Kübik FePt Nanoparçacıkların Sentezlenmesi ve Yapısal Faz
Geçişlerinin İncelenmesi
Telem ÜNSAL, Şadan ÖZCAN ve Tezer FIRAT
Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara 06800
FePt nanoparçacıkları yüksek magnetokristalite anizotropisine sahip olmaları nedeniyle magnetik depolama
ve magnetik kayıt aygıtlarında kullanıma aday malzemelerdir. Bu çalışmada, FePt nanoparçacıkları
kimyasal yöntemle sentezlendi. Fe50Pt50 kompozisyonu sentez aşamasında eklenen Fe(CO)5 miktarı
değiştirilerek kontrol edildi ve elemental analizi Enerji Ayırgan Tayfölçer (EDX) kullanılarak yapıldı.
Nanoparçacıkların şekil kontrolü, bu işlemde etkin olan ısıtma hızı, malzeme enjeksiyon sıcaklığı ve
reaksiyon sıcaklığı parametreleri değiştirilerek yapıldı. Isıl işlem öncesi, sentezlenen nanoparçacıkların
yaklaşık kübik şekilde ve ~5nm boyutunda olduğu belirlendi. Sentezlenen nanoparçacıkların yüzey
merkezli kübik (fcc) kristal yapıda olduğu X-Işınları Kırınımmetresi (XRD) ve Tünellemeli Elektron
Mikroskobu (TEM) incelemeleri ile saptadı. Örneklerin oda sıcaklığında süperparamagnetik özellik
gösterdiği Titreşimli Örnek Magnetometresi (VSM-PPMS) ölçümleri ile belirlendi. Malzemenin yüksek
magnetokristalite anizotropisine sahip yüzey merkezli tetragonal (fct) kristal yapısına geçmesi için farklı
atmosfer ve farklı sıcaklıklarda ısıl işlem uygulandı. Isıl işlem sonrası istenmeyen parçacık birleşmelerinin
meydana geldiği ve parçacık boyutunda büyüme olduğu saptandı. Bu artışı engellemek için yöntemler
geliştirildi.
S9
SILAR Metodu ile Büyütülen CdO Arayüzey Tabakalı
Cd/CdO/n-Si/Au-Sb Yapının Akım-Gerilim Karakteristiğinin Sıcaklığa
Bağlı Olarak İncelenmesi
Aykut ASTAM1, M. Ali YILDIRIM2, Betül GÜZELDİR1, Aytunç ATEŞ1 ve
Mustafa SAĞLAM1
1
2
Fizik Bölümü, Atatürk Üniversitesi, 25240, Erzurum
Fen Bilgisi Öğretmenliği Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24100, Erzincan
Bu çalışmada Cd/CdO/n-Si/Au-Sb sandviç yapı, 1–10 Ώ-cm özdirençli n-Si yarıiletkeni yüzeyine CdO
arayüzey tabakası SILAR metoduyla büyütülmek suretiyle oluşturuldu. Elde edilen bu yapının doğrultucu
karakteristik gösterdiği, oda sıcaklığında gerçekleştirilen akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden belirlendi.
Sıcaklığa bağlı akım-gerilim ölçümleri 300–80 K sıcaklık aralığında 20 K’lik adımlarla gerçekleştirildi.
Cd/CdO/n-Si/Au-Sb yapının idealite faktörü ve engel yüksekliği 300 K sıcaklıkta sırasıyla 1,787 ve 0,871
eV; 80 K sıcaklıkta ise sırasıyla 2,221 ve 0,436 eV olarak bulundu. Artan sıcaklıkla birlikte engel
yüksekliğindeki anormal artış ve idealite faktöründeki azalma metal-yarıiletken arayüzeyindeki engelin
inhomojen olmasıyla açıklandı. Sıcaklığa bağlı akım-gerilim ölçümleri yardımıyla çizilen modifiye edilmiş
ln(I0/T2)-q2σs2/2k2T2 _ 1/T grafiğinden ortalama engel yüksekliği ve Richardson sabiti değerleri sırasıyla
0.790 eV ve 1.160 eV; 153,90 A/cm2K2 ve 188,42 A/cm2K2 olarak hesaplandı.
S10
Dönen Optik Örgülerde p Bandı
R. Onur UMUCALILAR ve M. Özgür OKTEL
Fizik Bölümü, Bilkent Üniversitesi, Çankaya, 06800, Ankara
Bu çalışmamızda sıkı-bağlı bir optik örgüdeki uyarılmış bantlar üzerinde dönmenin etkilerini, birinci
uyarılmış bant olan p bandına yoğunlaşarak araştırdık. Dönmenin oluşturduğu efektif manyetik alan, hem
örgü noktalarındaki enerjiyi hem de bu noktalar arasındaki geçiş büyüklüklerini değiştirerek p bandının
karmaşık bir şekilde ayrışmasına yol açmaktadır. Biz burada, manyetik alan altındaki s bandını başarıyla
betimleyen Peierls dönüşümünün, p bandı üzerinde dönmenin etkilerini açıklayacak şekilde nasıl
değiştirilmesi gerektiğini göstererek bu metodu efektif bir Hamiltonyen elde etmek için kullandık. Bu
Hamiltonyenin spektrumunu bir ilk prensip hesabının sonuçlarıyla karşılaştırarak yaklaşımımızın
geçerliliğini doğruladık. En son olarak, aynı örgü noktasındaki bozonlar arasında bir etkileşimi de
Hamiltonyene ekleyerek, buradan hareketle, dönen bir p bandındaki çok parçacık fiziğinin araştırılabileceği
önerisinde bulunduk.
Kaynak:
[1] R. O. Umucalılar ve M. Ö. Oktel, Phys. Rev. A 78, 033602 (2008).
S11
Işık-Kontrollü Si Yüzeylerin Teorik Tasarımı
1
Gökçen Birlik Demirel1, Mehmet Çakmak2 ve Tuncer Çaykara1
Kimya Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Gazi Üniversitesi, 06500, Beşevler, Ankara
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Gazi Üniversitesi, 06500, Beşevler, Ankara
2
Moleküler kendiliğinden düzenlenme son zamanlarda hızla gelişen ve üzerinde sıklıkla çalışılan bir konu
haline gelmiştir. Moleküler kendiliğinden düzenlenmeyi bu kadar popüler bir çalışma alanı yapan
nanometre ölçekte daha önce top-down metotla yapılamayan yeni fonksiyonel malzemelerin
üretilebilmesidir [1]. Araştırmacıların son zamanlardaki amaçları, moleküler kendiliğinden düzenlenme
işlemini elektrik alan, pH, redoks potansiyeli, manyetik alan ve ışık gibi uygun şartlar altında kontrol
edebilmektir. Bu şartlar arasında, moleküler düzenlenmenin ışık ile kontrolü oldukça avantajlıdır. Bununla
birlikte ışığın zararsız ve kolayca elde edilebilen bir enerji kaynağı olması da oldukça önemli bir avantaj
sağlamaktadır [2]. Bu yöntemle moleküler ölçekte oldukça önemli tasarımlar oldukça hızlı bir şekilde
yapılabilmektedir. Birçok mikroelektronik ürün ile bütün optik-anahtar cihazlar ve bilgi depolama cihazları
yanında biyoteknolojik ürünler bu yöntem kullanılarak üretilebilmektedir [3].
Bu çalışmada, ışık-kontrollü Si yüzeyler tasarlamak amacıyla çoklu tabakalı sistemler hazırlanmıştır. Bu
çoklu tabakalı sistemde ışık-duyarlı molekül olarak azobenzen türevi bir bileşik olan ve fotoizomerizasyon
özelliği gösteren 4-(4’-aminofenilazo) benzoik asit (APABA) kullanılmıştır.
Şekil. APABA molekülünün fotoisomerizasyonunun şematik gösterimi
Bu çoklu tabakalı sistem için ilk tabaka epoksi sonlu (3-Glycidoxypropyl)trimethoxysilane (GPTS)
molekülü ikinci tabaka ise ışık-duyarlı APABA molekülünün GPTS molekülleri üzerine bağlanması ile
oluşturulmuştur. Tasarlanan bu ışık-kontrollü sistem içerisinde ışık-duyarlı olarak kullanılan APABA
molekülü için ışık-kontrolü mekanizması ile çok tabakalı sistemin bağlanma enerjisi ve boyu teorik olarak
VASP (olan Viyana ab initio simulasyon paket programı) kullanılarak hesaplanmıştır.
Kaynaklar:
[1] Lehn, J. M. “Supramolecular Chemistry And Self-assembly Special Feature: Toward complex matter:
Supramolecular chemistry and self-organization”, Proc. Natl. Acad. Sci., 99: 4763 – 4768, (2002).
[2] Ballardini, R., Balzani, V., Credi, A., Gandolfi, M. T., Venturi, M., “Artificial Molecular-Level
Machines: Which Energy To Make Them Work”, Acc. Chem. Res., 34: 445 – 455 (2001).
[3] Dugave,C., Demange, L., “Cis-Trans Isomerization of Organic Molecules and Biomolecules:
Implications and Applications”, Chem. Rev,. 103: 2475 –2532 (2003).
S12
Grafin nano-şeritlerin spin kutuplu kuantum iletkenliği
Hasan ŞAHİN,1 R.Tuğrul SENGER2
1
Bilkent Üniversitesi, Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Araştırma Enstitüsü, 06800 Ankara
2
Fizik Bölümü, Bilkent Üniversitesi, 06800 Ankara
Grafin son yıllarda yoğun olarak çalışılan iki boyutlu karbon yapısıdır. Kenarları hidrojen ile doyurulmuş,
kısa grafin nano-şeritlerin özellikleri temel ilkelere dayalı yoğunluk fonksiyoneli kuramı kullanılarak
incelenmiş ve kuantum iletkenlik hesapları yapılmıştır. Çalışmamızda, grafin molekülü kullanarak iki
farklı yöntemle spin kutuplu akımların elde edilebileceği gösterilmiştir [1]. Bunların ilki grafin üzerinde
vanadyum gibi manyetik 3d grubu geçiş metali atomlarının adsorpsiyonu olup, yapının iletkenliği ve spin
kutupluluğunun atomların bağlanma yeri ve manyetik halleri gibi değişkenlere bağlı olduğu gösterilmiştir.
Diğeri ise grafin tabakasına kısmi, asimetrik elektrotlarla bağlantı yapılarak, grafinin zigzag kenarlarında
yerelleşmiş olan spin bağımlı hallerin kullanımıyla elektrik akımının spin kutuplu olacağının
gösterilmesidir. Kısa grafin şeritler için bir model olarak C52H20 molekülü ile yapılan hesaplamalar, bu
moleküllerin sonsuz grafin şeritler ile oldukça benzer elektronik ve manyetik özelliklere sahip olduğunu
göstermektedir. İdeal karbon zincirleri veya daha gerçekçi altın nanotellerin elektrot olarak kullanıldığı
kuantum iletkenlik hesapları zigzag kenarlı grafin molekülünde herhangi bir manyetik bileşen kullanmadan
spin kutuplu akımların elde edilebilirliğini açıkça ortaya koymaktadır. Bunlara ek olarak iletkenlik
spekturumlarında görülen Fano rezonansları tartışılmıştır [1].
Kaynaklar:
[1] H. Şahin ve R.T. Senger, arxiv:0807.3174, (Phys. Rev. B dergisine gönderildi)
Teşekkür:
Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından 106T597 numaralı proje çerçevesinde desteklenmektedir. Çalışmadaki
hesaplamaların bir kısmı TR-Grid e-Infrastructure Projesi kapsamındaki makinalarda yürütülmüştür. R.T.
Senger TÜBA-GEBİP programından sağlanan araştırma desteğine teşekkür eder.
S13
Spin-Yörünge Etkileşimi Altında Egziton Yoğuşmasındaki Sıradışı
Eşleşmeler
Muhammet Ali CAN ve Tuğrul HAKİOĞLU
Bu çalışmada iki tabakalı sistemlerdeki deneylerde egziton yoğuşmasının oluşumu konusundaki delilleri
güçlendirecek üç farklı etki önerilmiştir. Önerilere taban oluşturan model elektron-deşik spin serbestlik
derecesinin de içine katılmasını gerektiren Rashba ve Dresselhaus spin yörünge etkileşimlerini (SYE)
içermektedir. İlk olarak SYE nin, normalde karanlık durumların baskın olduğu egzitonik yoğuşmadaki
parlak durumların etkisini arttırarak fotoışıma ölçümlerini kolaylaştırdığını gösterdik. SYE nin ikinci etkisi
statik spin duygunluğundaki çapraz olmayan elemanları ortaya çıkarmasıdır[1]. Üçüncüsü de spesifik
sıcaklık ve statik spin duygunluğunun spinden bağımsız yoğuşmalardaki üstsel sıcaklık bağımlılığından
farklı olarak polinomsal sıcaklık bağımlılığı göstermesidir [2].
Kaynaklar:
[1] T. Hakioğlu ve Mehmet Şahin, Phys. Rev. Lett. 98, 166405 (2007).
[2] M. Ali Can ve T. Hakioğlu, arXiv:0808.2900.
Teşekkür:
Bu çalışma, TÜBİTAK, UNAM ve ITAP tarafından desteklenmiştir.
S14
Optik Örgülerde Taban Durumları Eşleşmiş Spin-1 Bozonların
Kuvantum Dolanıklığı
Barış ÖZTOP,1 Mehmet Özgür OKTEL1, Özgür Esat MÜSTECAPLIOĞLU2 ve Li
YOU3
1
Fizik Bölümü, Koç Üniversitesi, Sarıyer, 34450, İstanbul
3
School of Physics, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia, 30332, USA
2
Bir boyutlu optik örgüde taban durumları eşleşmiş bozonik spin-1 atomların, sözde-spin sıkıştırması ile
karakterize edilen parçacık dolanıklığını inceledik. Hem süperakışkan hem de Mott-yalıtkan fazlarını
ferromanyetik ve antiferromanyetik etkileşimler için araştırdık. Ayrıca Mott-yalıtkan fazda biçim
dolanıklığını da tartıştık. Optik örgüyü oluşturan karşılıklı yayılan lazer ışınlarının polarizasyon vektörleri
arasındaki sıfırdan farklı; fakat küçük açının kuvantum korelasyonları üzerindeki rolünü de inceledik.
S15
Bor Karbür (B12C3)-Tipi B12C-X-C (X=Al, Ga, In, Tl) Bileşiklerinin
Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi Yaklaşımı ile İncelenmesi
Sezgin AYDIN ve Mehmet ŞİMŞEK
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara
Bor Karbür (B12C3)-tipi1 B12C-X-C (X=Al, Ga, In, Tl) bileşiklerinin yapısal parametreleri, elektronik
özellikleri ve mekanik kararlılıkları ilk-prensipler yaklaşımı kullanılarak genelleştirilmiş gradyent
fonksiyoneli (GGA-PW912) ile incelendi. Dört bileşiğin her biri için, zincirin ortasına yerleşen X atomunun
bor karbürdeki bağlanmaya, özellikle zincir bağlarına olan etkisi araştırıldı. Ayrıca, X atomundan
kaynaklanan yapısal değişikliklerin bor karbür-tipindeki B12C-X-C (X=Al, Ga, In, Tl) bileşiklerin
sertliğinde nasıl rol oynadıklarını görmek amacıyla, ilk-prensipler yaklaşımından elde edilen bilgileri baz
alan sertlik hesaplamaları3 yapıldı. Sonuç olarak, B12(C-Tl-C) bileşiği hariç diğer bileşiklerin süper sert,
yani 40 GPa’dan daha büyük sertlik değerlerine sahip oldukları belirlendi. Zincire yerleşen X atomunun
atomik yarıçapı arttıkça, bor karbür-tipi yapıların yumuşadığı gözlendi.
Kaynaklar:
[1] Xiaoju Guo, Julong He, Zhongyuan Liu, and Yongjun Tian, Phys. Rev.B 73, 104115 (2006)
[2] J. P.Perdew et all., Phys. Rev. B 46, 667 (1992)
[3] Antonin Simunek and Jiri Vackar, Phys. Rev.Lett. 96, 085501 (2006)
Teşekkür:
Bu çalışma, Gazi Üniversitesi tarafından BAP-05/2005-58 ve Devlet Planlama Teşkilatı tarafından
2001K120590 projesi olarak desteklenmektedir.
S16
LiMgP ve LiMgAs Bileşiklerinin Yapısal, Elektronik ve Dinamik
Özelliklerinin İncelenmesi
Gökay Uğur1, Şule Uğur1 , Fethi Soyalp2 , Recai Ellialtıoğlu3
1
Fizik Bölümü, Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Zeve Kampüsü, 65080, Van
3
Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, 06800, Ankara
2
Yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanılarak yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) altında LiMgP ve LiMgAs
bileşiklerinin α, β ve γ fazlarında örgü sabitleri, hacim modülleri ve hacim modüllerinin basınca göre
birinci türevleri hesaplandı. Her iki bileşiğin ZnS (B3) yapıdaki elektronik band yapılarının ve durum
yoğunluklarının eğrileri çizildi. Elde edilen eğrilerden değerlik bandlarının en yüksek değerinin Γ simetri
noktasında, iletim bandlarının en düşük değerinin X simetri noktasında olduğu görüldü. Değişik simetri
noktalarında hesaplanan band genişlikleri diğer çalışmalarla karşılaştırıldı. Her üç faz için LiMgP ve
LiMgAs bileşiklerinin temel simetri yönleri boyunca fonon frekans ve durum yoğunluğu eğrileri çizildi.
Son olarak LiMgP için Γ ve X simetri noktalarında fononların atomik titreşimleri gösterildi.
Teşekkür:
Bu çalışma, Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi 05/2007/18 nolu projesi ve Hacettepe
Üniversitesi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiştir.
S17
POSTER
SUNUMLARI
P1
Cd1-xZnxTe bileşiklerinin yapısal, elektronik, elastik ve optiksel
özelliklerinin ab-initio metodla incelenmesi
N. KÖRÖZLÜ1, K. ÇOLAKOĞLU1, E. DELİGÖZ2
1
Gazi Üniversitesi,Fizik Bölümü , Teknikokullar, 06500, Ankara
2
Aksaray Üniversitesiy, Fizik Bölümü, 68100, Aksaray
Cd1-xZnxTe bileşiklerinin, x’in (x=0, 0.25, 0.5, 0.75, 1) değişimine göre yapısal, elektronik, elastik ve optiksel
özellikleri yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) kullanırak incelendi. Hesaplanan örgü sabiti kullanılarak yüksel
simetri yönlerinde elektronik bant yapisi elde edildi. İkinci dereceden elastik sabitler, Young modülü, Poison
oranı ve anizotropi faktörleri gibi mekaniksel özellikler en kararlı faz için hesaplandı. Elastik sabitlerin
hesabında hacim korunumlu ortorombik ve tetragonal gerilmeler kullanildı. Elde edilen sonuçların deneysel ve
teorik değerler ile uyumlu olduğu görüldü.
Teşekkür:
Bu çalışma Gazi Üniversitesi 05/2008-16 no’lu araştırma projesiyle desteklenmiştir.
P2
DC Beslemeli Bağlı Josephson Eklemleri İçeren Süperiletken Cihazın
Simülasyonu ve Dinamik Özellikleri
Erol KURT,1 ve Mehmet CANTÜRK,2
1
2
Pınarbaşı Mah. Ayrık Sok. Keçiören, Ankara
Bilgisayar Mühendisliği Bölümü, Atılım Üniversitesi, Ankara
Makraskobik kuantum sistemi olarak bağlı bir süperiletken eklem cihazı tasarımı analitik ve sayısal olarak
yapılmıştır [1,2]. Öncelikle cihazı oluşturan Josephson eklemlerinin ρ(θ) olasılık yoğunlukları ve genel gerilimakım (V-J) davranışları Schrödinger dalga denkleminden yola çıkılarak bulunmuş, sonra da Cooper çiftlerini faz
dalgası olarak tanımlayan gösterimden yola çıkılarak her biri farklı fiziksel parametrelere sahip olan eklemlerin
bileşimini içeren cihaz için sayısal çözümler elde edilmiştir. Doğrusal olmayan dirençli ve kapasiteli (NRCSJ)
olarak modellenen eklemler zamana bağlı olarak incelenmiş, farklı bağlantı dirençleri (Rcp), besleme akımları (I)
ve eklem kapasitelerinde (Cj) ayrıntılı simülasyonlar gerçekleştirilmiştir [2]. Elde edilen sonuçların, deneysel
literatürde bulunan karakteristik V-J eğrilerini verdiği tespit edilmiştir [3]. Bunun yanında; cihazın farklı
dinamik özellikte akım ve gerilim oluşturabildiği görülmüş; belirli parametreler için elde edilen elektriksel
sinyaller, Lyapunov üstelleri spektrumu yardımıyla periyodik ve kaotik olarak sınıflandırılmıştır. Bu türden
süperiletken devrelerin performansının, literatürde yer alan geleneksel elektrik devrelerinin performansından
daha iyi olduğu, cihaz hassasiyetinin ve gürültü limitlerinin görelice düşük olduğu sonucuna varılmıştır.
Eşzamanlılık, kriptografi ve sinyal güvenliği alanlarında Josephson eklemlerinin kullanımının, ilave avantajlar
getirebileceği vurgulanmıştır.
Kaynaklar:
[1] M. Cantürk ve E. Kurt, Phys. Scr. 76, 634-640 (2007).
[2] E. Kurt ve M. Cantürk, gönderildi.
[3] G. Paraoanua ve A.M. Halvari, Appl. Phys. Lett., 86 (2005).
P3
Cd-Sn İkili Metalik Alaşımında İntermetalik Fazda Arayüzey Enerjisinin
Ölçülmesi
Fatma MEYDANERİ,1 Buket SAATÇİ,1 Mehmet ÖZDEMİR,2 Necmettin MARAŞLI 1
1
Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Talas, 38039, Kayseri
Kimya Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Talas, 38039, Kayseri
2
Çalışmamızda denge durumundaki Cd-Sn ikili metalik alaşımında intermetalik fazda sıcaklık gradyenti, GibbsThomson sabiti ve bu fazda katı-sıvı arayüzey enerjisi elde edildi. Tane arayüzey oluk metodu kullanıldı. Ayrıca
katı Cd fazında ve katı Sn fazında da (σks) katı-sıvı arayüzey enerjisi değerleri hesaplandı.
Katı fazda taneler aynı olabileceği gibi farklı da olabilir. Farklı tanelerin yan yana gelmesiyle intermetalik faz
oluşmaktadır. Yapılan çalışmada elde edilen sonuçlar katı Cd fazı için (74,44±3,72) mJ/m2, katı Sn fazı için
(130,24±6,51) mJ/m2, intermetalik fazda Cd tanesi için (89,74±4,48) mJ/m2, Sn tanesi için (124,65±6,23) mJ/m2
bulundu.
Teşekkür:
Erciyes Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi tarafından FBA-06-02 kodlu proje ile desteklenmiştir.
P4
Diyot idealite faktörünün yeni bir yöntemle hesaplanması
Neşe KAVASOĞLU, A.Sertap KAVASOĞLU, ve Şener OKTİK
Bir aygıtın akım gerilim karakteristiğinden diyot idealite faktörünün hesaplanabilmesi amacıyla geliştirilen bir
çok metod, tek diyot yaklaşımı kullanmaktadır. Fakat, bir çok aygıtın akım gerilim (I-V) karakteristiği tek diyot
yaklaşımı ile doğru bir şekilde analiz edilememektedir. Bir aygıtın üretim aşamasında ortaya çıkabilecek bazı
etkiler, aygıt içinde birden fazla potansiyel engelinin oluşmasına sebep olabilir. Aygıtın elektronik eşdeğer
devresinde seri ya da paralel bağlı birden fazla diyodun bulunması bu aygıtın elektronik özelliklerini etkiler. Biz,
karanlık akım gerilim verisinin değerlendirilmesi esasına dayanan, Beta ( β ) modeli adını verdiğimiz yeni bir
analitik model geliştirdik [1]. Bu model yardımıyla, aygıtın eşdeğer devresindeki diyot sayısı, diyotların bağlantı
şekillenimi, diyot idealite faktörleri ve aygıttaki seri direncin değeri bilgilerine kolay ve hızlı bir şekilde
ulaşabilmekteyiz. Geliştirdiğimiz metot p-i-n ve heteroeklem aygıtlara uygulandığında deneysel sonuçların
teorik hesaplamalarla son derece uyumlu olduğu görülmüştür [1-2].
Kaynaklar:
[1] N. Kavasoglu, A. S. Kavasoglu, S. Oktik, Curr. Appl. Phys., In Press, Corrected Proof, Available online 12
August 2008
[2] A. S. Kavasoglu, N. Kavasoglu, Curr. Appl. Phys., In Press, Accepted Manuscript, Available online 10
September 2008
P5
WB4-Tipi XB4 (X=V, Cr, Mn) Bileşiklerinin Yapısal ve Mekanik
Özelliklerinin İlk-Prensipler Yaklaşımı ile İncelenmesi
Sezgin AYDIN,1 Mehmet ŞİMŞEK1
1
İlk-prensipler yaklaşımı kullanılarak WB4-tipi1 XB4(X=V, Cr, Mn) geçiş metali-hafif element bileşiklerinin
yapısal parametreleri, mekanik özellikleri ve Debye sıcaklıkları2 yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA3) kullanılarak
hesaplandı. Bulunan elastik sabitler yardımıyla, hekzagonal yapılı XB4(X=V, Cr, Mn) bileşiklerinin mekanik
kararlılıkları4 incelendi. İlk-prensipler yaklaşımı hesaplarından elde edilen bağ karakteristikleri ve kristal
parametreleri yardımıyla yapıların sertlikleri teorik olarak hesaplandı5,6. Her üç yapının süper sert özellikte
olduğu görüldü ve bunların süper sert olmalarını sağlayan özellikleri araştırıldı.
Kaynaklar:
[1] Q.F.Gu, G.Krauss, and W.Steurer, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 20, 1 (2008).
[2] A.Bouhemadou, R.Khenata, M.Kharoubi, Y.Medkour, Solid State Comm. 146, 175 (2008)
[3] D.M.Ceperley and B.J.Alder, Phys.Rev.Lett. 45, 566 (1980).
[4] Zhi-jian Wu, Er-jun Zhao, Hong-ping Xiang, Xian-feng Hao, Xiao-juan Liu, and Jian Meng, Phys.Rev.B 76,
054115 (2007)
[5] Faming Gao, Phys. Rev.B 73, 132104 (2006)
Teşekkür:
P6
SiO2 ve TiO2 İnce Filmler Kullanarak Yansıtmasız Filtre ve Yalıtkan
Aynaların Tasarımı ve Hazırlanması
Hakan ÇALIŞKAN, A. Begüm ARIĞ, Özlem DUYAR ve H. Zafer DURUSOY
Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, 06800 Ankara
İlk olarak matris teorisi [1] kapsamında, MATLAB programı ile tasarım yapma ve model üretme yeteneği
geliştirilmiştir. Geliştirilen programla çeşitli yalıtkan aynalar ve yansıtmasız filtreler tasarlanmıştır. 1965 modeli,
difüzyon pompalı bir vakum sistemi üzerine eklenen yeni unsurlar ile gelişmiş bir çok katlı film hazırlama
düzeneği haline getirilmiştir. Önce, tek katmanlı SiO2 ve TiO2 soğurmayan filmler istenilen üstün kaliteli
özelliklerde üretilmiştir.
Sonra, tek katmanlı örneklerin optik özellikleri elipsometre ve fotospektrometre yardımı ile ölçülmüştür.
Hazırlanan katmanlı filmlerin optik geçirgenliği (T), optik yansıtması (R) eş zamanlı olarak (s) ya da (p)
polarizasyonu ile ölçülerek kırma indisi (n) ve sönüm sabiti (k) dalga boyuna bağlı olarak elde edilmiştir.
Tasarlanan 4, 6, 12 katmanlı filtreler ve yalıtkan aynalar, kurulan iki kaynaklı saçtırma (sputtering) sistemi
yardımı ile üretilmiştir. Eş zamanlı (R) ve (T) ölçümleri ile, örneklerin matris modelinin karşılaştırması yapılmış
ve mükemmel uyum gözlenmiştir. Bu şekilde görünür (400-650 nm) ve yakın kızıl ötesi (650-1100 nm) geniş
aralıklı bölgelerde hazırlanan örneklerde %99.3 yansıtan ve (tek yüzü kaplı) %97 yansıtmayan endüstriyel
kalitede numuneler elde edilmiştir.
Kaynaklar:
[1] Thin Film Optical Filters, H. Angus Macleod, Thin Film Center Inc., 3rd edition, IoP, 2001
Teşekkür:
Bu proje TÜBİTAK (105T496) tarafından desteklenmiştir.
P7
RhN Bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve Titreşimsel Özellikleri
Üzerine ab-initio Çalışması
Engin DELİGÖZ,1 Kemal ÇOLAKOĞLU,2 ve Yasemin ÇİFTCİ2
1
2
Fizik Bölümü, Aksaray Üniversitesi, 68100, Aksaray
4d geçiş metal nitratlarından olan ve henüz sentezi yapılmayan RhN bileşiğinin çinko-sülfür, sodyum-klorür,
sezyum klorür ve wurtzite fazlarının yapısal özellikleri araştırarak; en kararlı faz için, elektronik, elastik ve
dinamiksel özellikler ab-initio hesaplama yöntemi ile incelendi. Hesaplamalar, SIESTA programı ile yerel
yoğunluk yaklaşımına (LDA) göre oluşturulan değiş-tokuş korelasyon fonksiyoneli ile gerçekleştirildi.
Hesaplanan örgü sabiti kullanılarak yüksek simetri yönlerinde bant yapısı ve yük yoğunluğu eğrileri elde edildi.
Elastik sabitlerin hesabında ise hacim korunumlu ortorombik ve tetragonal gerilmeler kullanıldı ve elastik
sabitlerden Young modülü, Poison oranı ve anizotropi faktörü gibi bazı mekaniksel özellikler hesaplandı. Aynı
zamanda fonon dispersiyon ve durum yoğunluğu eğrileri çizilerek sonuçlar tartışıldı. Elde edilen sonuçların
teorik çalışmalar ile uyumlu olduğu görüldü. Bu çalışma yeni 4d geçiş metal nitratların sentezlenmesine ışık
tutacak, böylelikle de dayanıklı aygıt yapımındaki uygulamalara yol açacaktır.
Teşekkür:
Bu çalışma, Gazi Üniversitesi tarafından 05/2008-16 projesi olarak desteklenmektedir.
P8
Bose-Einstein Yoğuşmasının Sıralı Süper-Işımasından kaynaklanan
Pulsların Kuantum Korrelasyonu
M. Emre TAŞGIN,1 M. Özgür OKTEL1, Li YOU2, ve Özgür E. MÜSTECAPLIOĞLU3
1
2
Fizik Bölümü, Bikent Üniversitesi, Bilkent, 06800, Ankara
Fizik Okulu, Georgia Teknoloji Enstitüsü, Atlanta, Georgia 30332, A.B.D.
3
Fizik Bölümü, Koç Üniversitesi, Sarıyer, 34450, İstanbul
Kritik bir gücün üzerideki lazer Bose-Einstein Yoğuşmasının (BEY) üzerine tutulduğu zaman, Sıralı SüperIşıma (SSI) gözlemlenir. SSI’nın nedeni, yoğuşmanın içindeki atomların kollektif olarak saçılmasıdır. Kollektif
olarak saçılan atom grupları lazerle tekrar etkileşime girerek yeni super ışıma merkezleri oluştururlar. Bu
çalışmamızda, zıt yönlerde saçılan iki SSI pulsunun birbirleriyle Einstein-Podolsky-Rosen (EPR) tipindeki
kuvantum dolaşıklığıyla bağlanmış olduğunu gösteriyoruz. Bağlılığın sebebi ise; ilk süper-ışımada atom ve
fotonların arasında oluşmuş olan dolaşıklığın, ikincil süper-ışımayla zıt yönde seyahat eden fotonların arasına
aktarılmasıdır.
Teşekkür:
M.Ö. Oktel TÜBA/GEBİP ve TÜBİTAK-KARİYER No:104T165 ödenekleriyle desteklenmektedir.
P9
Elektron Demeti Buharlaştırma Yöntemiyle Üretilen AgGaSe2 İnce
Filmlerin Yapısal, morfolojik ve Optiksel Karakterizasyonu
Hakan KARAAĞAÇ, Mehmet PARLAK, ve Tahir ÇOLAKOĞLU
Fizik Bölümü, Orta Doğu TeknikÜniversitesi, 06531, Ankara
Bu çalışmada elektron demeti (electron-beam) buharlaştırma yöntemi ile üretilmiş olan AgGaSe2 ince filmlerin
yapısal, morfolojik ve optiksel karakterizasyonu X-ışın kırınımı (XRD), enerji dağılım spektrometreye (EDAX)
sahip taramalı elektron mikroscobu (SEM), X-ışın fotoelektron spektropisi (XPS) ve tayfsal geçirgenlik
ölçümleri gerçekleştirilerek incelendi. Sıcaklığın örnekler üzerindeki etkisinin tespiti için üretilen filmler 300600 oC sıcaklık aralığında tavlandı. EDAX ölçümleri sonucu, film üretiminde kaynak olarak kullanılan AgGaSe2
tek kristal tozun stokometrik olduğu fakat bundan elde edilen filmlerde gümüş miktarında fazlalık galyum ile
selen miktarlarında ise eksiklik olduğu saptandı.Tavlama sıcaklığıyla beraber filmlerin yüzeyinde sistematik
olarak gümüş yüzdesininde azalma ve galyum ile selen oranında ise artma olduğu gözlemlendi. Bu durum SEM
ile çekilen fotoğraflardan da net bir şekilde saptandı. Bu görüntülerden gümüşün ilk başlarda yüzeyde topaklar
halinde bulunduğu ve tavlama ile beraber bunların ortadan kaybolduğu görüldü.Bunun yanısıra aynı
görüntülerden faydalanılarak yapıda mevcut bulunan küçük kristallenmelerin (grains) büyüklüklerinin tavlama
ile beraber büyük değişimler geçirdiği ve büyüklüklerinin 82-526 nm aralığında olduğu belirlendi. Yüzeydeki bu
değişimlerin varlığını destekleyecek sonuçlar yapılan XPS ölçümleri sonucunda da ortaya konuldu. XRD
ölçümleri sonucu olarak sadece büyütülmüş AgGaSe2 örneklerin amorf fakat 300-600 oC sıcaklık aralığında
tavlanmış olan örneklerin ise çoklu kristal (polycrystal) fazda olduğu saptandı. Tavlama işlemi ile beraber 300450 oC sıcaklık aralığında ilk ortaya çıkan fazlar Ag, GaSe ve Ga2Se3 olduğu gözlendi. AgGaSe2 fazın ise 500
o
C’de gözlenmeye başlandığı ve 550 oC tavlama sıcaklığında baskın faz olduğu gözlemlendi. Ayrıca üretilen
filmlerin tavlama sıcaklığına bağlı tayfsal geçirgenlikleri ve yasak band aralığının değişimleri çalışmamızın
optiksel ölçümlerin bir sonucu olarak incelendi.
P10
Püskürtme Yöntemi İle Hazırlanan Kalay Oksit (SnO2)
İnce Filmlerin Yapısal Ve Optik Özellikleri
Emine Güneri,1 Filinta Kırmızıgül,2 Fatma Göde3 ve Cebrail Gümüş2
1
İlköğretim Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Talas, 38039, Kayseri
Fizik Bölümü, Çukurova Üniversitesi, Yüreğir, 01330, Adana
3
Fizik Bölümü, Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi,46100, Kahramanmaraş
2
Püskürtme yöntemi kullanılarak hazırlanan polikristal SnO2 ince filmlerin yapısal ve optiksel özellikleri
tanımlandı. Filmler 400 °C de cam alttabanlar üzerine depolandı. X-ışını kırınım deseni filmlerin polikristal
yapıda tetragonal fazda oluştuklarını gösterdi. SnO2 nin örgü parametreleri (a=b≠c) sırasıyla 4.73 Å ve 3.16 Å
olarak bulundu. Filmlerinin tanecik büyüklükleri Scherrer eşitliği ile 308-470 nm olarak hesaplandı. SnO2 nin
oda sıcaklığındaki optik geçirgenlik değerlerinin yüksek (>% 90) olduğu görüldü. Kırılma indisi (n) zarf yöntemi
kullanarak geçirgenlik eğrisi yardımıyla görünür bölgede 1.90 olarak hesaplandı. Film kalınlıkları geçirgenlik
eğrisindeki girişim desenlerinden yararlanılarak bulundu. SnO2 nin enerji bant aralığı 4.04-4.13 eV olarak
hesaplandı.
Kaynaklar:
[1] B. Ahn, S. Oh, C. Lee, G. Kim, H. Kim, S. Lee, J. Cryst. Grow. 309, 128 (2007).
[2] H.L. Ma, X.T. Hao, J. Ma, Y.G. Yang, J. Huang, D.H. Zhang, X.G. Xu, Appl. Surf. Sci. 191, 313 (2002).
[3] G.S. Park, G.M. Yang, Thin Solid Films 7, 365 (2000).
[4] Y. Wang, J. Ma, F. Ji, X. Yu, H. Ma, J.Luminescence 71, 114 (2005).
[5] K. Murakami, K. Nakajima, S. Kaneko, Thin Solid Films 515, 8632 (2007).
[6] R. Swanepoel, J. Phys. E: Sci. Instrum.16 (1983) 1214.
[7] V. Azaroff, M. Buerger, The Powder Method in X-Ray Crystallography, Mc.Graww-Hill Book Company,
New York (1958).
[8] J.P. Nair, R. Jayakrishnan, N.B. Chaure and R.K. Pandey, Semicond. Sci.Technol. 13, 340 (1998).
[9] Joint Committee on Powder Diffraction Standarts, Powder Diffraction File, cards no:41-1445.
[10] C. Gumus, C. Ulutas, Y. Ufuktepe, Opt. Mater. 29, 1183 (2007).
[11] S. Lee, B. Park, Thin Solid Films 510, 154 (2006).
[12] J. Müllerova, J. Mudron, Acta Physical Slovaca 50, 477 (2000).
P11
Missous Yöntemiyle Hidrostatik Basınç Altında Cd/n-GaAs Schottky Diyot
Parametrelerinin Belirlenmesi
Savaş SÖNMEZOĞLU, Fatih BAYANSAL, ve Güven ÇANKAYA
Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, 60250, TOKAT
Yarıiletken diyotların akım-voltaj (I-V) karakteristikleri yardımıyla elde edilen parametreleri, elektronik
tasarımlarında önemli yer tutmaktadır. Hızla büyüyen elektronik sanayisinde, değişik yöntemlerle malzeme
parametrelerinin her geçen gün iyileştirilmesi ve çeşitliliğinin artması, malzemelerin karakterizasyonlarından
yapılan parametre hesaplamalarında yeni metotlar bulunmasının yolunu açmıştır. 1985 yılında Missous ve
Rhoderick tarafından Schottky diyodunun elektriksel parametrelerinin hesaplanması için düz beslem ve ters
beslem I-V karakteristiklerini kullanarak yeni bir hesaplama yöntemi ileri sürülmüştür. (Missous and Rhoderick,
1985) Bu çalışmada, hazırlanan Cd/n-GaAs Schottky diyodunun 0.00-7.00 kbar hidrostatik basınç aralığında I-V
karakteristikleri incelendi. Elde edilen bu karakteristiklerden Missous yöntemiyle idealite faktörü ve engel
yüksekliği gibi diyot parametrelerinin hidrostatik basınç ile değişimleri hesaplandı. Diyodun idealite faktörü,
0.00, 1.00, 3.00, 5.00 ve 7.00 kbar hidrostatik basınç altında, 1.348, 1.344, 1.352, 1.354 ve 1.355 olarak elde
edilirken, engel yüksekliği ise 0.746, 0.749, 0.769, 0.776 ve 0.790 olarak elde edildi. Diyodun idealite faktörü
ve engel yüksekliği değerlerinin artan basınçla beraber arttığı gözlendi.
Kaynaklar:
[1] M. Missous, E.H. Rhoderick And K.E. Singer, J. Appl. Phys., 59(9), 3189-3195 (1985).
P12
PtC Kristalinin Elastik Özelliklerinin ve
Titreşim Kiplerinin İlk Prensip Hesaplarla İncelenmesi
Ahmet ÇİÇEK1 ve Oğuz GÜLSEREN2
1
Fizik Bölümü, Akdeniz Üniversitesi, 07058, Antalya
Fizik Bölümü, Bilkent Üniversitesi, 06800, Ankara
2
PtC kristalinin, 0 K sıcaklıkta ve değişik basınçlar altında kararlı fazı, elastik sabitlerinin basınca göre değişimi,
titreşimsel kipleri gibi özellikleri Yoğunluk Fonksiyoneli Kuramına dayalı, düzlem dalga baz kümesi kullanan,
ilk prensiplerden hesaplamalarla incelenmiştir. Toplam enerji-hacim verilerine uydurulan durum denklemi,
düşük hidrostatik basınçlarda Çinko-Sülfür (ZnS), yaklaşık 50 GPa’ın üzerindeki basınçlarda ise Sodyum-Klorür
(NaCl) fazının kararlı olduğunu göstermiştir. 0 GPa’dan 125 GPa’a kadar değişen basınç aralığında, Bulk
modülü (B), C11 ve C12 sabitlerinin arttığı, C44’ün ise azaldığı belirlenmiştir. ZnS fazının elastik sabit
hesaplarında da yaklaşık 60 GPa’a kadar kararlı olduğu gözlenmiştir. Sıfır basınç için yürütülen fonon
hesaplamalarında ZnS fazının kararlı olduğu, buna karşın NaCl fazı için optik fonon kiplerinin kararsız olduğu
belirlenmiştir. Kristalin ana doğrultularında ses hızı, fonon kiplerinin Γ noktası etrafında doğrusal davranmaları
göz önünde bulundurularak hesaplanmış, sonuçlar ZnS fazı için elastik sabitlerden hesaplanan hız değerleriyle
uyum göstermiştir.
P13
LaMg ve YMg Bileşiklerinin ab initio Yöntemle Elektronik, Elastik ve
Titreşim Özelliklerinin İncelenmesi
Gökay Uğur 1, Şule Uğur 1 , Recai Ellialtıoğlu 2
1
2
Bu çalışmada CsCl (B2) yapıdaki LaMg ve YMg bileşiklerinin yapısal, elektronik, elastik ve dinamik özellikleri
yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) kapsamında düzlem dalga, sanki-potansiyel, ve lineer tepki metotlarıyla
incelendi. Bileşiklerin örgü sabitleri, hacim modülleri, hacim modüllerinin basınca göre birinci türevleri ve ikinci
mertebeden elastik sabitleri hesaplandı, ve literatürdeki diğer deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırıldı. LaMg
ve YMg için genelleştirilmiş eğim yaklaşımı (GGA) kullanılarak B2 yapıdaki elektronik band yapısı ve durum
yoğunluğu grafikleri çizildi. Sonuçların daha önceki çalışmalarla oldukça uyumlu olduğu gözlendi. Son olarak
B2 fazı için fonon frekansları ve durum yoğunlukları ilk defa bu çalışmada hesaplandı ve temel simetri yönleri
boyunca çizildi.
Teşekkür:
P14
Bakır Oksit Filmlerinin Optik Özellikleri Üzerine Cd Katkısının Etkisi
İdris AKYÜZ,1 Salih KÖSE,1 Ferhunde ATAY1 ve Vildan BİLGİN2
1
2
Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Meşelik Kampusu, 26480, Eskişehir
Fizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, Terzioğlu Yerleşkesi, 17100, Çanakkale
Bu çalışmada, katkısız ve Cd katkılı (Cu/[Cd+Cu]=%1, 3 ve 5) bakır oksit filmleri ultrasonik kimyasal
püskürtme tekniği kullanılarak, 275±5 °C taban sıcaklığında mikroskop cam tabanlar üzerine elde edilmiştir.
Elde edilen filmlerin geçirgenlik ve soğurma ölçümleri UV/VIS spektrometresi ile alınarak, bakır oksit
filmlerinin optik özellikleri üzerine Cd katkısının etkisi incelenmiştir. Filmlerin optik ölçümlerinden
faydalanılarak, yansıma, kırılma indisi, dielektrik sabiti, yasak enerji aralığı ve Urbach parametresi gibi bazı
optik parametreler belirlenmiştir. Filmlerin geçirgenliklerinin Cd katkısının artması ile biraz azaldığı
belirlenmiştir. Filmlerin yasak enerji aralıkları optik metod kullanılarak hesaplanmıştır.
P15
CdO Filmlerinin Yapısal Karakterizasyonu: Li Katkısının Etkisi
Salih KÖSE,1 Ferhunde ATAY,1 Vildan BİLGİN2 ve İdris AKYÜZ1
1
2
Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Meşelik Kampusu, 26480, Eskişehir
Fizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, Terzioğlu Yerleşkesi, 17100, Çanakkale
Bu çalışmada; saydam iletken oksit (SİO) ailesine ait olan kadmiyum oksit (CdO) yarıiletken filmleri,
araştırma/geliştirme çalışmaları için uygun ve diğer üretim teknikleri arasında ekonomik ve uygulamasının
kolay olmasıyla dikkat çeken Ultrasonik Kimyasal Püskürtme tekniği ile üretilmiştir. Katkısız ve Li katkılı
(Cd/[Cd+Li]=%1, 3 ve 5) CdO filmleri; kadmiyum asetat [Cd(CH3COO)2.2H2O; 0,1 M] ve lityum asetat
[C2H3LiO2.2H2O; 0,1 M] tuzlarının sulu çözeltilerinin belli oranlarda karışımından elde edilen toplam 120
ml’lik başlangıç püskürtme çözeltisinin 200±5°C taban sıcaklığında mikroskop cam tabanlar üzerine
püskürtülmesiyle üretilmiştir. Filmlerin yapısal özellikleri x-ışını kırınımı (XRD) ile incelenmiş olup, tüm
filmler için yarı pik genişliği (B), tane boyutu (D), dislokasyon yoğunluğu (δ), yapılanma katsayısı (TC) ve örgü
sabitleri (a,b,c) gibi bazı yapısal parametreler hesaplanmıştır. Filmlerin polikristal yapıda oluştukları ve Li
katkısının artmasına bağlı olarak tercihli yönelimin değiştiği, tane boyutunda ise önemli bir değişimin olmadığı
belirlenmiştir.
Teşekkür:
Bu çalışma, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi BAP tarafından desteklenmiştir (Poje No: 200419031).
P16
Wien 2k Proğramı ile Bazı Materyallerin Elastik sabitlerinin Hesaplanması
Hamza Yaşar OCAK, ve Ercan UÇGUN
Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Kütahya, 43100, Kütahya
Wien 2k, teorik hesaplamalar da sıklıkla kulanılan proğramlardan biriridir. Biz de bu proğram yardımıyla TiC,
bcc Fe, FeAl (basit kübik) ve Fe4Al4 kiristal yapılarının ikinci derece elastik sabitlerini hesapladık. Bütün
yapıların, M.Born kararlılık kurallarından biri olan Cij>0 şartını ayrı ayrı sağladığı görüldü.
P17
KAs bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve Titreşimsel
Özellikleri üzerinde ab initio Hesaplamaları
H.Özışık1, K. Çolakoğlu1, E. Deligöz2, and G. Sürücü1
1
Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, Ankara, TÜRKİYE
2
Aksaray Üniversitesi, Fizik Bölümü, 68100, Aksaray, TÜRKİYE
Bu çalışmada ab initio yöntemi kullanılarak KAs kristalinin bulk özellikleri üzerine teorik hesaplamalar yapıldı.
Önce, yapının örgü sabiti, bulk modulü ve bulk modülünün birinci türevi (Murnaghan hal denklemine fit
edilerek) hesaplandı. Daha sonra elektronik, elastik ve titreşimsel özellikler incelendi. Bulunan sonuçlar mevcut
çalışmalar ile karşılaştırıldı.
P18
Beta modelinin heteroeklem aygıtlara uygulanması
A.Sertap KAVASOĞLU, Neşe KAVASOĞLU, ve Şener OKTİK
Diyot idealite faktörü iki terminalli yarıiletken devre elemenlarının elektriksel davranışlarını belirlemede önemli
bir kriterdir. Yarıiletken aygıtlar üzerine yapılan akım-gerilim ölçümü yardımıyla elde edilen log I − V
eğrisinde gözlenen iki yada daha fazla doğrusal bölge, çoğu zaman göz ardı edilmiştir. Bu çalışmada, birden
fazla diyot özelliği sergileyebilen heteroeklem aygıtlarda diyot idealite faktörünün karmaşık eşdeğer devre
yaklaşımı kullanılarak nasıl çözümlenebileceği tartışıldı. GaN tabanlı LED heteroeklem diyotta, oda sıcaklığında
Keithley 236 Source/Measure yardımıyla yapılan I − V ölçümünde, ön besleme geriliminin kritik bir
değerinden sonra akımın doğrusal bölgeden sapma sergileyerek ikicil bir doğrusal bölge içinde artım sergilediği
gözlemlenmiştir. Beta model ismini vererek geliştirdiğimiz yöntemi deneysel olarak elde ettiğimiz
I − V ölçümlerine uyguladık. Beta model yardımıyla diyot idealite sabitlerinin oldukça hızlı bir şekilde
çözümlenebileceğini gözlemledik. Buna ek olarak bu model yardımıyla incelenen herhangi bir devre elemanı
içindeki potansiyel engeli (built-in) sayısı da kolaylıkla tayin edilebilmektedir. Teorik olarak belirlenen Beta
modeli deneysel verilerle karşılaştırılmış ve elde edilen parametrelerin teorik modelle oldukça uyumlu olduğu
gözlenmiştir [1]. GaN tabanlı beyaz LED’de gözlemlenen yüksek idealite faktörü (>2) değerleri, standart akımiletim mekanizması modelleriyle açıklanmaz [2-3]. İncelenen yapıdaki başat akım iletim mekanizması
tünellemenin desteklediği akım-iletim mekanizmasıdır [2-3]. Bu mekanizmaya göre her diyodun idealite faktörü
değerini belirleyen bir karakteristik tünelleme enerjisi vardır [2-3]. Heteroeklemlerin fabrikasyonu süresince
yanal yapısında meydana gelen bölgesel mikroskopik daralma ve açılımlar, karaktersitik tünelleme enerjisinin
çalkalanmasına neden olur. Yanal yapıdaki mikroskopik çalkalanmalar diyot sayısı ile orantılıdır (potansiyel
engeli sayısı). Diyotların sahip olduğu karaktersitik tünneleme enerjisi değerinin beklenenden yüksek olması
(>50 meV) diyot idealite faktörü değerlerinin 2’den daha yüksek değerler almasına sebep olmaktadır.
Kaynaklar:
[1] A. S. Kavasoglu, N. Kavasoglu, Curr. Appl. Phys., In Press, Accepted Manuscript, Available online 10
September 2008
[2] V. Nadenau, U. Rau, A. Jasenek, H.W. Schock, J. Appl. Phys. 87, 584 (2000).
[3] U. Rau, Appl. Phys. Lett. 74, 111 (1999).
P19
Nanoyapılı SnO2/p-Si Schottky diyotunun yapımı ve elektriksel
karakterizasyonu
Yasemin ÇAĞLAR1, Müjdat ÇAĞLAR1, Saliha ILICAN1, ve Fahrettin YAKUPHANOĞLU2
1
Fizik Bölümü, Anadolu Üniversitesi, 26470, Eskişehir
2
Fizik Bölümü, Fırat Üniversitesi, 23169, Elazığ
Bu çalışmada, nanoyapılı SnO2/p-Si diyotunun elektriksel özellikleri akım-voltaj ve kapasite-voltaj
karakteristikleriyle araştırıldı. SnO2 ince filmi p-tipi Silisyum üzerine sol-gel metodu ile hazırlandı. Taramalı
elektron mikroskobu ile SnO2 filminin nanoyapıya sahip olduğu görüldü. Al/SnO2/p-Si Schottky diyotunun
idealite faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç değeri sırasıyla 2.08, 0.82 eV ve 41.82 kΩ olarak hesaplandı.
Arayüzey durum yoğunluğu iletkenlik-frekans metodu ile belirlendi ve diyot için arayüzey durum yoğunluğu
8.40x109 eV-1 cm-2 olarak bulundu. Sonuçta, diyot için elde edilen elektronik parametreler, nanoyapının diyotun
elektronik parametrelerini geliştirdiğini göstermektedir.
Teşekkür:
Bu çalışma, Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu (Proje no: 061039) ve kısmi olarak
Ulusal Bor Araştırma Enstitüsü (BOREN) (BOREN-2006-26-Ç25-19) tarafından desteklenmektedir.
P20
4-(2-Tiyazolazo)rezorsinol ve Fe(II), Cu(II) Komplekslerinin Optik
Özellikleri
Fatma KARİPCİN,1 Eser KABALCILAR1, Saliha ILICAN2,
Yasemin ÇAĞLAR2, ve Müjdat ÇAĞLAR2
1
Kimya Bölümü, Süleyman Demirel Üniversitesi, 32260, Isparta
2
Fizik Bölümü, Anadolu Üniversitesi, 26470, Eskişehir
4-(2-Tiyazolazo)rezorsinol (TAR) ligandı kullanılarak [ML2] [M=Fe(II) ve Cu(II)] genel formülüne sahip metal
kompleksleri sentezlenmiştir. Komplekslerin yapıları FT-IR, UV, AAS spektral verileri, termal analiz, iletkenlik,
manyetik susseptibilite, element analizi gibi yöntemlerden faydalanılarak tayin edilmiştir. Daha sonra TAR ve
sentezlenen metal komplekslerinin ince filmleri buharlaştırma yöntemi kullanılarak hazırlanmıştır. Bu
maddelerin çözeltileri cam tabanlar üzerine dökülüp, 30oC sıcaklıkta 30 dakika kurutulmuştur. Elde edilen
filmlerin optik özellikleri incelenmiştir. Kırılma indisi, sönüm katsayısı ve dielektrik sabiti gibi optik sabitleri
belirlenmiş ve bu değerlerin farklı metal kompleksleri için değiştiği gözlenmiştir. Optik soğurma verileri
kullanılarak çizilen (αhν)2 ~ (hν) grafiğinden, filmlerin izinli geçişli doğrudan yasak enerji aralığına sahip
oldukları görülmüştür. Ayrıca Urbach enerji değerleri de hesaplanmıştır. Filmlerin optik dağılma parametreleri
ise, Wemple-Didomenico yöntemi kullanılarak belirlenmiştir.
Teşekkür:
Bu çalışma, Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafından 061039 nolu projesi olarak
desteklenmektedir.
P21
Epilayer n-InP numunesinin elektriksel karakteristiklerinin sıcaklık
bağımlılığı
Demet KORUCU1, Şemsettin ALTINDAL1, Tofig MAMMADOV1, 2, Süleyman ÖZÇELİK1
1
Fizik Bölümü,Fen Edebiyat Fakültesi, Gazi Üniversitesi, 06500, Ankara
2
Milli Bilimler Akademisi, Fizik Enstitüsü, Bakü, Azerbeycan
MBE tekniğiyle büyütülen InP numunesinin doğru beslem akım-voltaj (I-V) karakteristikleri sıcaklığa bağlı
olarak incelendi. 80-400K sıcaklık aralığında doyma akım yoğunluğu, idealite faktörü ve engel yüksekliği gibi
karakteristik diyot parametreleri hesaplandı. Sıcaklık artışına bağlı olarak, I-V ölçümlerinden elde edilen idealite
faktörü (n) azalırken; sıfır-beslem engel yüksekliğinin (ΦBo) arttığı görüldü. n ve ΦBo arasındaki bu ilişki
yarıiletken/yalıtkan ara yüzeyindeki yüzey durumlarının (Nss) varlığına atfedilir.
P22
Sol-Jel ile Kaplanmış Yüksek Dielektrikli İnce Filmlerin (HfO2,TiO2) MOS
Yapılardaki I-V Karakteristiklerinin İncelenmesi
Osman PAKMA,1 Necmi SERİN,2 ve Tülay SERİN2
1
2
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Muğla Üniversitesi, Kötekli, 48170, Muğla
Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi Tandoğan, 06100, Ankara
Bu çalışmada Al/HfO2/p-Si/p+ ve Al/TiO2/p-Si/p+ (MOS) yapılarının oda sıcaklığındaki akım-gerilim (I-V)
karakteristikleri incelenmiştir. HfO2 ve TiO2 ince filmleri p-Si (111) kristalinin tek yüzeyine sol-jel döndürme
yöntemiyle kaplanmıştır. Her bir film her kaplamadan sonra 300 oC’de 5’er dakika ve en son tabaka
kaplandıktan sonra da 500 oC’de 1 saat tavlamaya bırakılmıştır. Al/HfO2/p-Si/p+ ve Al/TiO2/p-Si/p+ (MOS)
yapılarının oda sıcaklığındaki akım-gerilim (I-V) karakteristikleri Shottky emisyon teoremi kullanılarak Shottky
engel yükseklikleri (∅b) ve ince filmlerin dielektrik sabitleri (εr) hesaplanmıştır.
P23
CdO İnce Filminin SILAR Metodu ile Büyütülmesi ve Yapısal
Karakteristiklerinin İncelenmesi
M. Ali YILDIRIM,1 Aykut ASTAM,2 ve Aytunç ATEŞ2
1
Eğitim Fakültesi, Fen Bilgisi Eğitimi ABD, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan
2
Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Atatürk Üniversitesi, 25040, Erzurum
Kadmiyum oksit (CdO) yarıiletken ince filmi, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) metodu
kullanılarak oda sıcaklığında ve atmosfer basıncı altında cam taban malzemesi üzerine büyütüldü. ([Cd(NH3)4]2+)
kadmiyum-amonyak kompleksi, CdCl2 (% 99) ve NH3 (% 25-28) kullanılarak hazırlandı ve başlangıç katyonik
çözeltisi olarak kullanıldı. CdO ince filmi 30 SILAR döngüsü sonunda büyütüldü. CdO ince filmi 1 saat süre ile
oksijen atmosferinde 200-450 oC sıcaklık aralığında 50 oC adımlarla tavlandı. X-ışını difraksiyon (XRD)
ölçümleri yardımıyla tavlama sıcaklığının filmin yapısal karakteristikleri üzerinde etkisi incelendi. Bu ölçümler
yardımıyla, filmin polikristal yapıda olduğu ve film kristalliğinin tavlama sıcaklığı ile iyileştiği belirlendi.
Teşekkür:
Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından TBAG-107T097 projesi olarak desteklenmektedir.
P24
TaN bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve Titreşimsel
Özellikleri üzerinde ab initio Hesaplamaları
G. Sürücü1, K. Çolakoğlu1, E. Deligöz2, and H.Özışık1
1
Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, Ankara, TÜRKİYE
2
Aksaray Üniversitesi, Fizik Bölümü, 68100, Aksaray, TÜRKİYE
Bu çalışmada ab initio yöntemi kullanılarak TaN (NaCl yapıda) kristalinin bulk özellikleri
üzerine teorik hesaplamalar yapıldı. Önce, yapının için örgü sabiti, bulk modulü ve bulk
modülünün birinci türevi (Murnaghan hal denklemine fit edilerek) hesaplandı. Daha sonra
elektronik, elastik ve titreşimsel özellikler incelendi. Bulunan sonuçlar mevcut çalışmalar ile
karşılaştırıldı.
P25
“2-Hydroxyethyl-ethylenediamineoxalatocopper(II)”, [Cu(HydEt-en)(ox)],
Kompleksinin Sentezi, Spektrotermal ve Yapısal Karakterizasyonu
M. Hakkı Yıldırım* ve Hümeyra Paşaoğlu
Ondokuz Mayıs Universitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 55139, Kurupelit,
Samsun
* [email protected]
[Cu(HydEt-en)(ox)],
kompleksi
“2-hydroxyethyl-ethylenediamineoxalatocopper(II)”,
sentezlendi ve yapısı tek-kristal X-ışını kırınımı, IR spektroskopisi, elemental analiz ve termal
analiz teknikleriyle aydınlatıldı. Kompleks ortorombik uzay grubu P212121 de
kristallenmektedir ve birim hücre parametreleri a = 7.9766(5), b = 8.7263(4), c = 13.0191(7)
Å ve Z = 4 şeklindedir. Kompleksde bakır(II) iyonu bozunmuş kare piramid koordinasyon
geometrisine sahiptir. “2-(2-aminoethylamino)-ethanol” olarak da bilinen HydEt-en ligantı
imino, amino ve hidroksil gruplarından bağlanmak suretiyle üç dişli ligant olarak
davranmaktadır. Okzalat ligantı ise metale iki karboksil oksijeni üzerinden bağlanmaktadır.
Kristal paketlenme N−H···O ve O−H···O tipi hidrojen bağlarıyla sağlanmaktadır. Bu hidrojen
bağları kristalografik b ekseni boyunca zincir yapı oluşturmaktadır. Zincirler birbirlerine
hidrojen bağlarıyla bağlanmaktadır ve bu üç boyutta supramoleküler bir yapı oluşturmaktadır.
Kompleksin IR spektrumu ve termal bozunması ayrıca incelenmiştir.
P26
“Bis(histamin-sakkarinat)kadmiyum(II)” Kompleksinin Sentezi, Yapısal,
Spektroskopik ve Kuramsal Yöntemlerle İncelenmesi
Gökhan KAŞTAŞ* ve Hümeyra PAŞAOĞLU
Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Kurupelit, 55139 Samsun
*[email protected]
[Cd(his)2(sak)2] (his=histamin, sak=sakkarinat) kompleksinin yapısı X-ışını
kırınımıyla belirlenmiştir. Bileşik, monoklinik uzay grubunda kristallenmektedir. Birim hücre
parametreleri a=7.528(5), b=22.192(5), c=8.615(5) Å, β=107.148(5)˚, V=1375.3(13) Å3 ve
Z=4 şeklindedir. Kristal yapıda kadmiyum(II) iyonu çift dişli iki histamin ligantı ve tek dişli
iki sakkarinat ligantı ile bağlanarak oktahedral bir koordinasyon geometrisi oluşturmaktadır.
Oktahedral yapının taban düzlemini histaminin azot atomları, eksensel konumlarını ise
sakkarinin azot atomları oluşturmaktadır. Kristal paketlenme N−H···O tipi hidrojen bağları ile
1
1
sağlanmaktadır. Bu bağlar, konumları (0 0 ) ve ( 0 0 ) olan merkezi simetrik R22 (8) ve
2
2
2
R4 (4) halkaları oluşturmaktadır (Şekil 1). [Cd(his)2(sak)2] kompleksinin yapısı ayrıca IR
spektroskopisi ve kuramsal yöntemlerle de incelenmiştir. Sonuçlar karşılaştırmalı olarak
verilmektedir.
Şekil 1. Cd(his)2(sak)2 paketlenmesinde merkezi-simetrik R22 (8) ve R42 (4) halkalarının
oluşumu.
P27
TlInS2 Katmanlı Kristallerde Yüksek Sıcaklıklarda
Isıluyarılmış Akım Ölçümleri
Mehmet IŞIK,1 Nizami HASANLİ,2 ve Hüsnü ÖZKAN2
1
Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü, Atılım Üniversitesi, İncek, 06836, Ankara
2
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Çankaya, 06531, Ankara
TlInS2 katmanlı tek kristallerinde 100-300 K sıcaklık aralığında ısıluyarılmış akım ölçümleri tekniği ile tuzak
merkezleri ve dağılımları üzerinde çalışıldı. Deneysel veriler aktivasyon enerjileri 400, 570 ve 650 meV olan üç
deşik tuzak merkezinin bulunduğunu gösterdi.
Bu tuzak seviyelerinin yakalama kesit alanlarının sırası ile
6.3 × 10-16 , 2.7 × 10-12 ve
1.8 × 10-11 cm2 olduğu belirlendi. Ayrıca tuzakların yoğunlukları 4.1 ×
109, 0.9 × 109 ve 2.6 × 109 cm-3 olarak hesaplandı. Deneysel sonuçlar ile yavaş geri tuzaklanmaya dayalı teorik
öngörülerinin uyumlu olması bu tuzak seviyelerinde geri tuzaklanmanın ihmal edilebilir olduğunu gösterdi.
Farklı ışınlama sıcaklıkları sonucunda elde edilen ısıluyarılmış akım ölçüm verilerinin analizi deşik tuzaklarının
üstel dağılımını ortaya çıkardı. Bu deneysel teknik, tuzak dağılımlarının 800 meV/geçiş değerine sahip olduğunu
gösterdi.
Kaynaklar:
[1] R. Chen ve Y. Kirsh, Analysis of Thermally Stimulated Processes,
Oxford, (1981).
[2] N. S. Yuksek, N. M. Gasanly ve H. Ozkan, Semicond. Sci. Technol. 18, 834 (2003).
[3] A. Serpi, J. Phys. D: Appl. Phys. 9, 1881 (1976).
[4] R. Bube, Photoelectronic Properties of Semiconductors, Cambridge University Press,
Cambridge, (1992).
[5] T. Pisarkiewicz, Opto-Electron. Rev. 12, 33 (2004).
Pergamon
Press,
P28
Katmanlı Tl2In2S3Se Kristallerinde Uyarılma ve Sıcaklık Bağımlı Fotoışıma
İ. Güler, N.M. Hasanli
Fizik Bölümü, Ortadoğu Teknik Üniversitesi, Ankara, 06531, Türkiye
Sıcaklık ve lazer uyarılma bağımlı fotoışıma spektrum ölçümleri, elektronların yeniden birleşme mekanizmaları
hakkında önemli bilgiler verir. 532 nm dalga boyuna sahip YAG:Nd3+ lazer kullanılarak Tl2In2S3Se tabakalı
kristal uyarılıp lazer uyarılma bağımlı fotoışıma spektrumu elde edildi. Emisyon bant spektrumu 22-58 K
sıcaklık ve 535-725 nm dalga boyu bölgelerinde çalışıldı. İki fotoşıma bant merkezleri 564 nm (2.20 eV, A-bant)
ve 642 nm (1.93 eV, B-bant), T = 22 K de gözlemlendi. Emisyon bandının pik yerleri çeşitli derecede kırmızı
kayma gösterdi; sıcaklık artarken pikin maksimum şiddetinin yarı yüksekliğindeki tam genişliği arttı ve pik
şiddeti azaldı. Fotoışıma spektrumunda gözlemlenen A ve B bantlarının, iletken bandının altında yer alan 20 ve
10 meV sığ verici seviyelerden, valans bandının üstünde yer alan 50 ve 40 meV alıcı seviyelere ışınımsal
geçişlerden kaynaklandığı belirlendi. Bu iki bandın değişimi 16-516 mWcm-2 lazer şiddeti aralığında incelendi.
Fotoışıma spektrum analizinden pikin enerjisi ve emisyon bant şiddeti hakkında bilgi elde edildi. Analizler
sonucunda pik enerjisinin lazer uyarım şiddeti ile değiştiğini gözlemlendi (maviye kayma). Emisyon bandının
davranışı, dağılımı homojen olmayan alıcı-verici çiftler için uyumlu olduğunu gösterdi. Uyarılma şiddetinin
artması bantlarda birbirine yakın yerleşmiş olan çiftlerin daha fazla uyarılmasını sağlar ve böylece bantlarda
maviye kayma gözlemlenir.
P29
Katmanlı Yapıya Sahip Yarıiletken TlGaSeS Kristallerinde
Tuzakların Dağılımı
Tacettin YILDIRIM1, Nizami HASANLİ2, Hüsnü ÖZKAN2
1
Fizik Bölümü, Nevşehir Üniversitesi, 50300, Nevşehir
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06531, Ankara
2
Katmanlı yapıya sahip TlGaSeS kristallerinde ısısal uyarılmış akım yöntemiyle 10-300 K sıcaklık aralığında
akım-sıcaklık bağımlılığı incelendi. Pozitif yönde ısısal uyarılmış akımın maksimum pik değerinin negatif
yöndekinden daha büyük olduğu dikkate alınarak yarıiletken kristalin 12 meV seviyesine yerleşmiş sığ hol tuzak
merkezi bulundu. Bu tuzak merkezinin aktivasyon enerjisi, çeşitli analiz metotları kullanılarak hesaplandı ve
sonuçların birbirine uygun olduğu görüldü. Eğri fit etme yöntemi kullanılarak hol tuzak merkezinin yakalama
tesir kesiti elde edildi. Tuzakların konsantrasyonunu bulmak için fotoiletkenlik sönüm verilerinden yararlanıldı.
TlGaSeS yarıiletken kristalinin farklı sıcaklıklarda aydınlatılmasından sonra alınan akım-sıcaklık verilerinden
hol tuzaklarının 19 meV/decade dağılım gösterdiği hesaplandı.
P30
Geleneksel Kuma Döküm ve Hızlı Katılaştırma Yöntemleri ile Üretilen
Al-12Si-1.0Sb Alaşımının Sertlik Değerlerine Altlık Etkisinin İncelenmesi
Orhan UZUN, Fikret YILMAZ, Uğur KÖLEMEN, Necati BAŞMAN, Utkan ALP
Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, 60240,Tokat
Geleneksel kuma döküm ve hızlı katılaştırma (düzlemsel akışla döküm) yöntemleri ile üretilen Al–ağ.%12Si–
ağ.%1.0Sb alaşımlarının mekanik özellikleri Derinlik Duyarlı Çentik (DDÇ) testiyle incelendi. Farklı yükler
(200, 400, 600, 800, 1000 ve 1200 mN) altında DDÇ testinden elde edilen veriler, Oliver-Pharr ve Enerji
Yaklaşımları ile analiz edilerek malzemelere ait sertlik (H) değerleri elde edildi. Geleneksel döküm alaşımda H
değerleri artan yükle değişmezken, hızlı katılaştırılmış alaşımlarda sertliğin artan yükle birlikte azaldığı (Çentik
Boyutu Etkisi, ÇBE) gözlendi [1]. Hızlı katılaştırılmış alaşımda gözlenen bu davranış Nix-Gao [2] ve Korsunsky
[3] modelleri kullanılarak analiz edildi. Sonuçlar, Korsunsky modelinin hızlı katılaştırılmış alaşımda gözlenen
yüke bağlı davranışı açıklamada daha geçerli olduğunu ve gözlenen bu davranışın çentik boyutu etkisinden
kaynaklanmayıp, altlık etkisinden kaynaklandığını ortaya koydu.
Kaynaklar:
[1] O. Uzun, T. Karaaslan ve M. Keskin, J. Alloy. Comp. 358, 104 (2003).
[2] N. D. Nix ve H. Gao, J. Mech. Phys. 46, 411 (1998).
[3] A. M. Korsunsky, M. R. McGurk, S. J. Bull, T. F. Page, Surf. Coat. Tech. 99, 171 (1998).
Teşekkür:
Bu çalışma, Devlet Planlama Teşkilatı (Proje No: 2003K120510) tarafından desteklenmektedir.
P31
[(E)-2-[(2-Klorofenillimino)meti])-4-metoksifenol] Molekülün Deneysel ve
Kuramsal Analiz Çalışması
A. Özek1 ,*, Ç. Albayrak2 , M. Odabaşoğlu2 , and O. Büyükgüngör1
1
19 Mayis University, Department of Physics, Samsun
2
19 Mayis University, Department of Chemistry,
∗[email protected]
Başlıktaki molekülün (C14H12ClNO2), kristal yapısı X-ışınları analizi yöntemiyle belirlendi (Şekil 1).
Kristal, P21/c uzay grubunda monoklinik yapıda olup a =13.2348(9) Å, b = 8.4701(4) Å, c = 12.0115(8) Å, α =
90.00º, β = 112.846(5)º, γ = 90.00 º , Z = 4 özelliklerine sahiptir. Molekül, güçlü bir molekül içi O-H…N
hidrojen bağı ve zayıf iki tane moleküler arası C-H...O hidrojen bağı ile fenol-imin tautomerik form
göstermektedir. Molekülün kristal paketlenmesinde bu etkileşimlere ek olarak ayrıca, C-H...π etkileşimi ve π...π
etkileşimi de önemli rol oynamıştır. Çalışmanın kuramsal hesaplamalar kısmında Gaussian 03W (Gaussian 03W,
2004) paket programı içersinde yer alan yoğunluk fonksiyonel teorisi DFT yöntemi ile, molekülün
düzlemselliğinde önemli olan θ1(C10-C9-N1-C8) / θ2(C9-N1-C8-C1) torsiyon açılarına ait konformasyonel
analizi, geometri optimizasyonu, enerji ve moleküler özellikleri belirlendi.
Şekil 1
Kaynaklar:
[1] Frisch, M. J., et al. (2004). GAUSSIAN03 Revision E.01. Gaussian, Inc., Wallingford CT 06492, USA.
P32
Co2MnSi Yarı-Metalik Heusler Alaşımının Yüksek Basınç Elektronik ve
Manyetik Özelliklerinin İlk Prensiplerden İncelenmesi
Gökhan GÖKOĞLU,1 ve Oğuz GÜLSEREN2
1
2
Fizik Bölümü, Karabük Üniversitesi, 78050, Karabük
Yarı-metalik ferromanyetizma, de Groot tarafından ilk kez NiMnSb Heusler bileşiğinde gözlenmiştir [1]. Yarı
metalik ferromanyetik bileşikler, yukarı spinlerin metalik, aşağı spinlerin ise yarıiletken elektronik bant yapısına
sahip olması nedeniyle Fermi düzeyi civarında yüksek spin polarizasyonu gösteren malzemelerdir. Bu tür
malzemeler, spintronik, manyetodirenç ve yarıiletkenlere spin enjeksiyonu gibi teknolojik uygulamalar açısından
anahtar rolü oynar. Kuramsal olarak, yarı-metalik özelliğe sahip olduğu öngörülen çok sayıda ferromanyetik
bileşik mevcuttur [2,3]. Co2YZ Heusler bileşikleri yüksek manyetik moment, yaklaşık 900 K değerindeki yüksek
Curie sıcaklığı ve deneysel olarak kolay sentezlenebilmesi nedeniyle spintronik uygulamalar açısından en önemli
malzeme durumundadır. Co-bazlı Heusler bileşikleri ilk prensip hesaplamaları ile incelenmiş ve çoğunluğunun
yarı-metalik özelliğe sahip olduğu belirlenmiştir [2]. Co2MnSi bileşiği, pek çok grup tarafından ince film ve
aygıt üretiminde kullanılmıştır. Yarı-metalik yapının hangi koşullar altında korunduğu da önemli bir araştırma
konusudur. Örneğin yığın (bulk) durumda yarı-metalik özellik gösteren bileşikler, yüzey etkilerinin dikkate
alınması durumunda yarı-metalik özelliğini koruyamamaktadır [4]. Heusler bileşiklerinde basınç altında yarımetalik özelliğin değişimi üzerinde literatürde yapılmış bir çalışma bulunmamaktadır. Bu çalışmada,
stokiyometrik yapıdaki Co2MnSi Heusler alaşımının, 95 GPa düzgün hidrostatik basınca kadar elektronik ve
manyetik özellikleri incelenmiştir. Hesaplamalar, Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi (Density Functional Theory,
DFT) temelinde düzlem dalga baz setleri ve ultrasoft potansiyeller kullanılarak gerçekleştirilmiş, değiş-tokuş ve
korelasyon enerjisi için GGA yaklaşımı kullanılmıştır. Ferromanyetik yapı, Co ve Mn atomları için spin-polarize
elektron yoğunluğu kullanılarak modellenmiş, eş-doğrultulu (collinear) olmayan konfigürasyonlar ihmal
edilmiştir. Artan basınç ile birlikte, iletkenlik bandı minimumunun aşağı kayması ve Γ-noktasında aşağı spinlerin
doğrudan band aralığının artması sonucu, 70 GPa dolaylarında yarı-metal→metal geçişi gözlenmektedir. Aşağı
spinlerin Fermi düzeyi civarındaki elektronik durum yoğunluğu büyük ölçüde kobalt atomlarından
kaynaklanmakta ve artan basınçla birlikte belirgin hale gelmektedir. Sistemin metalize olması ile birlikte %100
olan spin polarizasyonunda büyük düşüş gözlenmiş, bu değer 75 ve 95 GPa basınçta sırasıyla 0.97 ve 0.34’e
düşmüştür. Basıncın, yukarı spinlerden daha çok aşağı spinlerin elektronik durumlarını etkilediği görülmektedir.
Sistemin sıfır basınç altında 5.00 µB olan toplam manyetik momenti büyük ölçüde mangan sitesinden (∼3.3 µB)
kaynaklanmaktadır. Artan basınçla birlikte Mn-d durumlarında, yukarı spinlerin durum yoğunluğunun azalması
ve aşağı spinlerin yoğunluğunun artması ile Mn manyetik momenti 3.06 µB değerine düşmüştür. Bu azalma
büyük ölçüde, başlangıçta -0.12 µB olan silisyum atomunun manyetik momentinin artan basınçla sıfıra
yaklaşması ile telafi edilmiş ve 95 GPa basınçta sistemin toplam manyetik momentinin 4.98 µB olduğu
görülmüştür.
Kaynaklar:
[1] R. A. De Groot, F. M. Mueller, P. G. Van Engen, and K. H. J. Buschow, Phys. Rev. Lett. 50, 2024 (1983).
[2] I. Galanakis, P. H. Dederichs, and Papanikolaou, Phys. Rev. B 66, 174429 (2002).
[3] M. Shirai, J. Appl. Phys. 93, 6844 (2003).
[4] S. J. Hashemifar, P. Kratzer, and M. Scheffler, Phys. Rev. Lett. 94, 096402 (2005).
P33
CdO İnce Filmlerin Püskürtme Yöntemi İle
Hazırlanması ve Karakterizasyonu
Filinta Kırmızıgül,1 Emine Güneri,2 Fatma Göde3 ve Cebrail Gümüş1
1
Fizik Bölümü, Çukurova Üniversitesi, Yüreğir, 01330, Adana
İlköğretim Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Talas, 38039, Kayseri
3
Fizik Bölümü,Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi,46100, Kahramanmaraş
2
CdO ince filmleri püskürtme yöntemi kullanılarak çeşitli sıcaklıklarda (200-350 oC) cam alttabanlar üzerinde
elde edildi. Filmlerin X-ışını kırınımı, oda sıcaklığındaki optik geçirgenliği, enerji bant aralığı, kalınlıkları ve
elektriksel özdirenç değerleri deneysel olarak bulundu. X-ışını kırınımı sonuçları filmlerin kübik fazda
büyüdüklerini göstermektedir. Filmlerin sırasıyla oda sıcaklığında optik geçirgenlik değerleri % 80, enerji bant
aralıkları 2.10-2.25 eV, kalınlık değerleri 0.15-0.65 µm ve özdirenci (1.1-3.4)⋅10-3 Ωcm bulundu.
Kaynaklar:
[1] C.H.Bhosale, A.V. Kambale, A.V. Kokate ve K.Y. Rajpure, Mater. Sci. & Eng. B 67, 122 (2005).
[2] R.R. Chamberleın, Solid State Elect. 819, (1966).
[3] B.D. Cullity, X-Işınları Difraksiyonu. İstanbul Teknik Üniversitesi Kütüphanesi, İstanbul, 540s.(1966)
[4] F.C. Eze, Mater. Chem. and Phys. 205, 89 (2005).
[5] K.Gurumurugan, D. S.K. Mangalarajnarayandass, Y. NAKANISHI ve Y. Hatanaka, Appl. Surf. Sci. 422,113
(1997).
[6] X. Han, R.Lıu, Z. Xu, W. Chen ve Y. Zheng, Electrochem. Commun. 1195, 7 (2005).
[7] B.J. Lokhande, P.S. Patil ve M.D. Uplane, Mat. Chem. and Phys. 238, 84 (2004).
[8] H.T.Derraz, N. Benramdane, D. Nacer, A.BOUZIDI ve M. Medles, Sol. Eng. Mat. & Sol. Cells, 249, 73
(2002).
[9] O.Vıgıl, F. Cruz, A. M. Acevedo, G. C.Puente, L.Vaillant ve G. Santana, Mat. Chem. and Phys. 249, 68
(2001).
P34
3-,4-,5-,6-Flor-2-Fenilpiridin Moleküllerinin Çizgisel Olmayan Optik
Özellikletrinin İncelenmesi
Hamit ALYAR,1 ve Mehmet BAHAT2
1
2
Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, 43100, Kütahya
Bu çalışmada 3-,4-,5-6-flor-2-fenilpiridin moleküllerinin çizgisel olmayan optik özelliklerinden statik
polarizebilite, anizotropik polarizebilite ve birincil statik hiperpolarizebilitelerinin torsiyon açısına bağlı
değişimleri HF ve DFT/B3LYP metotları kullanılarak GAUSIAN 03W paket programı ile hesaplandı.
Hesaplamalarda 6-31++G(d,p) temel seti kullanıldı. Çizgisel olmayan optik özelliklerinin dihedral açıya baglı
değişimleri 0°-90º arasında 15’er derecelik adımlarla gerçekleştirildi. Hesaplamalarda elde edilen değerlerin
literatürde bulunan 2-fenilpirin molekülünün sonuçları ile karşılaştırılması yapıldı [1]
Kaynaklar:
[1] H. Alyar, M. Bahat, E. Kasap ve Z. Kantarcı, Czech. J.Phys. 56, 349 (2006).
Teşekkür:
Bu çalışma, DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ tarafından BAP-2007-1 projesi olarak desteklenmektedir.
P35
Au/n-CdTe Güneş Pillerinde Engel Yüksekliğinin Geniş Bir Sıcaklık
Aralığında İncelenmesi
Songül FİAT, Ziya MERDAN
Gaziosmanpaşa Üniversitesi,Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü 60240, Tokat, TÜRKİYE
Au/n-CdTe güneş pillerinin doğru öngerilim altındaki akım-voltaj (I–V) karakteristikleri 120380 K sıcaklık aralığında incelendi. Deneysel verilerden, engel yüksekliği (Φbo) değerleri
artan sıcaklıkla artarken idealite faktöründe (n) ise bir azalma olduğu gözlendi. Φbo’ın böyle
bir davranışı engel yüksekliğinin literatürde rapor edilen negatif sıcaklık katsayısına aykırıdır.
Bu durum, Termoiyonik Emisyon (TE) teorisi taban alınarak ve ara yüzeydeki engel
homojensizliğinin Gauss Dağılımı ile açıklanabilmektedir. Buna delil olarak, elde edilen Φboq/2kT grafiğinin lineer davranış göstermesidir. Bu lineer bölgenin y-eksenini kesme
noktasından ve doğrunun eğiminden sırasıyla ortalama engel yüksekliği Φbo =1,02 eV ve
standart sapma σo= 0.119 V elde edildi. Böylece, modifiye ln(Io/T2)-q2σo2 /2(kT)2 ‘nin
q/kT’ye göre elde edilen lineer bölgenin kesme noktasından ve eğiminden A* ve Φbo sırasıyla
1.015 eV ve 14.81 Acm-2K-2 olarak bulundu. Bu sonuçlar geleneksel I-V-T ölçümlerine
bakıldığında teorik Richardson sabiti A* nın
n-CdTe için 12 Acm-2K-2 olduğu ve
bulduğumuz değere oldukça yakın olduğu ve dataların elde ettiğimiz sonuçlarla uyum içinde
olduğu görüldü. Özetle I-V-T karakterizasyonu Au/n-CdTe güneş pili için Termoiyonik
Emisyon teorisi baz alınarak engel yüksekliğinin Gauss Dağılımı ile başarılı bir şekilde
açıklanabilmektedir.
P36
Kimyasal depolama yöntemiyle elde edilen Mn katkılı ZnS filimlerinde
tavlamanın yapısal, optik ve elektriksel özellikleri üzerine etkisi
Fatma GÖDE, Cebrail GÜMÜŞ
Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 46100 Kahramanmaraş
Çukurova Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü 01330 Adana
Bu çalışmada, Mn katkılı ZnS (ZnS:Mn) filmleri Kimyasal Depolama Yöntemiyle 80 ºC’de 6 saat bekletilerek
elde edilmiştir. ZnS:Mn filmlerinin kristal yapıları x-ışınlari kırınım desenlerinden (XRD), yasak enerji aralıkları
absorpsiyon spektrumu ölçümlerinden elde edilmiştir. Filmler 100-500 ºC aralığında 1 saat tavlanmış.
Tavlamanın yapısal, optik ve elktriksel özellikleri üzerine olan etkisine bakılmıştır.
P37
YCu ve YAg Bileşiklerinin Elektronik, Elastik ve Titreşimsel Özellikleri
Şule Uğur 1 , Gökay Uğur 1, Fethi Soyalp 2 , Mehmet Çivi 1, Recai Ellialtıoğlu 3
1
Fizik Bölümü, Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Zeve Kampüsü, 65080, Van
3
2
Bu çalışmada lineer tepki yaklaşımında sanki potansiyel metodu ve genelleştirilmiş eğim yaklaşımı (GGA)
kullanılarak, B2 (CsCl) yapıdaki YCu ve YAg bileşiklerinin elektronik, elastik ve titreşimsel özellikleri
incelendi. Bileşiklerin örgü sabitleri, hacim modülleri ve ikinci mertebeden elastik sabitleri hesaplanarak, daha
önceki teorik ve deneysel sonuçlarla karşılaştırıldı. B2 yapıdaki YCu ve YAg bileşikleri için hesaplanan örgü
sabitleri ve yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanılarak elektronik band yapısı ve fonon frekansları temel simetri
yönleri boyunca hesaplanarak çizildi. Özellikle elektronik band yapıları daha önceki teorik çalışmalarla çok
uyumlu bulundu ancak bu bileşiklerin fonon frekansları ilk defa bu çalışmada hesaplandığından başka bir
sonuçla karşılaştırılamadı. Her iki bileşiğin de metalik karakter gösterdiği gözlendi.
Teşekkür:
P38
Grafin Nano-şeritlerin Elektronik Yapısı
Hüseyin Şener Şen ve Oğuz Gülseren
Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bilkent 06800 Ankara
Grafinin bant aralığı sıfır olduğundan yarı iletken uygulamalarında kullanılamamaktadır. Öte yandan grafin
nano-şeritler (GNŞ) sonlu büyüklükteki grafinlerden oluştuğundan dolayı grafinden farklı olarak bant aralıkları
sıfır olmayabilir, bu nedenle bant aralığı mühendisliği uygulamaları için (örneğin transistörler) yeni bir adaydır.
Bu çalışma zayıf bağlanma yöntemiyle hem bir boyutlu (bir boyutta sonsuz), hem de sıfır boyutlu (iki boyutta da
sonlu) Grafin Nano-Şeritlerin elektronik bant yapısının hesaplanmasını sunmaktadır. Hesaplamalar hem bir
boyutta, hem de sıfır boyutta Zigzag, Koltuk ve Kiral Grafin Nano-Şeritler (ZGNŞ, KGNŞ, KiGNŞ) için
yapılmıştır. Hesaplar, grafindeki gibi sıfır bant aralıklı grafin nano-şeritlerin (ZGNŞ ve KGNŞ) olduğunu
gösterdiği gibi, bant aralığı boyutları küçüldükçe artan ve böylece silikonun yerini almak için daha uygun ve
güçlü bir aday haline gelen sıfırdan farklı bant aralığına sahip (KGNŞ ve KiGNŞ) grafin nano-şeritlerin de
varlığını göstermektedir.
Teşekkür:
P39
Kobalt-Benzen Moleküllerinin Elektronik ve Taşınım Özellikleri
Ertuğrul KARADEMİR, R. Tuğrul SENGER
Fizik Bölümü, Bilkent Üniversitesi, 06800 Ankara
Temel ilkelere dayalı yoğunluk işlevi kuramı ve Landauer nicem taşınım hesapları kullanılarak çeşitli kobalt
bileşiklerinin manyetik ve elektronik özellikleri incelendi. kobalt ile benzen (CoBn) ve kobalt ile
siklopentadienil (CoCp) halkalarından oluşan periyodik nanoteller modellendi. Bu yapıların taban halleri
organik halkaların birbirlerine göre konumları değiştirilerek hesaplandı. CoCp yapısı manyetik bir özellik
göstermezken, CoBn yapısında halka-hizalı ve halka-değişimli yapılar yarımmetal özellik sergilediler. Bu
yapılardan halka değişimli olanının halka hizalı olanına göre daha düşük bir enerjiye sahip olduğu hesaplandı.
CoBn yapıların taban hali demirmıknatıssal dizilimde olmasına rağmen nanotelin uçlarından uygulanan doğrusal
çekme ve büzme işlemlerinin taban halini zıt demirmıknatıssal dizilime getirdiği gözlemlendi. Son olarak, sonlu
uzunlukta CoBn moleküllerinin uçlarına altın elektrotlar bağlanarak bu yapıların nicem taşınım özellikleri
incelendi. Geçen akıma fırıl (spin) aşağı elektronların, fırıl yukarı elektronlara göre daha çok katkıda
bulundukları hesaplandı.
Teşekkür:
Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından 106T597 numaralı proje çerçevesinde desteklenmektedir. R. Tuğrul Senger,
TÜBA-GEBİP programından sağlanan araştırma desteği için teşekkür eder.
P40
PrAs bileşiğinin ab initio yöntemiyle yapısal, elektronik, elastik ve
titreşimsel özelliklerinin incelenmesi
B. KOÇAK,1 Y. Ö. ÇİFTÇİ1, K. ÇOLAKOĞLU1 ve E. DELİGÖZ2
1
2
Fizik Bölümü, Aksaray Üniversitesi,68100, Aksaray
Bu çalışmada, PrAs bileşiğinin NaCl (B1) ve CsCl (B2) yapılarında yapısal, elektronik, elastik ve termodinamik
özellikleri plane - wave pseudopotansiyel ve yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab-initio metodu ile
hesaplandı. Bileşiğin örgü parametreleri, bant yapıları, elastik sabitleri, Debye sıcaklığı, Zener anizotropi
faktörü, Young ve Shear modülü, Poisson oranı hesaplandı ve fonon dispersiyon grafiği çizildi. Elde edilen
sonuçlar mevcut deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırıldı.
.
P41
PAA Sıvı Kristalinin İzotropik Sıvı-Nematik-Katı Faz Geçişleri Yakınında
Öz Isısının Kritik Davranışı
Emel KİLİT, Hamit YURTSEVEN
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06531 Ankara
Bu çalışmada PAA sıvı kristalinin izotropik sıvı-nematik (NI) ve nematik-katı (SN) faz geçişleri için sıcaklığın
işlevi olarak öz ısının analizi yapılmıştır. Cp ∼ ε
−α
kuvvet yasası bağıntısını kullanarak bu sıvı kristalin NI ve
SN geçişleri için öz ısının kritik davranışı betimlenmiştir ( ε = T − TC / TC ile tanımlı indirgenmiş sıcaklık,
α
kritik üs ve TC=TNI, TSN kritik sıcaklıktır). α kritik üs değerleri TNI ve TSN’nin altında ve üstünde literatürden
alınan gözlenen Cp verisinin analizinden elde edilmiştir. Kritik üs değerleri α =0.85 (T>TNI), 0.03 (T<TNI), -0.07
(T>TSN) ve 0.09 (T<TSN) olarak bulunmuştur. Bulunan kritik üs değerleri çeşitli modellerin (Ising, Heisenberg,
XY) öngördüğü değerlerle karşılaştırılmıştır.
P42
S-triazinde Öz Isının Analizi
Mustafa KURT, Hamit YURTSEVEN
S-triazinin (C3N3H3) öz ısısı Cp geçiş sıcaklığının (TC=198.07 K) hemen üstünde ve altında Ising modelinden
türetilen kuvvet yasasına göre analiz edilmiştir. Bu analiz için deneysel Cp verisi kullanılmış ve bu moleküler
kristalin öz ısısı, bulunan α =0.39 (T>TC) ve α ′ =0.28 (T<TC) kritik üs değerleriyle Ising modeline göre
betimlenmiştir.
Bulunan kritik üs değerleri üç boyutlu Ising modelinin öngördüğü α = α ′ =1/8 (=0.125) değeriyle
karşılaştırılabilir. Deneysel olarak s-triazinde gözlendiği üzere, küçük gizli ısı süreksizliği burada çalışılan Ising
model kapsamında açıklanabilir.
P43
Küçük boyutulu Josephson eklemlerinden oluşan Goto çiftinin dinamik
özellikleri
I.N.Askerzade1,2, Refik Samet1
1
Department of Computer Engineering, Engineering Faculty of Ankara University, Aziz Kansu Building
Tandogan Kampus, 06100, Tandogan, Ankara, Turkey
2
Institute of Physics Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan
[email protected], [email protected]
Resistive model kapsamında küçük boyutlu Josephson eklemlerinden oluşan Goto çiftinin dinamik özellikleri
araştırılmıştır. Bu amaçla Goto çiftinin geçiş karaterizasyonu hesaplanmıştır. Analitik çözüm ve geçiş süresi için
ifade elde edilmiştir. Literatürden belli olan veriler dikkate alınarak değerlendirmeler yapılmış ve geçiş
süresinin 1 ps tertibinde olduğu tespit edilmiştir.
P44
Kuvvetli Manyetik Alan Altında Aharonov-Bohm İnterferometrelerinde
Kenar-Durum Dağılımı
E. Cicek1 , S. Arslan2 , S. Aktas1 , A. I. Mese1 , D. Eksi1 , M. Ulas1 and A. Siddiki2,3
1
Trakya Üniversitesi, Fizik Bölümü, 22030 Edirne, Türkiye
Ludwig-Maximillians-University, Physics Dept., LS von Delft München, D-80333 Münih, Almanya
3
Fizik Bölümü, Muğla Üniversitesi, Kötekli, 48100, Muğla, Türkiye
2
Bu çalışmada, sisteme dik doğrultuda uygulanan manyetik alana bağlı olarak iki boyutlu elektron gazı üzerinde
tanımlanan Aharonov-Bohm interferometrelerinin [1,2] kenar (edge) fiziği incelenmiştir. Kristal büyütme
parametreleri ve örneğin yüzey görüntüsü kullanılarak nümerik tekniklerle üç boyutlu Poisson denklemi
çözülmüştür [3]. Kesme [4] ile daha dik potansiyel profilleri elde ettiğimiz durumlarla, kesme ve kapı (gate)
[5,6] ile tanımlı geometrilerin potansiyel görünüşleri karşılaştırılmıştır. Sıkıştırılamaz bölgelerin uzaysal
dağılımı, kapı voltajına ve uygulanan manyetik alanın fonksiyonu olarak incelenmiştir.
Kaynaklar:
[1] F. E. Camino, W. Zhou and V. J. Goldman, Phys. Rev. B, 72, 155313 (2005).
[2] F. E. Camino, W. Zhou and V. J. Goldman, Phys. Rev. Lett., 98, 076805 (2007).
[3] S.Arslan, E. Cicek, D. Eksi, S. Aktas, A. Weichselbaum and A. Siddiki, Phys. Rev. B, 78, 125423 (2008).
[4] B. Y. Gelfand and B. I. Halperin, Phys. Rev. B, 49, 1862, (1994).
[5] D. B. Chklovskii, B. I. Shklovskii and L. I. Glazman, Phys. Rev. B, 46, 4026 (1992).
[6] S. Ihnatsenka and I. V. Zozoulenko, ArXiv e-prints 803, (2008).
Teşekkür:
“Screening Theory” konusu ile ilgili verdiği dersler ile konunun temellerini anlamamızdaki yardımlarında dolayı
R. R. Gerhardts’ a teşekkür ederiz. Bu çalışma, TUBAP-886,871,929,2008-42, SFB631 and DIP projeleri ile
desteklenmiştir.
P45
PECVD a-SiOx:H (x<2) Örneklerde Sıcaklığa Bağlı Fotolüminesans
Akın BACIOĞLU1, Alp Osman KODOLBAŞ2, Özcan ÖKTÜ1
1
Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe, 06800, Ankara
2
Ulusal Metroloji Enstitüsü (TUBITAK-UME),Gebze,41470,Kocaeli
PECVD sisteminde hazırlanmış a-SiOx:H (x<2) örneklerinin sıcaklığa bağlı fotolüminesans özellikleri, 20K400K sıcaklık aralığında, incelenmiştir. İki temel fotolüminesans bandının varlığı belirlenmiştir. Bunlardan birisi
sadece 200K’den daha düşük sıcaklıklarda gözlenebilen ve artan sıcaklıkla sönen fotolüminesans bandıdır. Bu
fotolüminesans bandı, iletkenlik ve değerlik bant uzantıları arası ışımalı yeniden birleşmeye atfedilmiştir.
Gözlenen diğer fotolüminesans bandı, örnekten örneğe değişmeyen bir tepe enerjisine sahiptir ve yaklaşık 2,1eV
foton enerjisinde gözlenmiştir. 2,1eV fotolüminesans bandı sıcaklıkla etkinleşen bir yapıya sahiptir ve a-SiOx
yapısında oluşan kendi-kendine tuzaklanan eksitonların (Self-trapped excitons-STE) ışımalı yeniden
birleşmelerine atfedilmiştir.
Kaynaklar:
[1] A . Bacıoğlu, A.O. Kodolbaş ve Ö. Öktü, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 89, 49, (2005).
[2] R.A. Street, Adv. Phys. 25(4), 397, (1976).
[3] R.A. Street ve J.C. Knights, Phil. Mag. B 42, 551, (1980).
[4] I. Bineva, D. Nesheva, Z. Aneva ve Z. Levi, J. of Lumin. 126, 497, (2007).
[5] S. Ismail-Beigi ve S.G. Louie, Phys. Rev. Lett, 95, 156401, (2005).
[6] R.A. Street, Hydrogenated amorphous silicon, Cambridge University Press, Cambridge, 1991, 417p.
[7] K. Rerbal., I. Solomon, J.N. Chazalviel, ve F. Ozanam, Eur.Phys.J. B, 51, 61, (2006).
[8] F. Giorgis, P. Mandracci, L. Dal Negro, C. Mazzoleni ve L. Pavesi, J.Non-Cryst.Solids, 266-269, 588,
(2000).
[9] A . Bacıoğlu, A.O. Kodolbaş. ve Ö. Öktü, J.Mat.Sci.:Mat.in Electronics. 14, 737, (2003).
Teşekkür:
Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi tarafından 01.02.602.004 projesi ve T.C.
Başbakanlık Devlet Planlama Teşkilatı tarafından DPT- 03.K.120.570.1 olarak desteklenmektedir.
P46
Politiyofen İletken Polimerinin İç Sürtünme Analizi
Orhan UZUN,1 Cemil ALKAN,2 Necati BAŞMAN,1 Fikret YILMAZ,1 Uğur KÖLEMEN1
1
Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, 60240, Tokat
Kimya Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, 60240, Tokat
2
Bu çalışmada elektrokimyasal olarak sentezlenen politiyofen (PT) iletken polimerinin iç sürtünme (IF) analizi
oda sıcaklığında dönüşümlü derinlik duyarlı Vickers mikroçentme tekniği ile farklı yükleme hızlarında
gerçekleştirildi. Dönüşümler yükleme kısmı ve boşaltma kısmı olmak üzere iki kısımdan oluşmaktadır. Her bir
yükleme ve boşaltma dönüşümünde iç sürtünmeden dolayı enerji kaybı meydana gelir.1 İç sürtünme, amorf
polimer zincirlerinin sürtünmeli hareketi olarak tanımlanır ve IF=(1/2π)(∆W/W) ifadesiyle hesaplanır. Burada
∆W bir dönüşümde kaybolan enerji ve W ise toplam elastik enerjidir. Yapılan analizlerden PT’deki iç
sürtünmenin başlangıçta artan dönüşüm sayısıyla önemli derecede azaldığı ve yaklaşık 20 dönüşümden sonra
doyuma ulaştığı görüldü. Ayrıca iç sürtünmenin yükleme hızına bağlı olarak değiştiği gözlendi.
Kaynaklar:
[1] P.M. Nagy, A. Juhász, Gy. Vörös, A. Tóth ve T. Ujvári, Materials Science and Engineering A 387–389,
525–530 (2004)
Teşekkür:
Bu çalışma Gaziosmanpaşa Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Komisyonu (Proje No: 2007/18) ve Devlet
Planlama Teşkilatı (Project No: 2003K120510) tarafından desteklenmiştir
P47
Sn/Ge(111)-(3x3) Yüzeyinin Atomik ve Elektronik Yapısı
Sibel ÖZKAYA,1,2 Mehmet ÇAKMAK,1 ve Bora ALKAN3
1
2
Fizik Bölümü, Aksaray Üniversitesi, 68100, Aksaray
3
Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Teknikokullar, 06100, Ankara
Ge(111) yüzeyi üzerine Sn elementinin adsorbe edilmesiyle oluşturulan 3x3 yüzey yapılanmasının atomik ve
elektronik özellikleri, ilk ilkeler yoğunluk fonksiyonu teorisi kullanılarak incelendi. Bu yüzey yeniden
yapılanması için üç farklı adsobsiyon bölgesini dikkate aldık: i) 1U2D modeli (yüzeydeki üç Sn atomundan
birinin yukarıda diğer ikisinin aşağıda bulunduğu bir geometri) ii) 2U1D modeli (yüzeydeki üç Sn atomundan
ikisinin yukarıda birinin aşağıda bulunduğu bir geometri) iii) üç Sn atomununda farklı yüksekliklerde olduğu
model. Üçüncü modelin diğer iki modele göre daha kararlı yapıda olduğunu gördük. Biz aynı zamanda
Sn/Ge(111)-(3x3) yüzeyinin, yüzey durumlarının elektronik bant yapısını da inceledik.
Teşekkür:
Bu çalışma, Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projesi tarafından desteklenmektedir.
P48
X/GaAs(001)-(1×2) yüzeyinin atomik ve elektronik özellikleri:
(X: C, Ge, Sn)
Demet USANMAZ,1 Mehmet ÇAKMAK,1 ve Şinasi ELLİALTIOĞLU2
1
Fizik Bölümü Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara
2
Yoğunluk fonksiyonel teorisi ve pseudopotansiyeli temel alan ab initio hesaplamaları kullanılarak yapılan bu
çalışmada, X (X: C, Ge, Sn) atomunun konumu GaAs(001)-(1×2) yüzeyi üzerinde farklı iki modelde incelendi:
(i) Model-1’de X atomu birinci tabakada kalmayı tercih ederken As atomu üçüncü tabakaya yerleşti ve (ii)
Model-2’de As atomu yüzeyde kalmayı tercih ederken X atomu üçüncü tabakaya yerleşti. Karbon (C) ve
germanyum (Ge) atomları Model-2’yi tercih ederken Sn atomunun Model-1’i tercih ettiği gözlendi. Uygun
bulunan bu sistemler için band yapısı ve yük yoğunluğu hesapları yapıldı.
Teşekkür:
Bu çalışma Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projesi tarafından desteklenmektedir.
P49
Rutil TiO2(110)-(1x2) yüzeyi üzerindeki Karbon Nanotüp’ün
yapısal ve elektronik özellikleri
Ceren TAYRAN1, Mehmet ÇAKMAK1, Ersen METE2 ve Şinasi ELLİALTIOĞLU3
1
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, 06500, Ankara
Fizik Bölümü, Balıkesir Üniversitesi, 10100, Balıkesir
3
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06531, Ankara
2
Bu çalışmada, TiO2(110)-(1×2) rutil için önerilen “added-row model” yüzeyi üzerine karbon nanotüp (CNT)
tutunmasını araştırdık. Bunun için oksijen ile biten ve titanyum ile biten iki ayrı yüzey modeli kullandık. Toplam
enerji hesaplarını yoğunluk-fonksiyonel kuramı (DFT) çerçevesinde GGA yaklaşımı kullanarak elde ettik.
Yaptığımız hesaplamalarda CNT’nin oksijen ile biten yüzeye tutunmadığını, ancak titanyum ile biten yüzeye
tutunduğunu gözledik. Enerji açısından da daha kararlı olan bu yapının atomik ve elektronik özelliklerini
inceledik.
Teşekkür:
Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından TBAG-107T560 projesi tarafından desteklenmektedir.
P50
SmMn2-xFexGe2 (x=0.05 ve 0.1) Alaşımlarının Manyetokalorik Özellikleri
Ç. Güliz Sevgül, İlker Dinçer, ve Yalçın Elerman
Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara
Gösterdikleri ilginç manyetik faz geçişleri, manyetik yapıları ve manyetokalorik özellikleri [1] sebebiyle son
yıllarda RMn2X2 (R: Nadir yer elementi, X: Si ya da Ge) alaşımlarına ilgi oldukça fazladır. Bu alaşımlar
tetragonal (uzay grubu I4/mmm) kristal yapıda kristallenirler. Bu alaşımların manyetik özelliklerini R ve Mn
atomlarının manyetik düzenlenimleri belirler. R nadir yer elementlerinin manyetik düzenlenimleri düşük
sıcaklıklarda (yaklaşık 100K’in altında) olur. Mn atomlarının manyetik düzenlenim sıcaklığı ise yaklaşık 400K
civarındadır. Mn manyetik düzenlenimi düzlem içi Mn-Mn uzaklığına bağlıdır. Eğer Mn-Mn uzaklığı kritik
değer olan 2.87 Å’ün üzerinde ise, Mn momentlerinin manyetik düzenlenimi tabakalar arası ferromanyetik,
kritik değerden küçük ise antiferromanyetiktir. Hafif nadir yer elementi olduğunda, nadir yer elementi alt
örgüsünün manyetik düzenlenimi ferromanyetiktir ve Mn momentlerinin manyetik düzenlenimine paraleldir.
Ağır nadir yer elementi var ise, nadir yer elementinin manyetik momentleri Mn atomunun manyetik
momentlerine antiparaleldir. Bu durumda alaşım ferrimanyetik özellik gösterir.
RMn2X2 alaşımları içinde en ilgi çeken alaşım, SmMn2Ge2 alaşımıdır. Çünkü bu alaşımda Mn-Mn uzaklığı
2.872 Å olup, kritik değere çok yakındır. Bu yüzden bu alaşımda çoklu manyetik faz geçişleri gözlenir. Bu
alaşımda Mn yerine Fe katkılandığında gözlenen manyetik faz geçiş sıcaklıkları katkılama ile ayarlanabilir [2].
Bu yüzden SmMn2-xFexGe2 (x=0.05 ve 0.1) alaşımları, RMn2X2 alaşımlarının manyetokalorik özelliklerini
incelemek için uygun malzemelerdir.
Bu malzemenin manyetokalorik özellikleri Maxwell denklemi ve Landau teorisi kullanılarak incelenmiştir. Her
iki yöntem ile elde edilen sonuçlar kıyaslandığında, birbiri ile uyumlu değerler elde edildiği gözlenmiştir.
SmMn2-xFexGe2 alaşımı, sahip olduğu manyetik faz geçişlerine bağlı olarak normal ve ters manyetokalorik etki
göstermesi açısından da oldukça ilginç bir malzemedir.
Kaynaklar:
[1] Pecharsky V. K. and Gschneider K. A. Jr., Phys. Rev. Lett. 78, 4494 (1997)
[2] I. Dincer, A. Elmali ve Y. Elerman, J. Magn. Magn. Mater. 271, 348 (2004)
P51
Spin-1 Ising Modelinde Kompleks Alınganlığın Frekans Bağımlılığı
Rıza Erdem
Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, 60250 Tokat, Turkey
[email protected]
Bilineer ve bikuadratik etkileşmeli spin-1 Ising modelinde kompleks ya da dinamik alınganlığın
( χ (ω ) = χ ′(ω ) − iχ ′ ′(ω ) ) frekans bağımlılığı tersinmez süreçlerin Onsager teorisi kullanarak araştırıldı.
Düzenli yani ferromagnetik fazda alınganlığın frekansa göre değişimleri incelendiğinde, reel bileşenin ( χ ′ )
logaritmik ölçekli grafik üzerinde birden fazla ‘düz’ bölgeye sahip olduğu, sanal bileşenin ( χ ′′ ) ise birden fazla
‘pik’ yaptığı bulundu. Diğer tarftan, düzensiz faz yani paramagnetik faz bölgesinde
χ ′′
χ′
katsayısı tek düzlük,
katsayısı tek pik yapısını sergiledi. Bu sonuçlara ilaveten bazı sıcaklık değerleri kullanarak Argand veya
Cole-Cole diyagramları ( χ ′′ - χ ′ ) elde edildi. Bu diyagramlarda düzenli faz için çift yarı çember, düzensiz faz
için de tek yarı çemberler gözlendi.
Teşekkür:
Çalışma, TÜBİTAK tarafından desteklenmektedir (Proje No: 106T579).
P52
Oksidasyon ile Tanımlanan Kuantum Noktalarda
Elektronik Yük Dağılımı ve Taşınımı Modeli
I. PEKYILMAZ,1 S. MIRIOGLU,1 U. ERKARSLAN,1 G. OYLUMLUOGLU,1 ve
A. SIDDIKİ1,2
1
Fizik Bölümü, Muğla Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Kötekli, 48170, Muğla
Arnold Sommerfeld center, Center for Nanoscience, Physics Dept. Ls von Delft, Ludwig-Maximilians
Universität, Münih, D-80333, Almanya
2
Elektronların kuantum mekaniksel doğasını araştırmada en çok kullanılan yöntemlerinden biri de kuantum
noktalarda yapılan yük taşınım (charge transport) deneyleridir. İki boyutlu elektron gazında, sanki sıfır boyutlu
olan kuantum noktaları, ya kimyasal kesme (chemical etching) ile ya da elektrostatik olarak tanımlanmaktadır.
Amaç, elektronları birkaç yüz nanometrelik bir bölgeye tuzaklayarak ölçek kuantizasyonu (size quantization) ile
oluşturulan kesikli enerji durumlarını yaratmak ve bu durumları yük taşınımı ile ölçmektir. Kuantum noktalarını
elektrostatik olarak, yani kristalin yüzeyine yerleştirilen yüklü metalik kapılarla (gate) tanımlamak en yaygın
kullanılan yöntem [1] olmakla birlikte, çok küçük ölçeklerde (~10-30 nm) ve yüksek gerilimler altında bir çok
deneysel zorluk ortaya çıkmaktadır. Bu durumun üstesinden gelmenin bir yolu ise kuantum noktaları kimyasal
kesme yöntemi ile tanımlamaktır [2], bu yöntemin en önemli dezavantajı kuantum noktaların denetlenebilirliğini
epeyce kısıtlaması ve üretilecek aygıtın biçimini yapılan maske ile sınırlamasıdır. Son yıllarda geliştirilen ve
atomik kuvvet mikroskobunu kullanan yerel-yüzey oksidasyonu yöntemi hem biçim sınırlandırmasını ortadan
kaldırmakta hem de daha küçük ölçeklerde kuantum nokta tanımlanmasına olanak vermektedir [3,4]. Bu
sunumda, yüzey oksidasyonu yöntemi ile tanımlanmış örnek bir kuantum noktanın 3 boyutlu Poisson denklemini
nümerik olarak çözümü ile elde edilen elektrostatik potansiyel dağılımını [5] ve bu potansiyel ile elde edilen
enerji özdurum ve özfonksiyonlarını göstereceğiz. İkinci kısımda ise elde edilen dalga fonksiyonlarını
kullanarak yük taşınımı olasılıklarını tartışacağız.
Kaynaklar:
[1] Avinun-Kalish M, Heiblum M, Zarchin O, Mahalu D and Umansky V, Nature 436 529, (2005).
[2] F. E. Camino, W. Zhou, and V. J. Goldman, Phys. Rev. Lett. 95, 246802 (2005).
[3] H. W. Schumacher, U. F. Keyser, U. Zeitler, R. J. Haug, K. Eberl, Appl. Phys. Lett. 75 (8), 1107 (1999).
[4] R. Leturcq, D. Graf, T. Ihn, K. Ensslin, D. D. Driscoll and A. C. Gossard, Europhys. Lett. 67, 439 (2004).
[5] S.Arslan, E. Cicek, D. Eksi, S. Aktas, A. Weichselbaum and A. Siddiki, Phys. Rev. B, 78, 125423 (2008).
P53
Oliver-Pharr ve Enerji Yaklaşımı ile MgB2 Süperiletkeninin Mekanik
Özelliklerinin Analizi
Uğur KÖLEMEN1, Orhan UZUN1, Fikret YILMAZ1, Ömür BOYNUDELİK1,
Burcu SAVAŞKAN2
1
2
Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, 60240,Tokat
Fizik Bölümü, Karadeniz Teknik Üniversitesi,61080, Trabzon
Katıhal tepkime metodu kullanılarak hazırlanan MgB2 metaller arası süperiletkeninin mekaniksel özellikleri
dinamik mikroçentme tekniği ile incelendi. Vickers mikro çentme testleri oda sıcaklığında 200-1400 mN yük
aralığında yapıldı. Mekaniksel özellikleri değerlendirmek için yük-yerdeğiştirme eğrileri ve bu eğrilerden elde
edilen enerji verileri (mutlak, toplam, plastik ve elastik enerji) analiz edildi. Sertlik (H) ve indirgenmiş elastiklik
modülü (Er) değerleri Oliver-Pharr metodu ve enerji yaklaşımı metodu ile hesaplandı. Bununla birlikte,
malzemelerin özelliklerini tanımlayan bazı özel malzeme sabitleri; toplam enerji, plastik enerji, elastik enerji,
elastik-toplam enerji, plastik-toplam enerji ve elastik-plastik enerji sabitleri de hesaplandı. Mikrosertlik ve
indirgenmiş elastik modülü değerlerinin, yükün artması ile birlikte azaldığı görüldü (çentik boyut etkisi). OliverPharr modeli kullanılarak hesaplanan sertlik ve indirgenmiş elastiklik modülü değerlerinin, çökme davranışından
dolayı enerji modeli ile elde edilenlerden oldukça küçük olduğu görüldü. Yük yer-değiştirme eğrilerinden elde
edilen hf/hmaks değerleri de izin kenarında çökmenin olduğunu ortaya koymaktadır. hf/hmaks’ın ortalama deneysel
değerleri literatürde rapor edilen kritik değerden (0,7) daha düşüktür. Elde edilen veriler, sertlik ve indirgenmiş
elastik modülü hesaplamalarında çökme etkisini azaltan enerji modelinin, Oliver-Pharr modeline göre daha
uygun olduğunu ortaya koymaktadır.
Teşekkür:
Bu çalışma, Devlet Planlama Teşkilatı (Proje No: 2003K120510) ve Gaziosmanpaşa Üniversitesi BAP (Proje
No: 2006/28) tarafından desteklenmektedir.
P54
Dipol-Kuadrupol Etkileşimin Faz Geçişleri Üzerindeki Etkisinin Cellular
Automaton ile İncelenmesi
Aycan ÖZKAN,1 Bülent KUTLU2
1
2
Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik AnaBilim Dalı, Gazi Üniversitesi, Maltepe, Ankara
Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara
Spin-1 Ising Blume-Emery-Griffiths (BEG) model, sahip olduğu zengin faz yapısı nedeniyle, çok sayıda
çalışmaya konu olmuştur. İlk olarak He3-He4 karışımlarındaki[1] faz ayrımı ve süperakışkan düzenlenimi
tanımlamak amacıyla çalışılan modelin çeşitli versiyonları; katı-sıvı-gaz sistemlere[2], çok bileşenli
akışkanlara[3], mikroemülsiyonlara[4], yarı iletken alaşımlara[5], ikili alaşımlara[6] ve reentrant faz
geçişlerine[7-9] ‘ de uygulanmıştır. En genel Blume-Emery-Griffiths (BEG) model hamiltonyeni,
H = J ∑ S i S j + K ∑ S i2 S 2j + L∑ ( S i2 S j + S i S 2j ) + D ∑ S i2 +h∑ S i
<ij >
< ij >
<ij >
i
i
ifadesi ile verilir. Hamiltonyen ifadesindeki Si=-1,0,1‘ e karşılık gelir ve toplamlar en yakın komşu çiftleri
üzerinden alınır. J bilineer etkileşme, K bikuadratik etkileşme, L dipol-kuadrupol etkileşme, D tek iyon
anizotropi parametresi ve h dış alan terimidir. Modelin üç boyutta tam çözümü yoktur fakat sonsuz ve sonlu dboyutlu örgüler üzerinde çeşitli simülasyon ve yaklaşım metodları ile incelenmiştir. Fcc BEG modelin (k=K/J,
d=D/J) taban durum faz diyagramı ferromanyetik (F), kuadrupolar (Q) ve karışık dört kutuplu (SQ) düzenlenim
bölgeleri içermektedir. Ferromanyetik düzenlenim bölgesi reentrant faz geçişinden ardışık faz geçişine kadar
farklı faz geçiş türleri sergilemektedir[9]. Bu çalışmada en genel spin-1 Ising (BEG) model yüz merkezli kübik
(fcc) örgü üzerinde Creutz algoritmasını[10] temel alan Cellular Automaton (CA) algoritması[9] ile incelendi.
d=D/J =0.9, k=K/J=-0.9 parametre seti için 0.00≤ℓ=L/J≤0.03 aralığında yapılan hesaplamalarda dipol-kuadrupol
etkileşimin faz geçiş türleri üzerinde (reentrant→çift reentrant→çoklu→ardışık) etkili olduğu görüldü.
Kaynaklar:
[1] M. Blume, V.J. Emery ve R.B. Griffiths, Phys. Rev. A 4, 1071 (1971).
[2] J. Lajzerowicz and Siverdiėre J, Phys. Rev. A 11, 2079 (1975).
[3] Lajzerowicz J and Siverdiėre J, Phys. Rev..A 11, 2090; 11, 2101 (1975).
[4] Schick M and Shih W H, Phys.Rev. B 34, 1797 (1986).
[5] Newman K E and Dow J D, Phys. Rev. B 27, 7495 (1983).
[6] Kessler M, Dieterich W and Majhofer A, Phys. Rev. B 67, 134201 (2003).
[7] Hoston W and Berker A N, Phys. Rev. Lett. 67, 1027 (1991).
[8] Seferoğlu N and Kutlu B, Physica A 374, 165 (2007).
[9] Özkan A, Kutlu B, Int. J. of Mod. Phys C 18, 1417 (2007).
[10] Creutz M., Ann. Phys. 167,62 (1986).
Teşekkür:
Bu çalışma, Gazi Üniversitesi tarafından BAP:05/2003-07 projesi olarak desteklenmiştir.
P55
Bir Yarıiletken Gaz Boşalma Yapısında Akım Filamentasyonunun
Özellikleri
H.Y. KURT,1 E. KOÇ1, B.G. SALAMOV1,2,
1
Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Besevler, Ankara, Turkey
2
Milli Bilimler Akademisi, Fizik Enstitüsü, AZ 1143 Baku, Azerbaycan
Özet: Düzlem Gaz Boşalma yapısı için, akım filamentlerinin oluşumunda yarıiletken yüzey tabakasının rolü
araştırıldı. Yarıiletken elektrot ve gaz boşalma ara yüzeyindeki iletkenliğin lokal değişiminin akım
filamentasyonuna yol açtığı deneysel olarak gösterildi. Metal, gaz boşalma, yarıiletken ara yüzeyindeki akım
filamentasyonunun sınırlılığının ana sebebi yarı iletken elektrotun kontak noktasında akım filamentine dik
doğrultudaki elektrik alandan kaynaklanmaktadır. Yanal Townsend alanına daha düşük elektrik alan
uygulandığında bu çalışmada iki tip filamentasyon gözlemlendi. Yarıiletken yüzeyin iletkenliği yeteri kadar
yüksekse tek bir filament, yarıiletken yüzeyin iletkenliği düşükse yarıiletken yüzeyin tamamını kaplayan çok
sayıda filament gözlemlendi. Sonuç olarak, gaz boşalma hücresindeki
kararlı akımın dağılımına yarıiletken elektrotun etkisi; yarıiletkenin yüzey iletkenliğine ve yük direnci olarak
davranan hacim direncine bağlıdır.
Kaynaklar:
[1] H.Y. Kurt, Y. Sadiq, B.G. Salamov, Phys. Stat. Sol. (a) 205, N 2, pp. 321–329 (2008).
[2] E.L. Gurevich, A. W. Liehr, Sh. Amiranashvili, H.G. Purwins, Phys. Phys. E 69, pp. 036211-7 (2004).
[2] B. G. Salamov, S. Ellialtioglu, B. G. Akinoglu, N. N. Lebedeva and L. G. Paritskii, J. Phys.D: Appl. Phys.,
29, pp. 628- 633 (1996).
Teşekkür:
Bu çalışma, Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri BAP- 05/2008-13 ve BAP- 05/2008-20 tarafından
desteklenmektedir.
P56
Altın Öbeklerinin Anataz TiO2 (100), (001) ve (101) Yüzeylerine Bağlanması
Kıvılcım B. Vural1, E. Mete2, ve Ş. Ellialtıoğlu1
1
2
Fizik Bölümü, ODTÜ, Ankara 06531
Fizik Bölümü,Balıkesir Üniversitesi, Balıkesir10145
Bu çalışmamızda Aun (n=1–3) atom öbeklerinin TiO2(100), (001), ve (101) gibi düşük-indisli anataz yüzeyleri
arasındaki etkileşimlerini yoğunluk fonksiyonel kuramı çerçevesinde inceledik. Bu hesaplamaları, VASP
programı kullanarak GGA yaklaşımında (PBE psüdo-potansiyeller) elde etdik. İncelemeler sonucunda TiO2(101)
ve (100) yüzeylerinin basamaklı yapıya sahip olmaları, Aun öbeklerinin bağlanmasında önemli bir etken
oluşturmuştur. Ancak, toplam enerjisi minimum olan en kararlı yapıda Aun öbeklerinin (101) yüzeyine daha
güçlü bağlandığı gözlenmiştir.
P57
Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği İle Elde Edilen Cd1-xSbxS
Filmlerinin Bazı Fiziksel Özellikleri
Meryem POLAT*, Elif Ketenci*, Tülay ÖZER**, İdris AKYÜZ*
Ferhunde ATAY*, Salih KÖSE*
* Eskişehir Osmangazi Üniversitesi Fizik Bölümü
**
Anadolu Üniversitesi Fizik Bölümü
II-VI grup bileşiği olan CdS filmleri, özellikle n-CdS/p-CdTe heteroeklem güneş pillerinde pencere materyali
olarak kullanılmaktadır. Ultrasonik kimyasal püskürtme (UKP) tekniği ile CdS filmlerinin düşük (200-250 oC)
taban sıcaklıklarında payreks cam tabanlar üzerinde kolayca oluşması büyük bir avantaj sağlamaktadır.
Yarıiletken malzeme üretiminde kimyasal püskürtme tekniği, son yıllarda yaygın olarak kullanılmaktadır.Bu
çalışmada UKP tekniği kullanılarak yaklaşık 250±5 oC taban sıcaklığında antimon-katkılı kadmiyum sülfür (Cd1xSbxS; x=0.1, 0.2) tabakaları elde edilmiştir ve üretilen tabakaların bazı elektriksel, optiksel ve yüzeysel
özellikleri incelenmiştir. Elde edilen tabakaların iki-uç tekniği kullanılarak özdirenç değerleri ve optik metot
kullanılarak yasak enerji aralıkları belirlenmiştir. Optik mikroskoptan alınan yüzey fotoğraflarından yüzeydeki
renk bölgeleri incelenmiştir. Üretilen tabakaların elektrik, optik ve yüzeysel özellikleri incelenerek, fotovoltaik
güneş pillerinde pencere materyali olarak kullanılabilirlikleri araştırılmıştır.
P58
Kimyasal Buhar Biriktirme Yöntemiyle Karbon Nanotüp Üretiminde İlginç
Oluşumlar: Nanoyaylar ve Nanoağaçlar
S. Kır, A. İnce ve Y, Selamet
Fizik Bölümü İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Urla İzmir
Karbon nanotüpler üstün elektriksel, mekanik ve yapısal özelliklerinden dolayı bir çok alanda uygulama
bulmaktadır. Şu anda batarya elektrodları, mukavemet artırıcı, kompozit malzeme katkılayıcıları gibi bir çok
geniş uygulamaları vardır. Bunun yanısıra geçirgen iletken filmler, alan yayım göstergeleri, ışıklandırma, süper
kapasitör/yakıt pili elektrodları, gaz sensörleri gibi değişik uygulamalar da kısa süre içerisinde yaygın kullanıma
geçecektir [1]. Bu gibi uygulamalar için genelde düz yapılı nanotüpler istenmektedir. Nanotüp büyütmede
kullanılan kimyasal buhar biriktirme (CVD) yöntemi ile bu tip nanotüplerin yanısıra ilginç yapılarada
rastlanmaktadır. Bunlara yay şeklinde nanotüpler ve kataliz parçacığı olmadan büyüyen karbon nanoağaçlar
örnek verilebilir. Yay şeklinde olan nanotüplerin ve nanoağaçların büyümesine neyin yol açtığı tam olarak
bilinmemektedir. Nanoyayların özellikle hidrojen depolamada, elektromagnetic soğurucularda ve nanorobotlarda
kullanım bulması beklenmektedir [2]. Kimyasal buhar biriktirme yöntemleri ile karbon nanotüp büyütmelerimiz
esnasında rastladığımız bu tür ilginç oluşumlara örnekler verilerek büyüme nedenleri tartışılacaktır.
Kaynaklar:
[1] A. Jorio, G. Dresselhaus and M. S. Dresselhaus, Editors Carbon Nanotubes: Advanced Topics in the
Synthesis Structure Properties and Applications, Springer-Verlag, Berlin 2008.
[2] S. Motojima et al. Diamond Relat. Mater. 57 2629 (2004).
P59
Rutil TiO2(110) yüzeyinde SO2 tutunması
M. Mesta,1 E. Mete,2 ve Ş. Ellialtıoğlu1
1
2
Fizik Bölümü, Balıkesir Üniversitesi, 10145 Balıkesir
Sülfür bileşenleri temel atmosferik kirletici ve katalitik tepkimelerde katalizörler için deaktivasyon nedenidirler.
Bu yüzden kimyasal tepkimelerden uzaklaştırılmaları, endüstriyel işlemlerde önemli bir konudur. Doğal olarak
deneysel araştırmalarda ve kuramsal hesaplama çalışmalarında bu konuya yoğunlaşan birçok bilimsel çalışma
bulunmaktadır. Bu ilk-prensip çalışmada SO2 molekülünün, rutil TiO2(110) yüzeyine tutunma özelliklerini
incelemek için VASP programını kullanıldı. Değiş–tokuş potansiyeli olarak Perdew–Burke–Ernzerhof (PBE)
düzeltmeli Genelleştirilmiş Gradyan Yaklaşımı (GGA) ve psüdo-dalga fonksiyonu olarak da İzdüşümsel
Uzanımlı Dalgalar (PAW) kullanıldı. En düşük toplam enerjili yapılar için bağlanma enerjileri ve atomlararası
mesafeler hesaplandı. 1×1 yapılanmalı yüzey için kararlı bir konum bulunamasa da, 2×1 yapılanmalı yüzeydeki
en kararlı konfigürasyonlar ve bağlanma enerjilerinin daha önce yapılmış hesaplamalı çalışmalarla uyumlu
olduğu gözlenmiştir [1].
Kaynaklar:
[1] C. Zhang and P. J. D. Lindan, Chem. Phys. Lett. 373, 15–21 (2003).
Teşekkür:
TBAG–107T560, ODTÜ–BAP2008-07-02-00-02.
P60
InxGa1–xAs Yarıiletkenlerinde Alaşım Disorder ve Dislokalizasyon
Saçılmalarının İncelenmesi
Senem AYDOĞU1, Mustafa AKARSU2, Ömer ÖZBAŞ2
1
Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampüs, Kütahya
2
Fizik Bölümü, ESOGÜ, Eskişehir
InxGa1–xAs yarıiletken bileşiğinde, Hall mobilitesinin sıcaklığa ve x katkı konsantrasyonuna (0<x<1), bağlılığı
incelendi. Polar optik fonon, iyonize safsızlık, piezoelektrik, akustik fonon deformasyon potansiyel,
dislokalizasyon ve alaşım disorder saçılma mekanizmalarını göz önüne alarak, Hall mobilitesinin iteratif
hesaplaması yapıldı. Bulunan sonuçlar, deneysel ve diğer teorik sonuçlarla karşılaştırıldı.
Kaynaklar:
[1] F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, L. Sorba, J. Crystal Growth, 278, 538 (2005).
[2] M. Kasap, S. Acar, B. Alkan, G.U. Journal of Science, 17(1), 31 (2004).
P61
AlB2-Tipi XB2 (X=Ti, V, Zr, Nb) Bileşiklerinin Mekanik ve Elektronik
Özelliklerinin İlk-Prensipler Yaklaşımı ile İncelenmesi
Sezgin AYDIN1, Zehra NAZLICAN,1 Mehmet ŞİMŞEK1
1
Bu çalışmada, Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi (DFT) kullanılarak yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA1) ile AlB2tipi2 XB2 (X=Ti, V, Zr, Nb) bileşiklerinin yapısal parametreleri, mekanik ve elektronik özellikleri hesaplandı.
Ayrıca, bu bileşiklerin ( 0–30) GPa hidrostatik basınç aralığındaki davranışları incelendi. Hesaplanan bağ
uzunlukları ve kristal parametreleri kullanılarak, XB2 (X=Ti, V, Zr, Nb) bileşiklerinin mikro sertlikleri teorik
olarak bulundu3. Hekzagonal kristal yapılı dört farklı bileşik için yapılan sertlik hesabı her bir hidrostatik basınç
için tekrarlanarak, bulk modülü, basınç ve sertlik arasındaki ilişkiler araştırıldı.
Kaynaklar:
[1] D.M.Ceperley and B.J.Alder, Phys.Rev.Lett. 45, 566 (1980).
[2] P. Vajeeston, P. Ravindran, C. Ravi, and R. Asokamani, Phys.Rev.B 63, 054115 (2001)
Teşekkür:
P62
Bor Katkılı Silisyumun Optiksel Özellikleri
Emrah SARIOĞLU,1 Sanem AYDOĞU,2
1
2
Seçkinevler B-4 Blok No:5 Kat:3 09600 İncirliova/AYDIN
Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampüs, Kütahya
Bor katkılı silisyum yarıiletken bileşiği Czochralski metodu ile üretilmiştir. SiB yarıiletkeni
1,73.1016 cm–3
bor konsantrasyonu ile katkılanmıştır. SiB (100) yüzey yönelimine ve 280 µm kalınlığına sahiptir. SiB
yarıiletken bileşiğinin FTIR spektroskopisi ve X ışını spektroskopisi ile yapısal incelemesi yapılmıştır. SiB
yapısındaki bağlar ve a0 örgü sabiti hesaplanmıştır.
P63
InP/InP ve InGaAs/InP Yapılarının MBE ile Büyütülmesi: Kırılma İndisi
ve Tabaka Kalınlıklarının Belirlenmesi
Tarık ASAR, İlknur KARS, Barış KINACI, Tofig MAMMADOV ve Süleyman ÖZÇELİK
Bu çalışmada katı kaynaklı Moleküler Demet Epitaksi (MBE) cihazı kullanılarak n-tip InP (100) taban numune
üzerine farklı In akılarında büyütülen iki adet p-tip InP örnekleri ve aynı taban üzerine büyütülen tek katmanlı ntip InGaAs örneğinin bazı optik özellikleri ve yüzey profilleri Spektroskopik Elipsometri (SE) ve Yüzey
Profilometresi (SP) kullanılarak incelendi. SE ile ölçümler, oda sıcaklığında 0,6 – 4,7 eV aralığında alındı. SE
ölçümlerinden elde edilen veriler kullanılarak, örneklerin kırılma indisi (n) ve tabaka kalınlığı (d) elde edildi.
Yüzey profili, 12.5µm çaplı stylus kullanılarak profilometre ile yüzey analizi yapılarak, numunenin yüzey
haritası elde edildi ve tabaka kalınlık değeri belirlendi. Elde edilen verilerden numunenin yüzey pürüzlülüğü ve
optik özellikleri irdelendi.
Teşekkür:
Bu çalışma 2001K120590 nolu proje ile DPT tarafından desteklenmektedir.
P64
InxGa1-xAs / GaAs Çoklu Kuantum Kuyulu Fotodedektör Yapısının MBE
ile Büyütülmesi ve Yapısal Analizi
Barış KINACI, Tarık ASAR, İlknur KARS, Tofig MAMMADOV ve Süleyman ÖZÇELİK
Bu çalışmada InxGa1-xAs/GaAs(x=23) çoklu kuantum kuyulu fotodedektör (QWIP) yapısının yapısal özellikleri
incelendi. InxGa1-xAs/GaAs yapısı epi-hazır SI GaAs (100) alttaş üzerine katı kaynaklı moleküler demet epitaksi
(MBE) sisteminde devamlı büyüme metodu kullanılarak büyütüldü. Yüksek çözünürlüklü x-ışını kırınımı
(HRXRD) cihazı kullanılarak yapıdaki indiyum yüzdesi (x) ve büyütülen tabakaların kalınlıkları belirlendi.
Şiddet (k.b)
FWHM=0.015 deg.
2θ
Teşekkür:
P65
InGaAs/GaAs Yapılarının MBE ile Büyütülmesi ve Optik özelliklerinin
İncelenmesi
İlknur KARS, Tarık ASAR, Barış KINACI, Tofig MAMMADOV ve Süleyman ÖZÇELİK
Katı kaynaklı Moleküler Demet Epitaksi (MBE) yöntemi ile büyütülmüş InGaAs/GaAs numunelerinin (A ve B)
optik analizini gerçekleştirmek için fotolüminesans (PL) ve elipsometri (SE) ölçümleri alındı. SE ölçümleri oda
sıcaklığında ve 0,6 – 4,7 eV aralığında tarama yapılarak gerçekleştirildi. Ayrıca 325 nm dalgaboylu He-Ne gaz
lazer kaynaklı numunenin PL ölçümleri oda sıcaklığında alındı. PL ve SE ölçümlerinin analizinden numunelerin
yasak enerji aralığı (Eg) hesaplandı. Bulunan sonuçlar kendi içlerinde ve literatürle kıyaslanarak uyumlulukları
gözlendi.
Şekil. InGaAs/GaAs alaşımının
dielektrik fonksiyonunun foton
enerjisine bağlı değişimi
Teşekkür:
P66
X-Işınları Kırımı İle Işık Yayan Diyot Tabanlı InGaN/GaN’ın Yapısal
Analizi
Gizem ÖZAT1, B. SARIKAVAK4, M. K. ÖZTÜRK1,2 S. ÖZÇELİK1 ve E. ÖZBAY3
1
Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06500, Teknikokullar Ankara, Türkiye
MTA, Mineral Analizi ve Teknolojileri Dairesi, 06520 Ankara, Türkiye
3
Bilkent Üniversitesi, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi, Fizik Bölümü, Elektrik ve Elektronik
Mühendisliği Bölümü, Bilkent, 06800, Türkiye
4
Kastomonu Üniversitesi, Fizik Bölümü, Kastamonu, Türkiye
2
Işık yayan diyot yapmak amacı ile c-eksen yönlü safir alttaş üzerinde metal organik kimyasal çökertme tekniği
ile büyütülen InGaN/GaN çoklu kuantum kuyuda hekzagonal GaN’ın önemli yapısal karakteristikleri ayrıntılı
olarak yüksek çözünürlüklü X-ışınları kırınım tekniği ile tanımlandı. Yapısal olarak rahatsız edilen GaN
tabakalar, dikey ve yatay uyum uzunlukları, ortalama tabaka eğilme açısı, burkulma açısı ve kenar tipi çizgisel
çatlak yoğunlukları ile belirlenen mozaik kristallerdir. Simetrik (00.l) yansımalar, tabaka eğim açısını elde etmek
için kullanıldı. Burkulma açısı ise sıfır olmayan h ve k ile asimetrik (hkl) Bragg yansımaların omega
taramalarından elde edildi. Önemli bir sonuç olarak mozaik yapı farklı bir kristal yön olan z-eksenine açısal
eğimli (10.l) yönden hesap edildi. Mozaik yapı parametreleri, örneğin eğilme açısına veya kutup açısına bağlı
olarak yaklaşık tanımlı bir oranda elde edildi.
P67
MBE Büyütme Şartlarının GaAsP Alaşımının Optik ve Yapısal
Özelliklerine Etkisi
Saime Şebnem ÇETİN, Süleyman ÖZÇELİK ve Tofig MAMMADOV
GaAs1-xPx p-n eklem yapıları (A1-A8) (x=0.11, 0.12, 0.09, 0.21, 0.22, 0.31, 0.46, 0.48) farklı fosfor
komposizyonlarında katı kaynaklı moleküler demet epitaksi kullanılarak (MBE) n-tipi GaAs (100) alttaş üzerine
büyütüldü. n-tip ve p-tip katkılama için sırasıyla Si ve Be kullanıldı. As2, kırmalı hücre kullanılarak elde edildi.
Fosfor kaynağı olarak GaP bileşiği kullanıldı. Sürekli büyütme metodu ile büyütülen yapıların örgü uyumluluğu,
GaAs tampon tabaka üzerine n-tipi olarak büyütülen GaAs1-xPx fosfor oranının (x) lineer olarak artırılması
( 0 → x ) ile elde edildi. V/III akı oranı, büyütme sıcaklığı gibi büyütme şartlarının yapıların yapısal ve optik
özellikleri üzerine etkisi, yüksek çözünürlüklü x-ışını kırınımı (HRXRD) ve oda sıcaklığında fotolüminesans
(PL) ölçüm sonuçları ile incelendi. Büyütme sıcaklığının azaltılması ( 600o C → 520o C ) ve V/III oranının
artırılması yapıların hem kristal kalitesine hem de ışıma şiddetini olumlu katkı getirdiği belirlendi. Beklenildiği
gibi, fosfor konsantrasyonunun artması, ışıma dalga boyunun maviye kaymasını sağlamaktadır.
p-GaAs1-xPx(Be)
GaAs
GaAsP
n-GaAs1-x Px(Si)
A1
PL Şiddeti (k.b.)
Şiddet (k.b.)
A2
A3
A4
A5
A6
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
x1
n-GaAs Tampon
n-GaAs Alttaş
x1
x4
x4
x4
A7
x4
A8
x4
x4
32,5
33,0
33,5
2θ-ekseni (derece)
34,0
600
650
700
750
Dalgaboyu (nm)
Teşekkür:
800
850
P68
In0,15Ga0,85As/GaAs Süperörgü Yapısının Hızlı Termal Tavlama Sonrası
Kusurlarının İncelenmesi
Beyza SARIKAVAK,1,2 M. Kemal ÖZTÜRK,1,3 T. Mammadov,1,4 S. ÖZÇELİK1
1
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara.
Fizik Bölümü, Kastamonu Üniversitesi, Kuzeykent, 37100,Kastamonu.
3
Department of Mineral Analysis and Technology, MTA, 06520, Ankara.
4
Fizik Enstitüsü,Azerbaycan Ulusal Bilimler Akademisi,Bakü,Azerbaycan.
2
Uzay araştırmalarında kullanılan As temelli cihazların bozulduğu [1], bu nedenle daha dayanaklı Al2O3, SiC gibi
alttaşlar üzerine büyütülen Nitratlı numunelerin kullanılması gerektiği ortaya çıktı. Fakat As temelli yapıların
bozulmasını geniş boyutta açıklayacak bir çalışma yapılmamıştır [2]. Bu nedenle Yüksek kaliteli
5x(In0,15Ga0,85As/GaAs) süper-örgülü yapı, yarı-yalıtkan GaAs (100) alttaş üzerine MBE tekniği ile büyütülerek
sıcaklık etkili yapısal analizleri yapıldı. Yüksek çözünürlükteki XRD tekniği ve hızlı termal tavlama ile
In0,15Ga0,85As/GaAs süperörgüsünün yapısal özelliklerinin tavlama sıcaklığa bağlı olarak değişimi incelendi.
Farklı sıcaklıklarda tavlanan numune için yapılan hesaplamalar sonucunda paralel X-ışınları zorlaması ( ε II ), dik
X-ışınları zorlaması ( ε ⊥ ), örgü uyumsuzluğu ( ε f ), örgü rahatlama derecesi, düzlem eğim açı değerleri ve
çizgisel yarılma değerleri bulunmuştur. Bu hesaplamalar ile belli bir sıcaklıktan sonra süperörgüde daha
asimetrik (a-yonu ile paralel olmaya yakin ) düzlemlerinden başlayan bozulma ile süperörgüde bir yıkım
gözlenmiştir. Bu yıkımda ara yüzey girişimlerin yok olduğu, yüksek pürüzlülükleri görüldüğü, mozaik ve kusur
değerlerinin aşırı değiştiği gözlemdi.
[1]. B.Ilahi, L. Sfaxi, G. Bremond, H. Maaref, Materials Science and Engineering C 26,971-974(2006).
[2]. Q.D. Zhuang, J. M. Li, X.X. Wang, Y.P. Zeng, Y.T. Wang, B. Q. Wang, L. Pan, J. Wu, M. Y. Kong, L.Y.
Lin, Journal of Crystal Growth 208, 791-794(2000).
P69
AlN Tampon ve Ara-tabakalı AlGaN/GaN HEMT Yapılarında Zorlama
Analizi
Halit ALTUNTAŞ1, M. Kemal ÖZTÜRK1,2, Süleyman ÖZÇELİK1 and Ekmel ÖZBAY3
1
Maden Tetkik ve Arama Müdürlüğü (MTA),Söğütözü,06520, Ankara
3
Nanoteknoloji Araştırma Merkezi, Fizik Bölümü,Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü,Bilkent,06800
Ankara
2
GaN temelli yüksek hızlı transistörler yüksek güç, yüksek sıcaklık ve yüksek frekans uygulamaları için oldukça
önemli bir potansiyele sahiptirler [1,2]. MOCVD yöntemi ile safir alttaş üzerine büyütülmüş yüksek sıcaklık
AlN ara-tabakalı ve tabakasız, AlN tampon tabakalı ve tabakasız AlxGa1−xN/GaN (x=0.3) HEMT yapılarında
zorlama analizi, yüksek çözünürlüklü x-ışını kırınımı yöntemi ile elde edilen örgü parametreleri kullanılarak
incelendi. a- ve c- parametrelerinin hesaplanmasıyla düzlem içi ve düzlem dışı zorlamalar analiz edildi. Toplam
zorlama değerinden çit-eksen ve hidrostatik bileşenleri elde edildi ve yüksek sıcaklık AlN ara-tabakası ve
tampon tabakasının zorlamaya etkileri tartışıldı. AlN tampon tabakasının AlGaN tabakası içindeki zorlamayı
değiştirdiği gözlendi. Ayrıca AlN ara-tabakasının AlGaN tabakası içindeki zorlamayı, gerilme tipinden
sıkıştırma tipine değiştirdiği gözlendi.
Kaynaklar:
[1] C. Wang, X. Wang, G. Hu, J. Wang, H. Xiao, ve J. Li, J. Crystal Growth, 289, 415 (2006).
[2] S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, ve T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 80, 2186 (2002).
Teşekkür:
Bu çalışma 2001K120590 nolu proje kapsamında DPT ve 104E090, 105E066 nolu projeler kapsamında
TÜBİTAK tarafından desteklenmektedir.
P70
(E)-2-[(2,4-diklorofenilimino)metil]-p-kresol molekülün deneysel ve
kuramsal analiz çalışması
Y. B. Alpaslan1 ,*, N. Süleymanoğlu2 , E. Öztekin1 , F. Erşahin3 , E. Ağar3 ve Ş. Işık1
1
19 Mayıs University, Department of Science Education, Samsun
3
2
Başlıktaki molekülün (C14H11Cl2NO), kristal yapısı X-ışınları analizi yöntemiyle belirlendi (Şekil 1). Kristal,
Pbca uzay grubunda ortorombik yapıda olup a =7.5537(10) Å,
b = 11.5518(13) Å, c = 29.760(4) Å, Z = 8
özelliklerine sahiptir. Molekül, güçlü bir molekül içi O-H…N hidrojen bağı ile enol-imine tautomerik form
göstermektedir. İki benzen halkası arasındaki dihedral açı 37.66(15)º dir. Çalışmanın kuramsal hesaplamalar
kısmında Gaussian 03W (Gaussian 03W, 2004) paket programı içersinde yer alan yoğunluk fonksiyonel teorisi
DFT yöntemi, AM1 , PM3 ve PM6 (mopac 2008) yarı deneysel yöntemlerle molekülün kuramsal çalışmaları
gerçekleştirilmiştir. Ayrıca molekülün konformasyonel analizi gerçekleştirilmiştir.
Şekil 1
Frisch, M. J., et al. (2004). GAUSSIAN03 Revision E.01. Gaussian, Inc., Wallingford CT 06492, USA.
openmopac.net
P71
(Z) Etil 4-kloro-2-[(4-klorofenil)hidrazo]-3-oksobutanoate molekülün
deneysel ve kuramsal analiz çalışması
G. Alpaslan1 , Ö. Özdamar2 , M. Odabaşoğlu2 , O. Büyükgüngör1 ve A. Erdönmez1
1
2
Başlıktaki molekülün (C12H12Cl2N2O3), kristal yapısı X-ışınları analizi yöntemiyle belirlendi (Şekil 1). Kristal, P
-1 uzay grubunda monoklinik yapıda olup a =8.6454(10) Å, b = 9.7251(11) Å, c = 9.9939(11) Å, α= 116.001
(8)°, β=108.721(8)°, γ=96.453(9)° Z = 2 özelliklerine sahiptir. Molekül, güçlü bir molekül içi N-H…O hidrojen
bağı ile keto-hidrazo tautomerik form göstermektedir. Molekül yaklaşık olarak düzlemsel yapıdadır.
Çalışmanın kuramsal hesaplamalar kısmında Gaussian 03W (Gaussian 03W, 2004) paket programı içersinde yer
alan yoğunluk fonksiyonel teorisi DFT yöntemi, AM1 , PM3 yarı deneysel yöntemlerle molekülün kuramsal
çalışmaları gerçekleştirilmiştir. Ayrıca molekülün konformasyonel analizi gerçekleştirilmiştir.
Şekil 1
Frisch, M. J., et al. (2004). GAUSSIAN03 Revision E.01. Gaussian, Inc., Wallingford CT 06492, USA.
P72
NiFe2O4 nanoakışkanların hipertermiya uygulaması
Özer Çelik, Şadan Özcan ve Tezer Fırat
Hacettepe Univeristesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06800, Beytepe, ANKARA
Magnetik nanoparçacıklar hiperthermiya, ilaç taşınımı, magnetik rezonans görüntüleme ve biyosensör yapımı
gibi birçok biyomedikal uygulamada oldukça umut vericidir. Değişen dış magnetik alan altında, parçacıkların
mıknatıslanmasının alan doğrultusunda yönelme çabası parçacıkların bulunduğu ortamın sıcaklığında artışa
sebep vermektedir. Sıcaklıktaki bu artış hypertermia uygulamalarında kendine yer bulmaktadır. Hipertermia;
kanser tedavisinin ortam sıcaklığının artırılması ile yapılmasıdır. Sıcaklığın 42-50 0C aralığında olması normal
doku hücreleri tarafından tolare edilebilirken kanser hücrelerinin büyümesini ve kanserin ilerleyişini
yavaşlatmakta yada tamamen durmaktadır.
Bu çalışma kapsamında NiFe2O4 nanoparçacıklar mekanik öğütme yöntemi kullanılarak sentezlenmiştir. Uygun
yüzey-aktif madde ve çözücü kullanılarak elde edilen nanoakışkanın ac magnetik alan altında ısı üretim
mekanizmaları irdelenerek uygulanan alanın frekans ve genlik değerleri değiştirilip üretilen ısı miktarının bu
parametrelere bağlılığı incelenmiştir. Parçacık boyutunun ve magnetik özelliklerinin deney sonuçlarına olan
etkisi değerlendirilerek hipertermiya açısından uygunluğu ele alınmıştır.
P73
Co:Cr2O3 Manyetik Nano-Malzemelerinin Sol-Jel Yöntemi ile
Sentezlenmesi ve Karakterizasyonu
Mustafa COŞKUN1,2, G. Hassnain JAFFARI2, S. Ismat SHAH2, Tezer FIRAT1 ve Mustafa
KORKMAZ1
1
2
Department of Physics and Astronomy, University of Delaware, Newark, 19716, Delaware, USA
Co:Cr2O3 nano-malzemeler Cr2O3 matriste Co kütle oranları % 10, 20, 30, 40 ve 50 olacak şekilde Sol-Jel
tekniği kullanılarak gerçekleştirildi. Elde edilen örneklerde, manyetik özelliklere Cr2O3 yapısının kristalleşmesi
ile Co nanoparçacıkların boyutlarının etkisini irdelemek için farklı sıcaklıklarda örnekler tavlandı. Elde edilen
sonuçlardan amorf durumdaki Cr2O3 matrisinin Co nanoparçacıklar için paramanyetik bir davranış gösterdiği
belirlendi. Farklı sıcaklıklarda tavlama sonucunda ise Cr2O3 yapısının kristalleşmesi ile antiferromanyetik faza
geçmesi ile Co nanoparçacıklarıyla değiş-tokuş etkileşmesinde artış olmuştur. Sonuçta Co nanoparçacıkları
manyetik momentleri stabilize olduğu için koersivitede artış gözlendi. Ayrıca relaksasyon ölçümleri ile değiştokuş etkileşmesinin düşük oranda Co içeren örneklerde daha fazla olduğu belirlendi.
DİZİN
Soyad
İsim Kurum
AĞAR
AKARSU
AKRAM
AKTAŞ
AKYÜZ
ALBAYRAK
ALKAN
ALKAN
ALP
ALPASLAN
ALPASLAN
ALTINDAL
ALTUNTAŞ
ALYAR
ARIĞ
ARSLAN
ASAR
ASKERZADE
ASTAM
ATAY
ATEŞ
AYDIN
AYDOĞU
BACIOĞLU
BAHAT
BAŞMAN
BAYANSAL
BİLGİN
BOYNUDELİK
BOZGEYİK
BÜYÜKGÜNGÖR
CAN
CAN
CANTÜRK
COŞKUN
ÇAĞLAR
ÇAĞLAR
ÇAKMAK
ÇALIŞKAN
ÇANKAYA
ÇAYKARA
ÇELİK
ÇETİN
ÇETİN
ÇİCEK
ÇİÇEK
ÇİFTCİ
ÇİFTÇİ
ÇİVİ
ÇOLAKOĞLU
ÇOLAKOĞLU
DEDE
DELİGÖZ
DEMİREL
E.
M.
R.
S.
İ.
Ç.
C.
B.
U.
Y. B.
G.
Ş.
H.
H.
A. B.
S.
T.
I. N.
A.
F.
A.
S.
S.
A.
M.
N.
F.
V.
Ö.
M. S.
O.
M. M.
M. A.
M.
M.
Y.
M.
M.
H.
G.
T.
Ö.
S. Ş.
H.
E.
A.
Y.
Y. Ö
M.
T.
K.
M.
E.
G. B.
Özet Sayfa No.
Ondokuz Mayıs Universitesi
P70
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
P60
Bilkent Üniversitesi
Ç4
Trakya Üniversitesi
P44
P14,P15,P57
P31
Gaziosmanpaşa Üniversitesi
P46
Ankara Üniversitesi
P47
P30
P70
P71
Gazi Üniversitesi
P21
Gazi Üniversitesi
P69
Dumlupınar Üniversitesi
P34
Hacettepe Univeristesi
P6
Ludwig-Maximillians-University
P44
Gazi Üniversitesi
P63,P64,P65
P43
Atatürk Üniversitesi
S10,P23
P14,P15,P57
S10,P23
Gazi Üniversitesi
S16,P5,P61
P60,P62
P45
Gazi Üniversitesi
P34
P30,P46
P11
Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi
P14,P15
P53
Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi S4
P31,P71
S3
S14
Atılım Üniversitesi
P2
P73
Anadolu Üniversitesi
P19,P20
P19,P20
Gazi Üniversitesi
S12,P47,P48,P49
P6
P11
Gazi Üniversitesi
S12
P72
Gazi Üniversitesi
P67
Bozok Üniversitesi
S5
P44
Akdeniz Üniversitesi
P12
Gazi Üniversitesi
P7
Gazi Üniversitesi
P40
Gazi Üniversitesi
P37
Orta Doğu Teknik Üniversitesi
S8,P9
Gazi Üniversitesi
P1,P7,P17,P24,P40
Ç4,S5
Aksaray Üniversitesi
P1,P7,P17,P24,P40
Gazi Üniversitesi
S12
DİNÇER
DURUSOY
DUYAR
EKŞİ
ELERMAN
ELLİALTIOĞLU
ELLİALTIOĞLU
ERDEM
ERDÖNMEZ
ERKARSLAN
ERŞAHİN
FIRAT
FİAT
GÖDE
GÖKOĞLU
GÜLER
GÜLSEREN
GÜMÜŞ
GÜNERİ
GÜR
GÜZELDİR
HAKİOĞLU
HASANLİ
ILICAN
IŞIK
IŞIK
İNCE
JAFFARI
KABALCILAR
KALELİ
KANDEMİR
KARAAĞAÇ
KARADEMİR
KARİPCİN
KARS
KAŞTAŞ
KAVASOĞLU
KAVASOĞLU
KESKİN
KETENCİ
KILIÇ
KINACI
KIR
KIRMIZIGÜL
KİLİT
KOÇ
KOÇAK
KODOLBAŞ
KORKMAZ
KORUCU
KÖLEMEN
KÖRÖZLÜ
KÖSE
KURT
KURT
KURT
İ.
H. Z.
Ö.
D.
Y.
R.
Ş.
R.
A.
U.
F.
T.
S.
F.
G.
I.
O.
C.
E.
E.
B.
T.
N.
S.
M.
Ş.
A.
G. H.
E.
M.
B. S.
H.
E.
F.
İ.
G.
A. S.
N.
M.
E.
B.
B.
S.
F.
E.
E.
B.
A. O.
M.
D.
U.
N.
S.
E.
M.
H. Y.
Ç3,P50
P6
P6
P44
P50
S17,P13,P37
P48,P49,P56,P59
P51
P71
Muğla Üniversitesi
P52
P70
S3,S9,P72
P35
Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi P10,P33,P36
Karabük Üniversitesi
P32
P28
S2,S5,P12,P32,P38
Çukurova Üniversitesi
P10,P33,P36
Erciyes Üniversitesi
P10,P33
S7
S10
S14
P27,P28,P29
P19,P20
Atılım Üniversitesi
P27
P70
İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
P58
University of Delaware
P73
Süleyman Demirel Üniversitesi
P20
S8
S1
S8,P9
P39
Süleyman Demirel Üniversitesi
P20
Gazi Üniversitesi
P63,P64,P65
P26
P4,P18
P4,P18
S1
P57
S7
Gazi Üniversitesi
P63,P64,P65
P58
Çukurova Üniversitesi
P10,P33
P41
Gazi Üniversitesi
P55
Gazi Üniversitesi
P40
Ulusal Metroloji Enstitüsü
P45
P73
Gazi Üniversitesi
P21
P30,P46,P53
Gazi Üniversitesi
P1
P14,P15,P57
Pınarbaşı Mah
P2
P42
Gazi Üniversitesi
P55
KUTLU
MAMMADOV
MARAŞLI
MERDAN
MESTA
MEŞE
METE
MEYDANERİ
MIRIOGLU
MÜSTECAPLIOĞLU
NAZLICAN
OCAK
ODABAŞOĞLU
OKTEL
OKTİK
ORAL
OSSICINI
OVALI
OYLUMLUOGLU
ÖĞÜT
ÖKTÜ
ÖZAT
ÖZBAŞ
ÖZBAY
ÖZCAN
ÖZÇELİK
ÖZDAMAR
ÖZDEMİR
ÖZEK
ÖZER
ÖZIŞIK
ÖZKAN
ÖZKAN
ÖZKAYA
ÖZTEKİN
ÖZTOP
ÖZTÜRK
PAKMA
PARLAK
PAŞAOĞLU
PEKYILMAZ
POLAT
SAATÇİ
SAĞLAM
SALAMOV
SAMET
SARIKAVAK
SARIOĞLU
SAVAŞKAN
SELAMET
SENGER
SERİN
SERİN
SEVGÜL
SHAH
SIDDIKİ
B.
T.
N.
Z.
M.
A. I.
E.
F.
S.
Ö. E.
Z.
H. Y.
M.
M. Ö.
Ş.
A.
S.
R. V.
G.
S.
Ö
G.
Ö.
E.
Ş.
S.
Ö.
M.
A.
T.
H.
H.
A.
S.
E.
B.
M. K.
O.
M.
H.
I.
M.
B.
M.
B. G.
R.
B.
E.
B.
Y.
R. T.
N.
T.
Ç. G.
S. I.
A.
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Balıkesir Üniversitesi
Koç Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Sabancı Üniversitesi
Universit`a di Modena e Reggio Emilia
University of Illinois at Chicago
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Aksaray Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Kastomonu Üniversitesi
Seçkinevler
Karadeniz Teknik Üniversitesi
University of Delaware
P54
P21,P63,P64,P65,P67,P68
P3
P35
P59
P44
P49,P56,P59
P3
P52
S15,P8
P61
P16
P31,P71
S11,S15,P8
P4,P18
Ç4,S5
Ç2
S2
P52
Ç1
P45
P66
P60
P66,P69
S3,S9,P72
P21,P63,P64,P65,P66,P67,P68,P69
P71
P3
P31
P57
P17,P24
P27,P29
P54
P47
P70
S15
P66,P68,P69
P22
S8,P9
P25,P26
P52
P57
P3
S10
P55
P43
P66,P68
P62
P53
P58
S13,P39
P22
P22
P50
P73
S6,P44,P52
SOYALP
SÖNMEZOĞLU
SÜLEYMANOĞLU
SÜRÜCÜ
ŞAHİN
ŞEN
ŞİMŞEK
TAŞGIN
TAYRAN
TÜZEMEN
UÇGUN
UĞUR
UĞUR
ULAŞ
UMUCALILAR
USANMAZ
UZUN
ÜNSAL
VURAL
YAKUPHANOĞLU
YILDIRIM
YILDIRIM
YILDIRIM
YILMAZ
YOU
YURTSEVEN
F.
S.
N.
G.
H.
H. Ş.
M.
M. E.
C.
S.
E.
G.
Ş.
M.
R. O.
D.
O.
T.
K. B.
F.
M. A.
M. H.
T.
F.
L.
H.
Yüzüncü Yıl Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Gazi Üniversitesi
Fırat Üniversitesi
Erzincan Üniversitesi
Nevşehir Üniversitesi
Georgia Institute of Technology
S17,P37
P11
P70
P17,P24
S13
P38
S16,P5,P61
P8
P49
S7
P16
S17,P13,P37
S17,P13,P37
P44
S11
P48
P30,P46,P53
S9
P56
P19
S10,P23
P25
P29
P30,P46,P53
S15,P8
P41,P42

Özetler Kitapçığı - Faculty of Science at Bilkent University

Transkript

Benzer belgeler

Şanın Şaşaalı Dünyası`ndan

bilkent yeni müzik günleri v - Bilkent Üniversitesi Müzik ve Sahne

Royal Princess ile Güney Karayipler I Rota Fiyatlar Dahil Olan

İçindekiler - EN / Bilkent University

sonsuzluk özlemi - Bilkent University Library

Royal Princess ile Güney Karayipler II Rota Fiyatlar Dahil Olan

Özetler Kitapçığı - Faculty of Science at Bilkent University

Poster Özetleri - Phys : Home Page

yaz okulu programı